mosfet 文章 进入mosfet技术社区
双脉冲测试基础系列：基本原理和应用
- 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用，对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试？在以前甚至是今天，许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的，而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要，但是往往这样看不出具体的开关损耗，电压或者电流的尖峰情况，以及
- 关键字： MOSFET
基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案
- 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器，模拟调光范围宽，从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移，在整个模拟调光范围内进行精确的稳流，稳流精度在满载时<±2%，在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
- 关键字： MOSFET
面向工业环境的大功率无线电力传输技术
- 1. 简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及，工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙（Bluetooth）等各项无线技术的推动下，通信接口日益向无线化发展，无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案，不仅能带来明显的技术优势，还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念，特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域，例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如，它可以替代昂贵且易损
- 关键字： MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并
- 关键字： MOSFET
罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
- 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
- 关键字： MOSFET
了解热阻在系统层级的影响
- 在电阻方面，电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻，可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中，半导体接面是产生热的来源，允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施，以避免发生过热关机等情况，但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案，就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度，透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
- 关键字： MOSFET
碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战
- 1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年，我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色，ST的碳化硅研发是如何取得成功的，以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出，到2030年， 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场，例如，太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此，了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的，对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅：半导体行业如何克服技术
- 关键字： MOSFET
Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器，可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
- 关键字： MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]
mosfet研讨会推荐
mosfet相关帖子
mosfet资料下载
mosfet专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473