- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在无线基站中的应用 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军中功率市场。
可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。
台达电技术长暨总
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SiC GaN
- 看好中国半导体行业未来持续的蓬勃发展，工艺控制与成品率管理解决方案提供商KLA-Tencor (科天)透过半导体检测与量测技术，以最快的速度及最有效的方式 ，帮助客户解决在生产时面对的良率问题。KLA-Tencor立志于帮助中国客户一起提升良率，降低生产成本，提高生产效率，并与中国半导体行业一同成长。 KLA-Tencor中国区总裁张智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，现于全球17国拥有6000多位员工。2016财年，KLA-Tencor营收表现来到30亿美元。从硅片检
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KLA-Tencor IC
- 国内IC业近年来热闹非凡，隔三差五某个收购、某个新项目开工的消息此起彼伏，大基金和社会资本的注入、老牌企业的横纵联合、新兴企业的雨后春笋，让人难免生出“春风得意马蹄急”的感觉。
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集成电路 IC
- 市场研调机构Transparency Market Research(TMR)最新研究报告指出，科技进步正在塑造全球电源管理IC市场动态，可配置性和可程式性方面的创新则在推动全球电源管理IC市场成长。汽车产业和消费性电子产业对先进系统的需求尤其明显。TMR预估，2013~2019年，全球电源管理IC市场年复合成长率(CAGR)将达6.1%。
根据openPR报导，TMR最新研究报告详细分析全球电源管理IC市场的创新趋势和其他主要趋势，并深入分析这些趋势对各区域市场成长的影响，并以应用、产品类型和
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电源管理 IC
- 随着设计采用奈米微缩制程的演变，与 IC 设计复杂度与设计规模日趋复杂，嵌入式内存在各项产品的需求比重愈来愈高，内存缺陷成为影响芯片良率的变因之一，因此内存测试解决方案的重要性也与日俱增，尤其是车用电子及物联网(IoT)的相关产品，更需要内建自我测试技术(MBIST, Memory Built-In Self-Test);而车用电子产品对于其可靠性与安全性已被 ISO26262 规范，其内存自我检测(MBIST, Memo
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物联网 IC 设计
- 中国半导体产业要实现跨越式发展，就要迅速成就一批行业的龙头企业，这不是一件容易的事，需要有一个漫长的培育过程，中国IC产业已走出萌芽状态，进入成长阶段。在这个跳跃性的成长中，对研发投入的标准会越来越高，对技术创新的要求也会越来越高。
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IC 集成电路
- IC与驱动电路四对分立器件互补管及RM8Z磁芯电路图图IC与驱动电路四对分立器件互补管及RM8Z磁芯电路图驱动电路及RM8Z变压器绕组实际参数见图。
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IC 驱动电路 分立器件 互补管 磁芯电路
- 松下被动元件展区，松下位于德国的器件解决方案部门被动元件团队产品市场经理Mustafa Khan介绍了electronica期间刚刚问世的导电性聚合物混合铝电解电容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更优，例如比ZC系列更高的容量和高纹波电流。 ZK和ZC产品在125C下可工作4000小时。三种类型产品都有更低的ESR(等效串联电阻)和LC，可用于LED、汽车、电力电子、电信等场合。 松下集团汽车&工业系统公司介绍了其网上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
- 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。
该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz，支持芯片级设计，通过K频段应用提供频率更
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Qorvo GaN
- 类比工程师的转职活动在近来确实大幅减少，很多大型类比半导体供应商虽然在整并之后规模变得更大，但目前仍在业务/人员盘点阶段…
大型类比半导体厂商近来为寻求“成本协同效应”而掀起的整并风潮，可能造成各家厂商的职位缩减并对工程师们带来影响;对此在类比技术领域的知名人才招募网站Analog Solutions总裁暨创办人Gary Fowler表示，类比工程师确实找工作会更困难，很多公司的人才招募已经冻结，而这一切都拜企业整并之赐。
Fowler指出，类比工程师
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IC 博通
- 到2015年， 高亮度(HB)LED的市场规模预计将达到202 亿美元( 数据来源：Strategies Unlimited)。驱动这种增长的关键应用领域之一是汽车设计中使用的LED，包括
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LED驱动器 IC 前灯
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