- 自1970年，美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来，已经过去47年，美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手，怀揣巨额筹码，高高兴兴地走进来，却在输光光之后黯然离场。目前，只有韩国三星和海力士，占据绝对垄断地位，在DRAM市场呼风唤雨，赚得盆满钵满。
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DRAM Flash
- 韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元)，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的
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NAND 三星
- ICinsights认为，全球内存下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND闪存均是如此。
尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。 以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有记录以来之最。
内存价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。
ICinsights指出，随着价格走扬，内存制造商也再次增加资本投
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DRAM NAND
- 韩国半导体产业发展风生水起。世界上最大的内存芯片供应商三星电子公司宣布，其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟，将投标收购日本东芝的内存部门。今天，我们邀请到了韩国真好经济研究院的李仁喆(音译：이인철)先生，与他共同聊一聊韩国半导体产业的未来。首先，我们了解一下7月4日三星电子公司在平泽投产的半导体工厂的意义。
根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4%。 这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂
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半导体 NAND
- 这个时间点我们讨论NorFlash行业趋势与全年景气度，一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布，而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等)，同时我们调高AMOLED与TDDINor的需求拉动预期，详细测算供需缺口，以求对未来趋势定性、定量研究;
汽车电子与工控拉动行业趋势反转TDDI+AMOLED新需求锦上添花
1、汽车与工控拉动2016趋势反转
从各方面验证，2016年是NOR的拐点
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DRAM NAND
- 据韩联社报道，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线近日正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球最大的单一产品生产线。
三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜(约合125.4亿美元)，并对华城市新建的半导体生产线投入6
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三星 V-NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的
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东芝 NAND
- UFS普及并不缺乏机会，Flash产能的困境能否早日抒解，成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- 64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎，预计将在未来18个月内成为市场主流...
Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出，64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。
在最近接受《EE Times》的访问中，Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology)，可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
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NAND 堆栈
- 三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。
64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 I
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三星 NAND
- 鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。
东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。
郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，
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东芝 NAND
- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
- 公司内部派系斗争问题，又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩，造成派系斗争恶化，及为自保而伪造业绩歪风兴起，等到2015年事件爆发，发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题，事件逐一发不可收拾。
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东芝 NAND
- NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上最缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现金，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。
群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。
潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。
群联在今年4月时，手
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nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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