如何构建基于一个CMOS单防区报警器 说明 该电路具有自动出入延误 - 计时钟切断 - 和系统重置。它为常开和常闭开关提供 - 并将满足通常的输入设备(压力垫，磁簧接触，铝箔胶带，PIRs和惯性传感器)。 如果绿
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防区 报警器 CMOS 一个 构建 基于 如何
这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信
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CMOS 电感测试仪 方案
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源，工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性，对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿，设计了一种输出电压为1．3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7．427pp-m／℃，在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0．022 mm2，适用于低压差线性稳压嚣等领域。
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CMOS 高精度 带隙基准源
CMOS成像技术的领先创新者ApTIna今日推出其高性能、功能丰富、APS-C格式的1600万像素的图像传感器。特别的设计令该产品可实现专业摄影师所要求的高画质，除了以10帧/秒的速度捕捉1600万像素的静态图像以外，新的MT9H004传感器亦具备较高的灵敏度、较小的暗电流和较低的读出噪声。凭借该公司最新的动态响应(DR)像素技术创新(称为Aptina DR-Pix技术)，新的APS-C格式成像解决方案在低亮度条件下可增加5分贝的信噪比(SNR)，而无需牺牲高亮度环境中的表现。高亮度下的最大信噪比可达
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图像传感器 CMOS
逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔及台湾台积电(TSMC)等知名半导体厂商均已开始表现出这种技术意向。LSI的制造技术发生巨变之后，估计也会对各公司的微细化竞争带来影响。
元件材料及曝光技术也会出现转折
“估计一多半的半导体厂商都会在15nm工艺时向FinFET过渡”(英特尔)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立体晶体管
本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0mu;m CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯
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CMOS 工艺 锯齿波 振荡电路
摘要：介绍数字式CMOS摄像头MT9M011的工作方式；提出MT9M011在基于HCSl2单片机的智能车控制系统中的应用方案，针对采集图像时遇到的问题给出了相应的解决方法；分析数字式CMOS摄像头相对于模拟摄像头的优势和不足。
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车中 应用 智能 摄像头 CMOS 数字式
CMOS成像技术的领先创新者Aptina宣布推出其新款功能丰富的8MP CCS8140成像解决方案。CCS8140解决方案利用公司在像素、处理和封装方面的创新技术，将高品质MT9E013 8MP CMOS影像传感器与Aptina™ MT9E311成像协处理器完美结合，同时其各方面的处理速度保持在与独立影像处理器类似的水平。经全面调节的Aptina CCS8140整套相机解决方案可提供一流的影像品质，同时仅需极少的调节和传感器调整即可完成最终产品设计。该解决方案不仅可以为移动手持设备OEM和
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Aptina CMOS CCS8140
按全球半导体联盟GSA经过调查后的报道，全球2010年Q2的硅片代工价格与上个季度相比下降。
为了支持与促进半导体产业链发展，一家非盈利组织GSA的报告，用于CMOS制造的200mm直径代工硅片的中间价格环比下降9.5%，而同类的300mm硅片代工价格环比没有改变，每片平均仍为3200美元。
据GSA说，调查的参与者也报道200mm CMOS工艺的掩模价格下降，在连续两个季度价格上升之后，环比中间价格下降12%。而300mm CMOS工艺的掩模中间价没有改变，而且已连续达3个季度。
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硅片 CMOS 200mm
据路透社援引俄罗斯当地报纸的一则报道称，俄罗斯一家名为Sistema的公司最近呼吁俄罗斯当局禁止其对手厂商生产的同类IC芯片产品进口到俄罗斯市场。Sistema目前与意法半导体公司有合作关系，双方正在合作生产90nm制程的电视，GPS,手机，电子护照等产品用的IC芯片。这家公司的国企背景深厚，着名的俄罗斯国有半导体企业俄罗斯纳米技术集团(Rusnano)便是这家公司的大后台之一，目前Rusnano正在全力支持在俄罗斯国内架设一条90nm制程CMOS产线的项目。据《俄罗斯日报》报道，俄罗斯总理普京9月2
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IC芯片 90nm CMOS
O 引言 电路中的功率消耗源主要有以下几种：由逻辑转换引起的逻辑门对负载电容充、放电引起的功率消耗;由逻辑门中瞬时短路电流引起的功率消耗;由器件的漏电流引起的消耗，并且每引进一次新的制造技术会导致漏
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CMOS 单相 乘法器 能量 能量回收
佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS传感器：1.2亿像素的APS-H尺寸产品，它比目前旗舰单反EOS 1D Mark IV的影像传感器还大7.5倍，可拍摄全幅13280x9184图像，并可实现9.5FPS的连拍和1080p视频的录制(仅需要用到1/60的有效像素)。这款变态级别的传感器目前似乎还没有应用到任何产品的计划，之前，佳能在2007年展示了5000万像素的传感器样本。
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佳能 CMOS 传感器
CMOS数字集成电路具有输入阻抗高、低功耗、电源电压范围广以及输出电压摆帐大等优点。除了在数字化装置中广泛应用外，亦可用于线性电路，发挥它低功耗的特点。
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CMOS 门电路 放大电路图 微功耗
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