IMEC总裁Luc van den Hove表示为了开发新型的混合工艺技术(沿着后摩尔定律), 它的研究所决定与台积电进行合作。
尽管IMEC己经与诸多先进芯片制造厂在CMOS材料与工艺方面进行合作, 但是仍需要有大量的创新应用來推动CMOS技术的进步。
IMEC总裁在Dresden的国际电子学年会上认为,IMEC欲开发专业应用的CMORE平台。所谓混合工艺是指把逻辑电路与存储器采用热，化学及光学传感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工艺与生物电子接口, 光电子,MEMS及RF电路结合在
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台积电 CMOS 芯片制造
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，适用于汽车栅极驱动应用，包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。
AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高侧驱动器的开关传输时间非常短，可以在更高的频率下驱动MOSFET或IGBT，由此可通过使用更小的滤波元件缩小系统尺寸。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽车用I
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IR CMOS IC
本文基于对称OTA结构，设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA，即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声，而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz～10 MHz频率范围内，其增益高达60 dB，PSRR为65 dB，而CMRR则高达70 dB，系统达到了较高的性能。
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CMOS LED 驱动器 改进型
欧洲半导体研究所IMEC已任命前TSMC欧洲总裁Kees den Otter为其副总裁, 掌管其IC市场发展。
可能原因是出自研究所要更多的为工业化服务, 并创造应有的价值。显然近年来其pilot生产线中EUV光刻研发的 费用高耸,也难以为继。
近几年来IMEC与TSMC的关系靠近, 之前它的进步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。随着NXP趋向fab lite及TSMC反而增强它在全球的超级能力,IMEC与TSMC在各个方面加强合作。
IMEC作
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IMEC 光刻 CMOS
致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振荡器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成为业界首家采用晶圆和封装形式 CMOS 振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。产品提供
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IDT 振荡器 CMOS
海力士(Hynix)唯一还在运作中的8寸晶圆厂M8产线，下周将确定往后的运用方案，海力士的选择受到业界瞩目。海力士正在寻找解决办法，因为持续运作，早晚会遭遇收益性问题，而要以出销方式处理也不是件容易的事情。部分IC设计业者提议将此设施作为代工专用厂使用，另外也有建构成韩国代表性纯代工厂的意见。
海力士社长权五哲22日在财报说明会中，针对M8 厂是否会改变为代工专用厂的问题表示，目前正在多方探讨M8厂长期性的活用方案，5月底前可定案。
位于韩国忠清北道清州的M8厂主要生产低容量快闪存储器，并
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Hynix 晶圆 CMOS
介绍Cypress公司的图像传感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并对其两种快门方式进行了比较。在此基础上设计它所需要的时序控制电路。选用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作为硬件设计平台，对采用不同配置和快门的时序控制电路进行了仿真。实验结果表明，设计的驱动电路能够满足成像器的工作需求。
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时序 设计 驱动 IBIS5-B-1300 图像 传感器 CMOS 数字信号
日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
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尔必达 40nm CMOS DDR3
低成本CMOS图像传感器对医学技术的推动作用, 医学技术一直是CCD(电荷耦合设备)图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很
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CMOS 图像传感器 动作
象过去多年来一样, 在今年的会上台积电也爆出让人感到惊奇的新工艺技术。它的新工艺路线图, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等领域。以下是在一天的会中对于会议的观察及感受;
1,Morris张去年79岁高令重新执掌台积电, 那时正值全球IC业混乱时代, 它又重新扬帆启航。但是在此次会上见到张时仍是如1990年首次见到它时那样精力充沛而健谈。更重要的是在公司经历40nm的风波后,它似乎为客户重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取积极的投资, 研发与招工策略, 张认为至今年底公司将从今日的2
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台积电 CMOS Analog MEMS RF
韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平，2010年将批量生产产品。至此，三家大型...
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CMOS 传感器
台积电总裁张忠谋认为,虽然近期IC业的形势越来越好, 但是产业还是面临诸多挑战。
在近期举行的台积电技术会上张忠谋表示,摩尔定律正在减缓和芯片制造成本越来越高，因此台积电将比过去在芯片制造商与代工之间更加加强紧密合作。
它对于大家说,此种合作关系要从芯片设计开始, 并相信未来台积电会做得更好。
它同时指出，加强合作要依技术为先。从技术层面, 那些老的，包括新的代工竞争者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,对于台积电都能构成大的威胁。
非常幸运, 大部分
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台积电 20nm CMOS
提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
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CMOS 低功耗 转换速率 模拟
摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
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3GHz CMOS 低噪声放大器 优化设计
这个电路是使用，CMOS集成电路CD4013双D正反器，分别接成一个单稳态电路和一个双稳态电路。单稳态电路的作用是对触摸信号进行脉波宽度整形，保证每次触摸动作都可靠。双稳态电路用来驱动晶体管Q1的开通或关闭，进而控
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开关 触摸 CD4013 集成 CMOS
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