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海力士拟明年量产20纳米NAND Flash

  •   韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26纳米存储器,晶圆(wafer)产出量提高约25%。   
  • 关键字: 海力士  DRAM  20纳米  

三星、海力士4Q营收不乐观

  •   DRAM存储器半导体价格跌势持续第5个月,韩厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等存储器公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。     
  • 关键字: 海力士  DRAM  

台DRAM厂4Q面临全亏危机

  •   南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说,然力晶却抢先公布第3季财报,税后获利19.36亿元,若加计瑞晶获利,第3季获利可望逼近30亿元;南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换,产出不如预期,加上DDR3价格慢性崩盘,使得2家公司第3季亏损分别逾20亿和30亿元。展望第4季,若1Gb芯片价格跌到1美元,2Gb芯片跌破2美元,这3家台DRAM厂恐将全数亏损。   
  • 关键字: 力晶  DRAM  

内存封测量增价跌致厂家营收小幅增长

  •   受内存厂先进制程持续开出,内存封测及材料厂第4季接单量明显成长,不过,由于DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取内存)价格走低影响,封测价格也面临降价压力,因此第4季呈现量增价跌格局,预期各家营收维持小幅成长3~10%不等,是半导体业中少数还能维持成长的族群。  
  • 关键字: DRAM  内存封测  

景气虽不明 海力士仍持续投资30纳米制程

  •   虽然在经济前景不明的情况下,半导体产业景气亦受到连带影响,不过全球排名第2的半导体大厂海力士(Hynix)仍计划对转进30纳米制程持续加码,以增加和三星电子(Samsung Electronics)、日本尔必达(Elpida)等大厂竞争的优势。   
  • 关键字: 海力士  DRAM  30纳米  

iSuppli:2010年半导体市场销售有望破记录

  •   据国外媒体报道,研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测,但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%,比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。   据该机构表示说,今年的利润有望比去年同期增长740亿美元,比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。   产品利润预期会增长43%,DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时,由于智能手机不断增长的需求,无线通信市场将
  • 关键字: 半导体  DRAM  

半导体成长攻顶2010年供需平衡增压

  •   Gartner预测今年全球半导体成长率可攀至31.5%的高峰,而这股从去年景气谷底复苏的强劲力道,在历经连续五季的成长后即将落幕,一直到2014年全球半导体成长率最高不会超过7%,主要是因为半导体库存若不实时调整,供过于求的态势恐持续扩大。   Gartner副总裁JimEastlake表示,全球半导体成长趋势已达高峰,一波调整库存的浪潮将产生,以因应半导体端和系统端供需失衡的扩大。   Gartner副总裁JimEastlake表示,受景气回温影响,半导体产值自2009年第三季开始超过系统端产值
  • 关键字: 半导体  DRAM  

美光多元化布局 不再独钟DRAM产品

  •   美系存储器大厂美光(Micron)交出连续4季获利财报,美光近几年多角化发展十分成功,目前DRAM营收比重有仅剩下25%,受到下半年标准型DRAM价格重挫的冲击已大幅减少;然值得注意的是,与存储器龙大厂三星电子(Samsung Electronics)相同,美光执行长Steve Appleton也对于个人计算机(PC)市场前景的不确定因素发出预警。  
  • 关键字: 美光  DRAM  eMMC  

力晶9月营收衰退至75.19亿

  •   DRAM大厂力晶自结9月营收新台币75.19亿元,较上月88.88亿元减少15%,累计前9月营收为675亿元;力晶发言人谭仲民表示,9月营收下滑主要是受到DRAM现货价疲软的影响,随著12寸晶圆厂代工业务的需求和报价回稳,标准型DRAM制程技术也逐渐转进尔必达63纳米制程,未来成本可望进一步下降。   受到DRAM现货价和合约价大幅下修的影响,DRAM厂9月营收除了华亚科受惠50纳米制程大量转换成功之赐,而逆势成长之外,其它各厂营收都呈现下滑趋势,包括力晶、瑞晶、南亚科、茂德等9月营收都难逃衰退命运
  • 关键字: 力晶  DRAM  

DRAM内存芯片价格或迎来短期上涨

  •   存储芯片市场调研公司inSpectrum表示,尽管下滑趋势依旧,但内存和闪存芯片价格有望在中国十一长假后迎来小幅回升。   来自交易市场的消息称,在十一长假结束前市场对DRAM内存和NAND闪存芯片的需求已经出现回升迹象。很多厂商称十一长假带来的市场需求已经耗掉其大部分存货,下周将进行新一轮的存货补充。   不过inSpectrum也认为,由于零售渠道的根本需求依旧很弱,所以这种价格反弹只能是短期行为,不会持续太长。而且一些厂商继续在其零售渠道降低eTT芯片价格,这也影响了整个内存芯片市场的价格走
  • 关键字: DRAM  闪存  

坂本幸雄踩刹车 瑞晶扩产计划喊停

  •   个人计算机(PC)需求不振连累DRAM价格重挫,尔必达(Elpida)社长坂本幸雄坦承将下修公司获利目标,同时在台湾转投资瑞晶R2厂的扩产计划也将踩刹车。2010年在3、4月DRAM大缺货之际,尔必达内部规划广邀PC客户入股来协助瑞晶扩产,届时将依照投资比重来分配DRAM货源,但传出DRAM价格崩盘后,PC客户早已溜之大吉,瑞晶的扩产计划只好喊卡,然尔必达广岛厂的扩产进度仍将如期进行。   坂本幸雄表示,PC市场在传统旺季的需求未如预期,将连累尔必达的财报获利受到影响,但DRAM价格其实下修幅度已大
  • 关键字: 尔必达  DRAM  

NAND Flash价格濒临成本线 静待大厂减产

  •   全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下,9月下旬合约价续跌,其中,32Gb芯片合约价下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模块厂表示,NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线,若价格再跌,恐会让NAND Flash厂产生亏损,接下来要看大陆十一长假后是否出现补货需求,带动NAND Flash价格止跌。   模块厂表示,近期NAND Flash产品需求比DRAM模块好一些,DRAM买气受限于现货价跌幅较深,通路商补货意愿不高,但在NAND Flas
  • 关键字: NAND  DRAM  

基于Windows Mobile嵌入式系统的类圆管材识别与计数系统研究

  • 基于Windows Mobile嵌入式系统的类圆管材识别与计数系统研究,0 引言近年来,随着基于嵌入式微处理器和嵌入式操作系统的智能手机技术的飞速发展,基于Windows Mobile系统的嵌入式智能手机图像采集处理技术也正处于方兴未艾的阶段,这就使得以嵌入式技术为核心的图像处理系统能够
  • 关键字: 系统  识别  计数  研究  管材  基于  Mobile  嵌入式  Windows  

Castellano预测半导体产业环境再度急转直下

  •   市场研究机构The InformatiON Network总裁RobertCastellano表示,半导体产业环境正在恶化,而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出,虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年,但好日子恐怕不多了。   Castellano预测,终端电子产品销售将出现下滑,首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言,PC销售业绩趋缓,将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响,连带让晶圆代工业者也受到冲
  • 关键字: 半导体  DRAM  

三星电子第三季营业利润43亿美元 低于预期

  •   据国外媒体报道,三星今天发布了第三季度财报。财报显示,三星营业利润为4.8万亿韩元(约合43亿美元),低于分析师预期。   三星今天发表声明称,该公司第三季度营业利润由去年同期的4.22万亿韩元(约合37.6亿美元)增长14%至4.8万亿韩元,低于分析师预期的5.03万亿韩元。三星营收增长11%至40万亿韩元(约合356亿美元)。   分析师指出,电视销售放缓打压了液晶面板的价格,影响了三星液晶面板和电视业务的利润。摩根大通分析师贾斯廷·帕克(Justin Park)说,由于预计第四
  • 关键字: 三星电子  液晶面板  DRAM  
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