本周美光宣布,采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15%,存储密度提升35%以上,单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。一个值得关注的点是,美光称,1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。这意味着相较于三星、SK海力士,美光需要更复杂的设计方案。毕竟,DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力,各公司目前通过不断缩小电路
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美光 EUV 光刻技术
本周美光宣布,采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15%,存储密度提升35%以上,单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是,美光称,1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。 这意味着相较于三星、SK海力士,美光需要更复杂的设计方案。毕竟,DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力,各公司目
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美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
近期,全球半导体龙头设备企业阿斯麦(ASML)、泛林(LAM)公布了其最新一季度财报,阿斯麦方面,最新一季度销售额和利润均超出市场预期,其新的净预订额也创下了纪录。此外阿斯麦CEO Peter Wennink表示,ASML有望继续向中国出货非EUV光刻机;泛林方面,当季公司营收创下历史新高,官方表示,2023年晶圆厂设备支出将下滑。ASML:有望继续向中国出货非EUV光刻机10月19日,光刻机大厂阿斯麦公布了2022年第三季度财报。数据显示,ASML第三季度净营收同比增长10%至58亿欧元,超出此前业界预
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ASML EUV 光刻机 泛林
微影设备业者ASML第一季已完成136台极紫外光(EUV)曝光机出货,累计超过7,000万片晶圆完成EUV曝光。随着EUV微影技术推进,预期2025年之后新一代EUV曝光机每小时曝光产量可达220片以上,以因应客户端先进制程推进至埃米(Angstrom)世代对先进微影技术的强劲需求。虽然2023年半导体市况能见度低且不确定性高,但包括台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光等全球前五大半导体厂仍积极投资EUV产能,加上制程推进会带动光罩层数增加,法人乐观看好家登、帆宣、公准、意德士(等EUV概念股明年营运将
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微影技术 ASML EUV
在美国拼命打压中国之际,荷兰光刻机巨头ASML却相反,根据该公司透露的消息,ASML今年将在中国招聘200多名员工,以跟上中国的增长步伐,这意味着ASML 在华员工人数已超过 1500 人,占ASML公司全球员工的14%。那么,ASML到底想干什么呢?首先,ASML公司是想赚钱,虽然台积电、三星等买去了荷兰ASML公司的大部分EUV光刻机,但ASML公司可以在中国销售DUV等光刻机。而且,2021年ASML的第一大客户就是中国大陆芯片企业,中国大陆芯片企业为ASML贡献了超过290亿美元,而中国台湾和韩国
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ASML EUV
泛林集团 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一项战略合作,将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品,用于下一代半导体生产所需的、泛林突破性的极紫外 (EUV)干膜光刻胶创新技术。三方将合作对未来几代逻辑和 DRAM 器件生产所使用的 EUV 干膜光刻胶技术进行研发,这将有助于从机器学习和人工智能到移动设备所有这些技术的实现。
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泛林集团 EUV 干膜光刻胶
毫无疑问,如今国内芯片厂商面前最大的障碍就是EUV光刻机,不过EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径,但并非唯一解。 对于国内厂商来说,当前在3D NAND闪存的发展上,就因为不需要EUV机器,从而找到了技术追赶的机会。而在DRAM内存芯片领域,尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F2 DRAM架构问世。他指出,基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F2
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芯片 EUV 光刻机
5 月 29 日消息,半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术,而新的高数值孔径 EUV 光刻(High-NA EUV)技术将会比这更快。目前,最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺,下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术,而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说,它们大都具有 0.33 NA(数值孔径)的光学器件,可提供 13 nm 分辨率。目前来看,这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm)
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EUV 光刻机 ASML
Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布,首次上了性能+能效的异构设计,今年的13代酷睿代号Raptor Lake,下半年发布,属于12代的改进版,明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改,升级Intel 4工艺,也是Intel首个EUV工艺。 14代酷睿的架构也会大改,第一次采用非单一芯片设计,弹性集成多个小芯片模块,包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元,而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封
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英特尔 EUV 4nm
半导体设备大厂应用材料推出多项创新技术,协助客户运用极紫外光(EUV)持续进行2D微缩,并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极(Gate-All-Around,GAA)晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术,使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。另一种是使用设计技术优化(DTCO)与3D技术,巧妙地藉由优化逻辑单元布局来增加密度,而不需要改变微影间距。第二种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管,随着传统2D微缩技
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应用材料 EUV 2D微缩 3D环绕闸极 晶体管
ASML公司虽然是荷兰企业,但不少网友都把ASML公司“美”化了,这里的“美”指的是美国。在华为遭遇到芯片封锁之前,中国半导体企业就曾向ASML公司支付了定金,采购了一台EUV光刻机。然而,ASML公司却迟迟没有发货,这也引起了网友的各种猜疑。众所周知,全世界只有ASML公司能够生产EUV光刻机,而一部EUV光刻机上就有超过10w的精密零件,各方面的技术也是来自全世界各国的顶尖技术。所以ASML公司的光刻机一直是供不应求。但明明已经收了定金,10亿一部的EUV光刻机,ASML公司为何有生意不做呢?大部分的
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EUV ASML 光刻机
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EUV 光刻机 俄罗斯 叠加芯片
通用汽车(GM)已经恢复了2022款雪佛兰Bolt EV和EUV的生产,现在它们可以获得新电池组的供应,而这些电池组应该不会有火灾隐患。此前,雪佛兰Bolt因潜在的电池火灾而被召回,该次召回影响到了所有的车型,导致Bolt EV和EUV汽车的生产自去年8月起完全冻结。“我们的目标是恢复并坦率地说超过业务指标,”雪佛兰营销副总裁Steve Majoros在昨日的新闻电话会议上说道。Bolt的复出计划包括赶上新的2022款Bolt EV和EUV订单(2023年的订单将于7月开始)、将在MLB开幕日投放的新电视
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EUV 雪佛兰
(原标题:光刻机巨头阿斯麦CEO:不卖EUV给中国大陆“是政府们的选择”)【文/观察者网 吕栋】“这不是我们的选择,而是政府们(《瓦森纳协定》成员国)的选择。”日前,荷兰光刻机巨头阿斯麦CEO温彼得再次就向中国大陆出口EUV光刻机一事解释道。他今年1月曾表示,中国不太可能独立复制出(replicate)顶尖的光刻技术,但也别那么绝对,“他们肯定会尝试”。观察者网注意到,由于最先进的EUV设备无法向中国大陆出口,温彼得自2021年以来曾多次发声。2021年4月,他曾喊话美国政府,对华出口管制不仅不能阻碍中国
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阿斯麦CEO EUV 光刻机
前不久的Intel投资者会议上,英特尔发布了先进工艺的路线图,从去年的Intel 7工艺开始一路推进到Intel 18A工艺,酷睿处理器从12代一直持续到16代酷睿,甚至17代酷睿都在准备中了,2025年上市。 不仅工艺规划的很好,而且这一次Intel更有信心,因为多代工艺实际上提前量产了,具体如下:Intel
4工艺是Intel第一个
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EUV Intel 先进工艺
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