富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务,为客户打造个性化的解决方案,并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域,富昌电子结合自身的技术积累和项目经验,落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。前两篇文章我们分别探讨了SiC MOSFET的驱动电压,以及SiC器件驱动设计中的寄生导通问题。本文作为系列文章的第三篇,会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较,给出分析和计算过程,供设计工程师在选择功率开关器件时
关键字:
富昌电子 MOSFET
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得,也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过,随着高压碳化硅(SiC)MOSFET的推出,设计人员现在有机会在提高性能的同时,应对所有其他挑战。 在过去20年间,额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高,如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展;如今,随着额定电压为1700V的功率器件的推出,
关键字:
SiC MOSFET 功率转换
现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设计,研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管,打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设
关键字:
RS瑞森半导体 MOSFET
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET(DrMOS)技术及其在稳压器模块(VRM)应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能,进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步,多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此,这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块(VRM)提供。在该领域,推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度(单位体积的功率),为了在有限空间中满足系统的高功率要求,必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率,高
关键字:
单芯片 驱动器 MOSFET DrMOS 电源系统设计
近日,安森美公布了2022年第三季度业绩,其三季度业绩直线上扬,总营收21.93亿美元,同比增长25.86%;毛利10.58亿美元,同比增长46.82%。财报数据显示,其三大业务中,智能电源组营收为11.16亿美元,同比增长25.1%;高级解决方案组营收7.34亿美元,同比增长19.7%;智能感知组营收为3.42亿美元,同比增长44.7%,三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美执行了一系列的战略转型,聚焦于智能电源和智能感知两大领域,从传统的I
关键字:
安森美 SiC MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合,推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合,非常适合用于12V热插拔应用,包括数据中心服务器和通信设备。 多年来,Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来,增强器件中关键MOSFET的性能,满足特定应用的要求,以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来,针对电池隔离(BMS)、直流
关键字:
Nexperia MOSFET ASFET SOA
2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用创新的顶部冷却,帮助设计人员解决具挑战的汽车应用,特别是电机控制和DC-DC转换。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装,尺寸仅5mm x 7mm,在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘,可以将热量直接散发到散热器上,而不是通过传统的印刷电路板(以下简称“PCB”)散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面,减少PCB发热,从而提高功率密度
关键字:
安森美 Top Cool封装 MOSFET
在各种电源应用领域,例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等,人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛,已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。在各种电源应用领域,例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等,人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛,已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力,因而
关键字:
Digi-Key MOSFET
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半导体器件,在高速开关性能和高温环境中,优于目前主流应用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中,SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求,实现系统的低损耗和小型化。东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品,其最大亮点是全SiC MOSFET模块,不同于只用SiC SBD(肖
关键字:
Toshiba MOSFET
本文针对MOSFET的运作模式,组件方案,以及其应用范例进行说明,剖析标准MOSFET的基本原理、应用优势,与方案选择的应用思考。线性MOSFET是线性模式应用时最合适的选择,能够确保可靠的运作。然而,用于线性模式应用时,标准MOSFET容易产生电热不稳定性,从而可能导致组件损坏。A类音讯放大器、主动式DC-link放电、电池充放电、浪涌电流限制器、低电压直流马达控制或电子负载等线性模式应用,都要求功率 MOSFET组件在电流饱和区内运行。了解线性模式运作在功率 MOSFET 的线性工作模式下,高电压和高
关键字:
Littelfuse 线性功率 MOSFET
现阶段,多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速,令这些器件所需功率急剧增加,直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求:一是稳压器的功率密度(单位体积的功率)升级,为了在有限空间中满足系统的高功率要求,必须大幅提高功率密度;另一是功率转换效率提升,高效率可降低功率损耗并改善热管理。目前电源行业一种公认的解决方案,是将先进的开关MOSFET(稳压器的主要组成部分)及其相应的驱动器集成到单个芯片中并采用高级封装,从而实现紧凑高效的功率转换。这种DrMOS功率级优化了高速功率转换。随着对这
关键字:
电源系统设计 单片驱动器 MOSFET DrMOS
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。市面上大家所说的功率场效应晶体管通常指绝缘栅MOS型(Metal Oxide Semico
关键字:
MOSFET
REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板,能够提供高达11kW的800 V输出电压,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性,是电动汽车和能量存储系统(ESS)等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机,50 kW 至 350 kW 的充电机,储能系统,电动汽车快速充电,功率转换系统 (PCS)►场景应用
关键字:
mosfet dc-dc 英飞凌 ipcdcdc infineon 终端 功率 dc 充电器
智能化便携式电子设备诸如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等的不断更新换代,功能越来越丰富,随之带来了耗电量急剧上升的挑战。然而,在现有电池能量密度还未取得突破性进展的背景下,人们开始探索更快的电量补给,以高效充电来压缩充电时间,降低充电的时间成本,从而换取设备的便携性,提升用户体验。目前,USB-PD是最为主流的快充技术。该技术标准具有18W、20W、35W、65W和140W等多种功率规格,以及5V、9V、12V和20V等多种电压输出。灵活的电压电流输出配置让各种电子设备都能通过一条USB-TYPE C线缆
关键字:
上海贝岭 驱动IC MOSFET
SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件,尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量,在开关速度较快时
关键字:
罗姆半导体,MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473