据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第三季度DDR3模块合约价下跌约2.3% ，创下至去年年中减产后单季最大跌幅，不仅DDR3内存DDR2合约价亦紧贴DDR3合约价下跌， DDR2 2GB模块合约均价约为33美元水平，跌幅约为6% 。
现货市场方面，由于广州亚运将于11月举办，大陆方
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内存 DRAM
据国外媒体报道，研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测，但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%，比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。
据该机构表示说，今年的利润有望比去年同期增长740亿美元，比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。
产品利润预期会增长43%，DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时，由于智能手机不断增长的需求，无线通信市场将
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半导体 DRAM
据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线宽仅略大于30纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。
报道称呢个，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。
尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子
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尔必达 DRAM 30纳米
甲骨文通过美国子公司在加州北区法院起诉美光科技，指控其涉嫌操纵内存芯片价格，使Sun微系统付出了更高的代价。
甲骨文指控美光与其他内存制造商勾结，人为抬高DRAM(动态随机存储)芯片价格。诉讼书称，在1998年至2002年间，Sun采购了总价超过20亿美元的DRAM芯片。
诉讼书还称，美国司法部指控了世界顶尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已认罪并认罚，但美光科技因与司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以约70亿美元价格收购了Sun。
韩国芯片制造商海力士半导体的代理律师迈克
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美光 芯片 DRAM
报道称Elpida计划投资30亿新台币(约合9550万美元)在台湾设立研发中心。
报道引述政府官员的话称Elpida已经向台湾“经济部”申请了财政补助来建立该中心。
Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond许可了其DRAM工艺技术，已换取台湾合作伙伴的产能。
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Elpida DRAM
市场研究机构The Information Network总裁Robert Castellano表示，半导体产业环境正在恶化，而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出，虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年，但好日子恐怕不多了。
Castellano预测，终端电子产品销售将出现下滑，首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言，PC销售业绩趋缓，将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响，连带让晶圆代工业者也受到
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Intel 半导体 DRAM
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。
据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越
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芯片 内存 DRAM
韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅 在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。
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海力士 DRAM DDR3
全球半导体经受金融危机后正迈入新一轮的增长时期，各家市场分析公司几乎都报道了2010年半导体有30%的增长，达到2900亿美元。
半导体业步入新时期
由于半导体业已逼近摩尔定律的终点，业界的变化规律开始发生变异，使得半导体业正进入一个崭新时期。新时期最明显的特点可以归结为增长趋缓，未来年均增长率在6%～7%;研发费用高耸，只有很少几家厂有能力继续跟踪，大多数顶级半导体厂都采用外协合作方案。工业的趋势可能会形成英特尔CPU，三星存储器及“fabless(无生产线半导体公司)+代工
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三星 半导体 DRAM
三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从 35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石，加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季，面对产能将大量开出，近期DRAM价格跌不停，特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元，较同容量DDR2价格还要低。
近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软，尤其在传统旺季是相当少见情况，甚至
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三星 DRAM 35纳米
韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。
据市调机构DRAMeXange统计，1Gb DDR3 9月初固定交易价格较15天前跌落10.60%至2.09美元，这是DDR3自2009年1月上市以来，固定交易价格最大跌幅。甫推出DDR3时，价格仅在1美元在线，其后持续上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元线。DD
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海力士 DRAM DDR3
9月9日《半导体行业特别报告》出版，涉及项目包括有：库存补充、企业升级周期、智能电话作为主要趋势、移动性长期转变、供应链动态、3G和4G的构建。
涉及企业包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集团(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、苹果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、爱特梅尔公司(Atmel：ATML)和其他多家企业。
以下内容摘录自《半导体行业特别报告》，专业分析师在其中讨论了该板块的前景和投资展望。
2005年进入德意志银行的鲍
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ARM 半导体 DRAM
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli 15日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。
美国加州的市场研究公司iSuppli周二的调查报告显示，动态随机存取存储器(DRAM)内存芯片的平均生产成本从第一季度的每G内存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次内存芯片制造成本的上升发生在2006年的第三季度。
尔必达公司和南亚科技股份有限公司分别是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亚科技股份有限公司在采用新的
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内存 DRAM
市场调研iSuppli近期发布报告称，今年二季度的DRAM内存芯片生产成本遭遇了自2006年三季度以来的首次上涨，这也引发了外界对于厂商在内存芯片生产花费支出的担忧。从2005年开始，内存芯片的生产成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均价格却达到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上涨。虽然价格上涨幅度非常小，但这完全颠覆了之前沿袭的规律。
其实，二季度内存芯片生产成本的上涨也并不是忽然至来。从2009年三季度开始，DRAM芯片季度生产成
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DRAM 内存芯片
日圆兑美元汇率强势升值，创近15年来新高;台湾存储器业者表示，日圆走势对日系厂商营运势必产生压力，未来将更仰赖台湾合作伙伴。
日本两大半导体厂在全球市场占有举止轻重的影响力，其中尔必达 (Elpida)今年第2季在全球动态随机存取内存 (DRAM)市场占有率为18%，是全球第3大DRAM厂。
东芝(Toshiba)今年第2季在全球储存型闪存(NAND Flash)市场占有率达33.1%，仅次于韩国三星，居全球第2大厂地。
南亚科技副总经理白培霖指出，日圆急遽升值，对日本内存厂尔必达及
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内存 DRAM
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