- 力晶总经理王其国表示,目前12寸晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上,产能都相当吃紧,未来DRAM业者在转制程和盖新厂上,会因为财务问题而放缓脚步,因此短期内不担心供过于求的问题,尤其是相当看好智能型手机(Smart Phone)对于DRAM产能的消耗量,算是杀手级的应用,对于未来DRAM产业看法相当正面。
王其国表示,过去摩尔定律认为每隔18个月晶圆产出数量可多出1倍,但未来随著DRAM产业制程技术难度增加,制程微缩的脚步放缓,可能较难达成,加上现在转进
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力晶 SDRAM DRAM
- 按IC Insight报告,在DRAM 及NAND市场高涨下,导致与之相关连的全球前20大半导体制造商排名中有10家位置发生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新报告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存储器厂,它们的排名至少前进了一位,其中 Elpida前进了6位,列于第10。
同时列于第2的三星电子,估计2010年它的销售额离300亿美元仅一步之遥,IC销售额增长达50%以上。
三星在本月初时,它将扩大今年半导体的投资达96亿美元, 也即表示
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Hynix 存储器 DRAM NAND
- 据报道,台湾DRAM内存制造商认为,三星目前已经将重点放在了拉大与竞争对手在NAND闪存市场差距。由于在DRAM市场的地位十分稳固,三星未来将不 会继续加强该市场的投资,因此其它DRAM厂商在这方面的影响将会比较小。三星此前在全球NAND闪存市场的份额一度达到50%,但目前 已经滑落到了40%,而且排在第二的东芝也是在身后紧追不舍。为了拉大与东芝的差距,三星可能将会将其NAND闪存芯片生产集中在新建的Line-16生 产线上。
外界还认为,受到操纵内存价格事、可能遭受反垄断调查影响,三星未来在D
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三星电子 DRAM 内存制造
- 三星电子(Samsung Electronics)宣布投下巨额资本支出计画,在全球DRAM产业掀起滔天巨浪,尤其台系DRAM厂忧心忡忡,担心还没打仗就先输了一半,不过,近期存储器业者在深入探询三星布局后表示,三星这场充满杀敌言论的喊话动作,真正用在DRAM产能扩充上应是相当有限,主要还是与东芝(Toshiba)NAND Flash龙头保卫战,三星才有输不得的压力,加上三星针对LED、电池、太阳能、生物科技、医疗等5大新兴事业体拓展雄心,对于DRAM产业威胁将低于预期。
三星在5月中旬宣布全球半导
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三星电子 DRAM
- 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics),再度因南北韩政治对立情势升温,战事恐一触即发,而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业,三星在此两大产业中,DRAM市占率分别超过30%,NAND Flash市占率逼近40%,未来南北韩关系若持续紧绷,甚至有战事发生,将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂:三星
根据DIGITIMES
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三星电子 DRAM NAND
- 存储器模块产业2009年享受低价库存变黄金的荣景,但2010年营运则面对严峻挑战,惟产业大者越大的趋势不变,根据市调机构 iSuppli最新统计,金士顿2009年全球市占率已达40.3%,几乎是第2到8名的总和,威刚则以7.4%位居全球第2,而2009年DRAM模块产业规模约175亿美元,整体出货量约6.32亿支,预计2010年会提升至242亿美元之多。
2009年DRAM价格触底反弹,存储器模块厂营运率先受惠,几乎是上半年各厂手上还抱著库存欲哭无泪,但随著奇梦达(Qimonda)退出市场、个人
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存储器 DRAM
- 为了扩大生产规模,三星电子(Samsung Electronics)变更半导体制作产线的营运方式,将原本一座工厂内设置两条产线的方式,变更为整座工厂只有一条产线的营运体系。
据南韩MT News报导,三星23日动工的京畿道华城半导体新工厂名称,并不是当初预定的17号产线,而命名为16号产线。
三星相关人员指出,过去存储器半导体市场规模较小,对于景气好坏的循环相当敏感,因此过去采用一座工厂两条产线方式,以换取投资时差并减低风险。
但目前三星在内存市场的规模已够大,必须一次扩大生产量规模
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三星电子 DRAM
- 三星在DRAM及NAND中称霸,年产值达200亿美元。然而近期的几件事让人联想泛泛,三星拟再夺全球代工的宝座。
南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)日前提高资本支出,其中在系统LSI(System LSI)部门,资本支出亦增加逾50%,达2兆韩元(约18亿美元),以满足手机等系统单芯片(SoC)需求,显示三星有意加强晶圆代工业务。业界对此解读,三星主要系着眼于最大客户高通(Qualcomm)手机芯片订单,未来是否会扩大分食高通在台积电订单,高通订单版图移转变化有待观察
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三星 DRAM NAND
- 南韩三星电子大张旗鼓扩充DRAM产能,引发各方关注。台塑集团总裁王文渊日前于内部会议表示,原先预期三星明年下半年启动扩产,其进度比预期快得多,惟集团与美光合作的30纳米制程已完成开发,今年将切入50、42纳米制程,技术超越台系厂商;对照先前65纳米,生产成本优势将提升约40%至50%,台塑集团已积极审慎应战。
三星大张旗鼓扩充DRAM、NAND产能,由于比原先预期将在明年下半年启动快的多,也使台湾厂商将被迫提前面临新产业淘汰赛,但也突显三星对DRAM后续产业前景,有偏多的立场。
南亚科董事
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三星电子 DRAM NAND 50纳米
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产,但三星电子却于17日宣布,2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出,是历年来规模最大的投资计画,主要以半导体产业为主,这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹,而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。存储器业者指出,三星此举是看好未来3年PC市场成长率,但却让现阶段正积极募资的台系DRAM厂,狠狠挨了一记闷棍!
权五铉3月中旬
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- 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出,一如市场预期,在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下,DDR2合约价最后持平开出,而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为,在电子产业的传统淡季还能维持此结果,算是满意,至于第3季传统淡季展望,DRAM厂都不敢把话说的太满,对于能否有大幅涨价的空间? DRAM厂仅客气表示,在此高档区间震荡就算是合理价位。
2010年5月合约价相当难谈,几乎到了快要难产的阶段,主要就是卡在三星电子(Samsung Electronics)上,与部分PC大客
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- 据国外媒体报道,欧洲第二大芯片厂商英飞凌日前宣布,公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。
英飞凌发言人Monika Sonntag今日在接受电话采访时称,双方已经同意交叉授权半导体专利技术,公司不会公布和解协议的具体财务条款。
尔必达是日本最大的电脑内存芯片厂商,它与英飞凌就与微控制器有关的创新技术专利向美国地方法院和国际贸易委员会提出了诉讼。
英飞凌负责销售、营销与技术的管理委员会成员Hermann Eul表示:“我们期待着两家公司能够保持长久的和平关系。
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- 英飞凌科技股份公司今日宣布,该公司与尔必达公司(Elpida Memory Icn.)就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,起诉尔必达及其客户。尔必达随后在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项诉讼。
英飞凌与尔必达通过半导体技术专利交叉许可,就专利侵权诉讼达成和解。具体许可条款未透露。
英飞凌公司董事会成员兼销售、营销、技术和研发负责人Hermann Eul博士指出:“英飞凌很高
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- 欧盟委员会19日裁定韩国三星等10家芯片制造商操纵市场价格的行为构成垄断,并开出总额达3.31亿欧元的罚单。
欧盟委员会当天发表声明说,这些企业在动态随机存储器(DRAM)销售上设定价格,其行为损害了市场竞争,违反欧盟反垄断规定。
根据这一声明,韩国三星电子公司被罚金额最高,为1.457亿欧元,其次为欧洲第二大半导体生产商德国英飞凌科技公司和韩国现代电子产业公司,分别被处以5670万欧元和5150万欧元罚金。据悉,韩国三星电子公司和韩国现代电子产业公司去年在该存储器全球市场中占据一半以上份
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- 市场调研机构Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市场份额公司排名情况。在Q1排名中市场份额扩大的优胜者是三星,美光及力晶及茂德。Q1 市场份额减少的失意者为海力士,尔必达,南亚和威邦。
Q1的市场排名中依销售额计,三星居首位,接下来为海力士,尔必达,美光,力晶,南亚,威邦,茂德,东芝和钰创科技。
台湾的茂德与力晶半导体由于产能利用率近满载,它们的销售额大幅增加。Gartner的分析师Andrew Norwood认为力晶受益于其技术向Elpida的65nm XS技术过渡, 所以超
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