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iso2-cmos 文章 进入iso2-cmos技术社区

应用于智能手机的的高性能、小封装逻辑电平转换方案

  •   近一两年来,在苹果公司iPhone手机的带动下,智能手机市场迅速扩大。智能手机等便携产品的一个重要特点是功能越来越多,从而支持更广泛的消费需求。但智能手机等便携产品内部用于支持不同功能的集成电路(IC)或模块的工作电压往往不同,如基带处理器和应用处理器电压一般在1.5 V至1.8 V之间,而现有许多外设工作电压一般为2.6至3.3 V,如USIM卡、Wi-Fi模块、调频(FM)调谐器模块工作电压为2.8 V,而相机模块为2.7 V。      因此,智能手机等便携产品中的不同IC与外设模块之间
  • 关键字: 安森美  智能手机  电平转换器  CMOS  

高清视频CMOS电流舵数/模转换器的设计

  • 摘 要:高清晰电视(HDTV)和无线通信网络的发展,对转换器速度和精度提出了更高的要求。基于新型传输门(TG) 结构组成的电流源单元矩阵和译码逻辑电路,提出一种适用于高清晰视频使用的高速8位CMOS电流舵数/模转换器(
  • 关键字: 转换器  设计  电流  CMOS  视频  高清  转换器  

基于电流折叠技术的CMOS全差分VCO设计

  • 摘 要:针对目前通信系统应用上对压控振荡器的片上集成、宽调谐、调幅、启动特性和功耗等提出的综合性要求,分析和设计了一种压控调频调幅振荡器,其延迟单元采用全差分结构,以消除共模噪声和增加延迟控制的灵活性
  • 关键字: CMOS  VCO  电流  折叠技术    

锐迪科推出国内首颗地面数字电视广播射频接收芯片

  •   锐迪科微电子 (RDA) 日前宣布,其应用于地面数字电视接收的高性能射频接收芯片量产,这也是在该领域国内首颗成功上市的芯片,标志着国外芯片垄断国内市场的历史从此改写。该芯片型号为 RDA5880,采用 CMOS 工艺,QFN32 5*5封装,片外器件极少,具备高集成度的特点,支持自动增益控制模式,能够支持目前所有的数字电视广播传输标准(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模拟电视标准,支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
  • 关键字: RDA  地面数字电视  射频接收芯片  CMOS  RDA5880  

芯科实验室推出高性能单芯片混合电视调谐器

  •   近日, Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司)发布一款完整的、全球兼容的混合电视调谐器(hybrid TV tuner),该Si2170组件在CMOS单芯片上集成了模拟电视解调器。利用Silicon Labs备受肯定的数字低中频架构,Si2170成为业界首个性能超越传统分立式电视调谐器的硅电视调谐器(Silicon TV tuner),不仅能为电视生产厂商提供更佳的画质,更带来卓越的模拟和数字广播接收能力。超高集成度可减少100多个分立器件的使用,针对数字电视(iDTV)、机
  • 关键字: Silicon  CMOS  电视调谐器    

飞思卡尔传感器装运量突破10亿

  •   新闻事件:   飞思卡尔半导体传感器装运量突破10亿只   行业影响:   飞思卡尔在业内商用汽车传感器供应商中排名第一   代表了飞思卡尔与客户的一个重要里程碑   飞思卡尔半导体提供的传感器技术创新,帮助全球客户过去三十年在汽车、消费、工业和医疗产品上实现重大变化。飞思卡尔一直在传感器领域处于领先地位,最近其传感器装运量突破10亿只,取得重要里程碑。   飞思卡尔提供行业内范围最广的传感器产品系列,在成熟的传感器市场中拥有强劲的发展趋势,该市场涵
  • 关键字: 飞思卡尔  传感器  CMOS  

展现深耕决心 中芯提升MEMS为独立部门

  •   继台积电上周于技术论坛中广发MEMS英雄帖后,中芯MEMS部门升格为独立部门,以展现深耕MEMS市场决心。中芯表示,踏入此市场仅约1年,但预计2009年底前,已有3项商品已可进入大量投产,而市场上每项MEMS产品,中芯至少都有1个客户,因此对中芯来说,MEMS成长潜力值得期待。   台积电于上周举办技术论坛中对于MEMS市场相当看好,指出进入MEMS市场到现在为止已有7年,当中已累计出多项制程及IP技术,除此之外,台积电更已可提供标准制程(StandardProcess),让MEMS客户可安心至台积
  • 关键字: 中芯国际  MEMS  IP  CMOS  SoC  

MEMS市场继续增长机会多

  •   按Yole Developpement报道,全球MEMS工业正面临之前从未有过的停滞,2008年的销售额下降2%,达68亿美元,其2009年非常可能增长率小于1%。然而当汽车电子,工业压力传感器及打印头市场随着全球经济下滑时,许多新的MEMS应用却得到切实的增长。   MEMS在消费类电子产品中,如加速度计,陀螺仪的市场继续看好,推动供应商如STMicron(日内瓦),Invensense(加州桑尼威尔),其销售额有10-30%增长。随着MEMS在医疗电子和诊断设备的应用扩大,其市场继续增大。今年新
  • 关键字: MEMS  传感器  CMOS  芯片堆叠封装  TSV  纳米印刷  

台积电MEMS苦练7年 2010年进入收成期

  •   台积电在MEMS领域历经7年苦练后,与客户关系由接受指导,转变成共同合作开发,台积电主流技术事业发展处处长刘信生自信表示,台积电MEMS将迎头赶上国际IDM厂商脚步,相信2010年台积电MEMS将进入收成期。   刘信生在出席台积电技术研讨会时指出,台积电在MEMS上布局已有7年左右,经过几年努力,相信已可迎头赶上IDM大厂。台积电现已能提供多种标准制程模块(Process Module)供客户使用,包含蚀刻模块、掏空模块等,MEMS客户至台积电投产,仅需针对MEMS产品内部架构设计,其余交给台积电
  • 关键字: 台积电  MEMS  CMOS  晶圆代工  

台积电抢进电源IC 市场潜力160亿美元

  •   不仅扩充先进制程研发、产能,台积电主流制程技术也将积极抢攻整合组件厂(IDM)的电源管理IC市场,台积电主流技术事业发展处长刘信生表示,目前台积电在电源管理IC约150亿~160亿美元市场市占率约个位数,绝大部分市场由IDM业者把持,不过未来他看好IDM业者产能不足情况下转单到晶圆代工的可能性,同时也将全力扶持台湾IC设计客户抢进此一市场。   刘信生表示,在电源管理市场规模约150亿~160亿美元中,几近8~9成是由IDM业者所把持,目前台积电不论在设计环境与制程平台上都已做足准备,积极抢攻此市场
  • 关键字: 台积电  电源管理IC  IDM  CMOS  

一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设

  • 采用恒流源充放电技术,以比较器为核心,利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号,设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器,振荡频率在1~1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明,该方案能够在1~1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC/DC转换器的噪声性能。
  • 关键字: CMOS  随机数发生器  扩展频谱  振荡器    

基于摄像头的赛道信息处理和控制策略实现

  •   在去年的Freescale全国大学生智能车大赛中,赛道信息检测方案总体上有两大类:光电传感器方案和摄像头方案。前者电路设计简单、信息检测频率高,但检测范围、精度有限且能耗较大;后者获取的赛道信息丰富,但电路设计和软件处理较复杂,且信息更新速度较慢。在比较了两种方案的特点并实际测试后,我们选择了摄像头方案。本文将在获得摄像头采集数据的前提下,讨论如何对数据进行处理和控制策略的实现。   数据采集   我们选择了一款1/3?OmniVision?CMOS摄像头,用LM1881进行信号分离,结合AD采样
  • 关键字: 飞思卡尔  智能车  传感技术  CMOS  摄像头  

韩国半导体代工厂MagnaChip已申请破产保护

  •   Thomson Reuters12日报导,法院相关文件显示,南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导,MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元,负债则超过10亿美元。   2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混合信号制程的专业半导体代工厂商,且为力旺于韩国首位取得合作的半导体代工策略
  • 关键字: Magnachip  CMOS  传感器  液晶显示器驱动芯片  微控制器  

NEC和东芝将扩展与IBM的芯片技术协议

  •   NEC电子公司(NEC Electronics Corp.)和东芝公司(Toshiba Corp.)同意扩展与IBM Corp.的研发协议,允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。   这三家公司18日表示,两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体 (CMOS)技术。在IBM纽约州East Fishkill的工厂,该团队还将包括Infineon Technologies和三星电子公司(Samsung Electronics Co.)。   东芝公司2007年12月加
  • 关键字: NEC  CMOS  28纳米  半导体  

高性能小型化成霍尔传感器未来发展方向

  •   霍尔传感器是一种基于霍尔效应的器件,它能实现磁电转换,可用于检测磁场及其变化。   霍尔效应虽然在1879年才被发现,但是直到20世纪50年代才出现了对其的应用,然而器件成本很高。1965年,人们开始将霍尔传感器集成进硅芯片中,从而促进了霍尔器件的应用。   经历三大发展阶段   霍尔器件的发展大致可分为三个阶段:   第一阶段是从霍尔效应被发现到20世纪40年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大,霍尔效应十分微弱而没有引起人们的重视。到了1910年,有人用金属铋制成霍尔元件作为磁场传感器
  • 关键字: 霍尔传感器  CMOS  A/D转换器  总线接口  
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