宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
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EPC GaN FET 激光二极管
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。在设计现代消费级 USB Type-C 移动充电器、PC 电源和电视电源时，面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。德州仪器的低功耗氮化镓 (GaN) 器件有助于在各种最流行的拓扑中解决这一问题，同时提供散热、尺寸和集成方面的优势。在过去的几十年里，随着 GaN 等宽带隙技术的发展，交流/直流拓扑
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TI GaN 电源拓扑
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月
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瑞萨 Transphorm GaN
近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界试图通过新一代材料解决上述问题。据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大学的科学家们成
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GaN 散热能力
尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步，但对于许多应用来说，完全不依赖纯电池设计可能是不可行、不适用和无法接受的。医疗系统就属于这类应用。相反，设备通常必须直接通过 AC 线路运行，或至少在电池电量不足时连接 AC 插座即可运行。除了满足基本的 AC/DC 电源性能规范外，医用电源产品还必须符合监管要求，即满足电隔离、额定电压、泄漏电流和保护措施 (MOP) 等不那么明显的性能要求。制定这些标准是为了确保用电设备即使在电源或负载出现故障时，也不会给操作员或病人带来危险。与此同时，医疗电源的设计者必须不断提地
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DigiKey GaN AC/DC
高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。功率级尺寸 65 x 4
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TI GaN 图腾柱 PFC TIDA-00961 FAQ
PC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ，包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间，EPC的技术专家将于1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。氮化镓技术正在改变大批量消费应用的关键领域包括：推动人工智能
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宜普电源 CES 2024 氮化镓 GaN
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂，怎么做到的？宽禁带材料的优势主要体现在：✦ 与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度，更高的击穿
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GaN 宽禁带 SiC
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利，是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管（EPC2204）, 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之间实现了最佳折衷，这对于要求严格的硬开关应用至关重要，同时在紧凑的封装中实现100 V的漏-源击穿电压。这种紧凑型设计显着缩小了PCB的尺寸，保持较小的电流环路和最大限度地减少EMI。
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Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化镓器件 GaN
RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下
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Qorvo GaN 功率放大器
当地时间11月13日，冲电气工业株式会社（OKI）与信越化学合作，宣布成功开发出一种技术，该技术使用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，从信越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材该技术实现了GaN的垂直导电，有望为可控制大电流的垂直GaN功率器件的制造和商业化做出贡献。两家公司将进一步合作开发垂直GaN功率器件，并与制造这些器件的公司合作，让这些器件能应用到实际生产生活中。GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，尤其在1800
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GaN 垂直导电 OKI
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。相比于生成工艺复杂的SiC，GaN的生成工艺相对成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封装，因此非常适合在各种消费级和工业级开关功率应用。当然，相比SiC在高压领域的出色表现，GaN在高压的表现并不突出。因此，作为目前GaN市场占有率最高的Power Integrations（PI）创新地将GaN开关的耐压上限提升到1250V，再次为GaN开关的应用填补了新的耐受电压领域。 PI的PowiGaN已经在超过60个的市场应用中
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1250V PI PowiGaN GaN
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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Transphorm 氮化镓 GaN
基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率（比功率）增加了一倍以上。该逆变器非常微型，可集成到电机外壳中，从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V，可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人
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EPC GaN FET 电机驱动器
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