- 三星电子前日宣布，今年的扩张资本支出将增加到18兆韩元(折合156亿美元)。计划将以11兆韩元扩充内存芯片产能，还将以5兆韩元与2兆韩元分别投入液晶显示器 (LCD)，以及电视与手机业务。此外，加上研发支出，预计三星今年支出总额将达26兆韩元，较去年激增67%，如此大手笔让人咋舌。
据悉，三星半导体业务总裁权五铉3月在出席GSA内存大会时还表示，三星不会盲目扩大DRAM颗粒产量，但会重视产品价值，稳定产品价格。他还督促DRAM制造商不要一味的追求产能，而是应该把注意力放在工艺升级和高端产品的研发
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三星 DRAM 面板
- 三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产，但三星电子却于17日宣布，2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出，是历年来规模最大的投资计画，主要以半导体产业为主，这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹，而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。存储器业者指出，三星此举是看好未来3年PC市场成长率，但却让现阶段正积极募资的台系DRAM厂，狠狠挨了一记闷棍!
权五铉3月中旬
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三星电子 DRAM
- 三星电子在16号半导体生产线开工仪式上表示，2010年整体投资将达到26兆韩元。该生产线位于韩国华城，将主要用于生产下一代存储产品，2011年建成投产后预计能月产12英寸半导体晶片20万片以上。
2010年三星电子26兆韩元投资计划主要包括：半导体领域11兆韩元、液晶领域5兆韩元、手机显示领域2兆韩元以上、整体研发8兆韩元。经过此轮投资三星电子将实现30纳米DRAM大规模量产、拥有能够月产7万片的第四条8代液晶面板生产线、拥有全球最大规模的AMOLED生产线等。这是三星集团继前不久宣布向新产业投
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三星电子 DRAM AMOLED
- 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出，一如市场预期，在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下，DDR2合约价最后持平开出，而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为，在电子产业的传统淡季还能维持此结果，算是满意，至于第3季传统淡季展望，DRAM厂都不敢把话说的太满，对于能否有大幅涨价的空间? DRAM厂仅客气表示，在此高档区间震荡就算是合理价位。
2010年5月合约价相当难谈，几乎到了快要难产的阶段，主要就是卡在三星电子(Samsung Electronics)上，与部分PC大客
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三星电子 DRAM
- 全球DRAM产业40纳米大战出现变量，由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故，瑞晶已松口表示，原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标，将正式递延至2011年第1季，其第1台浸润式机台本周才会正式到货，比原订时程晚了2~3个月，内部已决定将8万片产能全数转进63纳米制程作为应变。DRAM业者皆认为，全球DRAM 产业的40纳米正式对决时间点，会是在2011年!
瑞晶总经理陈正坤表示，瑞晶第1台浸润式机台将于本周正式到货，预计在9月之前会有5~6台
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三星电子 DRAM 40纳米
- 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。
NAND Flash产业2009年率先落底反弹，但2010年表现空间不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- DRAM价格走扬，带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元，较去年第4季再成长6.9%;其中，南韩三星市占率达32.3%，稳居全球DRAM龙头宝座。
集邦科技表示，尽管第一季为DRAM产业传统淡季，不过，在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下，带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡，价格也持续走扬。
根据统计，第一季DDR3合约季均价上涨16%，现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面，第1季合约季均价上涨5%，现货季均价则持平表现。
而在产品价格走扬，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与 14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2010年第一季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档价格。
由于计算机系统厂商于第一季拉高DDR3的搭载比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供货吃紧。DDR2方面在现货市场需求仍大部份在DDR2，而DRAM厂快速转进至DDR3，使买方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
- 日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将用此芯片生产32GB内存模块，应用于服务器、大型数据中心或其他大型系统等，DRAM大厂在产品规格之战，逐渐由主流规格2Gb，延伸至4Gb容量。
尔必达22日指出，将正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保
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Samsung DRAM 40纳米
- 在渡过困难的09年后,全球半导体业迎来新一轮的高潮。市场相继出现存储器, 模拟电路等缺货现象及OEM库存不足。具风向标意义的1Gb DDR2价格由1,5美元升至3,0美元, 所以亏损了近3年的美光, 尔必达及海力士都报导扭亏为盈, 预计2010年全球DRAM增长40%,可达319亿美元。
以台积电为首的代工业也是看好, 预计今年有20%的增长。2010年Q1，它的65纳米先进制程取消淡季的固定优惠，实际上是变相的价格上涨。台积电去年第四季营收920.9亿台币，季增2.4%，65纳米占营收30%，
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存储器 DRAM 模拟电路
- 2010年DRAM产业自谷底回春，不淡摆脱过去亏损连连的情况，或是各厂要求政府要纾困，几乎每家DRAM业者都开始赚钱，且DRAM供不应求情况越来越严重，价格也不断上涨，现在DDR3和DDR2价格1颗3美元的情况发生在传统淡季，实在少见，且缺货的情况短期内无法纾解。
市场分析主要原因可分为供给和需求两方配合。在供给端方面，除了三星电子(SamsungElectronics)实力和财力雄厚外，厂的资本支出顶多只能应付制程微缩的需求，没有多余的资金可盖新厂房。
再者，2010年各厂转进50或是4
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DRAM 40纳米
- 韩国半导体大厂海力士(Hynix)公布2010会计年度第1季 (2010年1~3月)财报，与2009年同期净损1.18兆韩元(约10.62亿美元)相比，海力士本季达成获利8,220亿韩元，比前季成长25%。营收则达2.82兆韩元，比2009年同期成长115%，亦比前季略增220亿韩元。
海力士营收稳定成长，主要受到存储器市场景气兴盛、DRAM出货量增加及存储器平均价格拉台刺激。
海力士表示，DRAM本季平均价格成长3%、出货量成长6%。NAND Flash平均价格虽下滑8%，然出货量持平。
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Hynix DRAM 存储器
- 存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)器兴厂3月底甫发生停电事件，海力士(Hynix)位于韩国M10厂房21日亦出现停电意外，海力士宣称仅发生0.1秒瞬间电压下降，由于有不断电系统支应，并未造成任何损失，存储器业者则传出这次海力士实际停电时间是下午1~3点，长达2小时之久，尽管停电事件对于实际产出影响有限，然因目前DRAM市场供给严重吃紧，若韩系大厂再减少一些产能，恐怕将对PC厂出货造成冲击。
海力士位于韩国京畿道M10厂房在 21日下午传出突然停电事件，公司在第1时间出面
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Samsung 存储器 DRAM
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