随着半导体产业向22纳米技术节点外观的发展，一些制造商正在考虑从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡。相对于平面晶体管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效应。当平面晶体管的栅极在沟道之上，FinFET的栅极环绕沟道，从双向提供静电控制。
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SOI 体硅 FinFET
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulk process)进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时，SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。
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ARM 45纳米 SOI
据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
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ARM 45nm SOI 测试芯片
在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平，预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。
据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平，而且已经进入正式量产阶段，在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划，32nm SOI制程将在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
法国SOI技术公司Soitec公布2009-2010财年第一季度销售额为4390万欧元(约合6190万美元)，环比增长22.3%，同比减少27.2%。
6月，Soitec在收到了主要客户的急单之后，大幅上调了第一财季的预期，预测第一季度销售额环比增长20%。
第一季度，Soitec称晶圆销售收入为4110万欧元(约合5790万美元)，环比增长30.8%。其中300mm晶圆占了84%的份额，环比增长35%。
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SOI 晶圆
Global Foundries再度展开挖角，继建置布局营销业务、设计服务团队之后，这次延揽建厂、厂务人才并将目标锁定半导体设备商，Global Foundries预计2009年7月破土的Fab 2正在紧锣密鼓策画中，这次延揽的Norm Armour原属设备龙头应用材料(Applied Materials)服务事业群高层，而Eric Choh则是原超微(AMD)晶圆厂营运干部，两人都熟稔晶圆厂设备系统与IBM技术平台。
Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是为了积极筹备位于纽
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GlobalFoundries 晶圆 半导体设备 SOI
Global Foundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于纽约Fab 2将于7月破土，专攻28纳米制程已以下制程技术，未来将持续延揽来自各界半导体好手加入壮大军容，同时他也指出，目前45/40纳米良率水平成熟并获利可期，2009年底前Fab 1将全数转进40/45纳米制程。Global Foundries表示，在晶圆代工领域台积电虽是对手之一，但真正的目标(Bench Mark)其实对准英特尔(Intel)。
竞争对手台积电45/40
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GlobalFoundries 40纳米 晶圆代工 SOI
新闻事件：
韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影响：
将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场
LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd，将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。
合
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英飞凌 IGBT CIPOS 射极控制二极管技术 SOI
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构，该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层，采用源漏浅结扩散，形成体接触的侧面引出，适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE一TCAD三维器件模拟结果表明，该结构具有较小的体引出电阻和体寄生电容、体引出电阻随器件宽度的增加而减小、没有背栅效应。而且，该结构可以在不增加寄生电容为代价的前提下，通过适当的增加si膜厚度的方法减小体引出电阻，从而更有效地抑制了浮体效应。
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SOI 器件
据EE Times网站报道，旨在推进SOI晶圆应用的产业组织SOI联盟（SOI Consortium）宣布，比利时研究机构IMEC已加入协会作为学术会员。
IMEC是一家独立的纳电子研究中心，已在SOI技术领域积极开展研究超过20年。IMEC开展的合作性CMOS微缩研究较商用制造水平超前2至3个节点。IMEC不仅研究SOI相关的器件原
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SOI 晶圆 IMEC
由上海市集成电路行业协会举办的“集成电路产业材料本土化合作交流会”2月17日在张江休闲中心召开。来自上海新阳半导体材料有限公司、安集微电子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海华谊微电子材料有限公司等集成电路材料企业就高纯CU电镀液、SOI外延片、CMP抛光液、清洗液及高纯化学试剂等新材料、新工艺做了介绍。会上近60位长三角地区晶圆制造企业代表参与并就四个报告进行交流。
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集成电路 SOI CMP
网络电子系统在汽车和工业应用中日益得到广泛部署，飞利浦采用独特的新型绝缘体上硅芯片(SOI)技术推出的控制...
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SOI CAN EMC 汽车电子
访NXP 高级副总裁兼首席技术官 Rene Penning de Vires
当人们在逐步习惯使用车用遥控门锁（Remote Keyless Entry）打开车门的时候，也在慢慢淡忘曾经的手动金属钥匙。将来，被称作“驶向未来的钥匙”的智能钥匙又会怎样简化汽车的驾乘？
智能钥匙其实是采用了NFC(近距离无线通信)、GPS无线技术和显示技术的智能卡。可以通过显示屏直观地显示汽车停泊的位置、安全状态等等信息，并且可以打造成一个非接触式支付的多功能钱包。智能钥匙通过无线网络将驾
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RKE NXP NFC 磁阻传感器 车载网络 SOI
汽车中使用的电子器件数量在不断增多，而且这一趋势也开始出现在一些由于环境恶劣而通常难以使用具有成本效益 ...
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汽车电子 SOI
近日，北京大学微电子学研究院教授何进博士的喜接美国电子和信息技术联合会 (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的国际集成电路模型标准化委员会（CMC： Compact modeling Council）的主席邀请函，邀请何进教授参加于6月5日到6日在美国波士顿举行的关于新一代SOI 集成电路国际标准模型选择的CMC会议， 携带北京大学自主研发的新SOI电路模型竞争高科技IT技术—纳米
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北大 微电子 SOI
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