美国半导体研调机构IC Insight最新调查指出，去年全球IC市场市占率排名，美国以55%稳居榜首，且不论是垂直整合厂(IDM)或IC设计厂商、无晶圆厂(fabless)皆领先全球，台湾居第四，次于韩国与日本，但此调查未纳入晶圆代工销售。
无晶圆厂包括联发科、智原等IC设计与设计服务厂商，由于全球智慧手机成长快速，这几年IC设计厂主战场已从电脑转到行动装置，也让手机销售量大的中国大陆，可藉市场的快速成长扶植IC设计厂商。
IC Insight表示，中国大陆半导体全球市占率虽然只有3%，但
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IC 晶圆
日本东京大学光学系统研究科物理工学专业教授古泽明领导的研究小组宣布，成功将在采用光的“量子隐形传态(Quantum teleportation)”中起重要作用的光学回路集成到了硅芯片上。可以说这向实现量子门方式的量子计算机迈出了一大步。
量子隐形传态是利用量子纠缠状态遥传多种量子态中的一种状态的方法。由于看上去像量子态瞬间移动，因此被叫做隐形传态。
古泽的研究小组正在研究将这种量子隐形传态应用于量子计算机的基本元件。具体是将量子隐形传态的原理用作对任意量子态进行运算
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量子运算 IC
未来几年将是集成电路的整合年，这意味着市场竞争会越来越惨烈，不好的公司肯定都会出局，有些小的公司会被并购。这些都将是常态。
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IC
台湾IC设计业去年全球市占率约18%，位居第2;中国大陆IC设计业急起直追，全球市占率已攀高至9%，位居第3大。
据研调机构IC Insights调查，美国去年整体IC全球市占率达55%，稳居全球霸主地位;其中，整合元件制造(IDM)部分全球市占率约52%，IC设计业全球市占率达63%，双双高居全球龙头。
南韩与日本IC业以IDM厂为主，去年IDM全球市占率分别达26%及12%，分别位居全球第2及第3位;南韩与日本IC设计全球市占率都不到1%。
南韩去年整体IC全球市占率约18%，位
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NXP IC
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
2014年，在国家一系列政策密集出台的环境下，在国内市场强劲需求的推动下，我国集成电路产业整体保持平稳较快增长，开始迎来发展的加速期。随着产业投入加大、 技术突破与规模积累，在可以预见的未来，集成电路产业将成为支撑自主可控信息产业的核心力量，成为推动两化深度融合的重要基础。
(一)产销保持稳定增长
2014年，我国重点集成电路企业主要生产线平均产能利用率超过90%，订单饱满，全年销售状况稳定。据国家统计局统计，全年共生产集成电路1015.5亿块，同 比增长12.4%，增幅高于上年7.1个百
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IC 集成电路
英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
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英飞凌 松下 GaN
卢顿……动力管理公司伊顿已经发布其全新白皮书《Ex ic——本安的全新保护级别》;本白皮书能够帮助用户和制造商对Ex ic有进一步了解，Ex ic是一种最新的本安防护等级，它可以对电气设备在易燃易爆环境中进行保护。本书作者为伊顿Crouse-Hinds部门培训和技术顾问Phil Saward。Phil Saward在危险区域产品和应用方面拥有25年的丰富经验，并且还在多个FOUNDATION现场总线委员会内任职。
Phil Saward说道：&
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伊顿 Ex ic
氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射频
目前中国承担着“世界制造工厂”的角色，据2013年统计中国生产了11.8亿台手机，占全球的74.7%，及3.54亿台PC，占全球的86.6%，以及1.38亿台彩电，占全球的52.3%。
而中国的消费市场十分巨大，据2013年统计，共销售8100万台PC，3.75亿支手机，2000万辆汽车及5600万台彩电。
因此据IC Insight统计，中国是全球最大的IC消费市场，2014年真正在中国消耗的IC达约1000亿美元。业界总是传说中国年进口IC达2300亿美元，实际
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逻辑芯片 IC
研调机构IC Insights预估，2009~2019年间的近十年，受益于在物联网的大趋势中，人们大量透过行动、无线装置来分享资料，全球IC产值可望缴出4.1%的年复合成长率。
回顾过去IC产业的兴衰，IC Insights指出，在1980年代受益于PC崛起并带动PC DRAM的强劲需求，全球IC产值在1980~1989年间一度缴出16.8%的傲人年复合成长率(CAGR)。而在1990~1999年的十年间，英特尔与超微则在谁能提供效能最强大的PC处理器上你争我夺，加上微软平均2~3年就推出新一代
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IC 物联网
2014年四季度中国TMT行业海外并购出现两大标志性事件——1200亿元规模的国家IC大基金首笔投资落地，令半导体行业在中国TMT行业海外并购中拔得头筹;百度战略投资Uber一案，则会对BAT的竞争格局产生重大影响。
根据晨哨发布的《2014年第四季度中资海外并购报告》，四季度中国TMT行业共发生海外并购14起，其中12起披露了交易金额，涉及金额为25.83亿美元，环比缩水78.89%。据了解，造成2014年四季度TMT行业海外并购大幅缩水的主要原因在于大额交易的大幅减少
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