- IC设计行业正在发生变化，未来真正的“中国芯”——以中国制造为主、供应内需市场将是大势所趋。
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IC 晶圆
- 通信、汽车驱动市场增长，国有品牌竞争力提升
市场规模继续扩大，增速较2015年有所回升
2016年，中国电子信息制造业生产总体平稳，增速有所加快，受此影响，中国功率器件市场规模持续扩大，市场规模预计达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。
通信、汽车成为2016年市场增长亮点
从下游应用产品的需求来看，通信和汽车领域是推动功率器件市场增长的主要驱动力。
从通信主要产品产量来看，1-10月，我国生产手机17亿部，同比增长19.9%，其中智能手机12
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功率器件 GaN
- 调研机构IC Insights表示，有别于2010年之前，现今全球IC产业成长深受全球经济发展状况影响。诸如利率、石油价格、财政激励等外在经济环境因素都会成为影响IC市场规模成长的重要因素。
该机构表示，在2010年之前，IC产业市场周期主要是受到如业者资本支出、IC产能，以及产品价格等因素影响。
根据1992年以来全球生产毛额(GDP)年增率与IC市场规模年增率资料，在1992~2010年期间，全球GDP年增率与IC市场规模年增率呈现出不规则变化，并且彼此间也没有显现出相关性。
然
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IC
- 中国大陆拥有庞大IC产品需求市场，但自给自足率却明显偏低，必须高度仰赖海外IC产品进口。为此中国国务院于2015年3月发起“2025年中国制造”(MIC 2025)计划，目标到了2020年达到4成的IC产品自给自足率目标，到了2025年更要达到7成水准。不过市调机构IC Insights分析认为，这项目标恐难达成，而技术落差也成为现阶段大陆IC产业发展面临的最主要困境。
国家层级IC产业供需自给自足的迷思
根据IC Insights报导指出，现实情况下在整体IC产业
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IC DRAM
- 虽然收购恩智浦的标准件业务让建广资本声名鹤立，但绝不是一战成名。鲜为人知的是，建广资本已经在一系列产业投资与跨国并购中取得了斐然的成绩。
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NXP IC
- 据紫光集团官网，紫光南京半导体产业基地及新IT投资与研发总部项目在南京正式签约。
紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩，总投资超300亿美元。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。
除投资额300亿美元的芯片工厂建设外，紫光集团还将投资约300亿元人民币建设配套IC国际城，包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施。
新IT投资与研发总部项目，由紫光集团旗
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紫光 IC
- 在我国绿色能源产业发展的推动下，功率半导体已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行创新驱动发展战略的重要支撑。
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功率半导体 GaN
- 如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。
然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色
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功率半导体 GaN
- 充电和电池管理对智能手机来说，仍是关键的功能，未来多年将持续有创新。有线和无线充电的改进可能大大扩展便携式产品的使用，我们不断提升此功能的极限。充电系统要求供电产品(如壁式适配器)或无线充电发射器和接收器(如智能手机和平板电脑)的设计都具高能效。安森美半导体专注于这两大应用，提供完整、优化和高能效的充电方案，以满足所有这些产品的功率要求。 市场对于更快充电时间、更大电池容量和更小适配器的要求，把智能手机和平板电脑的供电能力推到传统半导体器件不可行的地步。新一代系统将需要氮化镓(GaN)方案取代传统M
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安森美 GaN
- 随着紫光集团有限公司一次出资协议公开，到目前为止，中国半导体行业(也被称为IC产业)最大一笔投资落地。
日前，紫光集团对外公布，计划通过其下属控股子公司紫光控股，与长江存储现有股东共同出资设立长江控股以实现对长江存储的控制，其中，紫光控股出资197亿元，占长江控股注册资本的51.04%，担任长江存储的控股股东。
“这是我国IC产业目前落地的最大规模项目。”一位立足湖北的券商研究员对21世纪经济报道记者表示，近几年来，中国加大对IC产业的政策扶持，特别是在资金方面的投
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5G IC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
- 关键字：
GaN SiC
- IC卡型H8/310系列单片机H8/310SeriesMicrocomputer
- 关键字：
IC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
- 关键字：
GaN SiC
- MACOM GaN在无线基站中的应用 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
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