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三星35纳米4Q出击 台DRAM厂以卵击石

  •   三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门,继46纳米制程大量供货,下世代35纳米制程将在第4季试产,目标2010年底占总产能达10%,由于从 35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%,届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石,加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季,面对产能将大量开出,近期DRAM价格跌不停,特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元,较同容量DDR2价格还要低。   近期DRAM合约价及现货价均呈现极度疲软,尤其在传统旺季是相当少见情况,甚至
  • 关键字: 三星  DRAM  35纳米  
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