- 逻辑LSI的基本元件——CMOS晶体管的发展估计将在2013年前后15nm工艺达到量产水平时迎来重大转折点。将由现行的平面型晶体管向具备三维沟道的立体型晶体管过渡。美国英特尔及台湾台积电(TSMC)等知名半导体厂商均已开始表现出这种技术意向。LSI的制造技术发生巨变之后，估计也会对各公司的微细化竞争带来影响。
元件材料及曝光技术也会出现转折
“估计一多半的半导体厂商都会在15nm工艺时向FinFET过渡”(英特尔)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立体晶体管
- 据electronicsweekly网站报道，台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管)，据称这种制程生产的芯片产品在0.45V工作 电压条件下的信号噪声仅为0.09V。
这种Finfet制程技术采用了双外延(dual-epitaxy)和多重硅应变(multiple stressors，指应用多种应力源增强沟道载流子迁移率的技术)技术，台积电宣称
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台积电 立体晶体管 20nm
立体晶体管介绍
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