Teledyne LeCroy 今天发布业界首个CAN FD触发和解码解决方案，进一步丰富了已有的汽车电子测试工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD触发和解码功能可以帮助设计者洞察被测系统，将物理层信号和协议层数据同时显示在一个界面上。CAN FD触发功能可以隔离Frame ID、特定数据包、remote frames 以及 error frames。解码功能运用不同颜色的背景叠层，清晰标识出数据不同的帧结构，允许用户快速识别出诸
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力科 CAN FD Frame ID
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IBM RF芯片 代工升级 制程技术 SiGe SOI
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱，今天，在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS Global 1是单一平台的设计──
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Peregrine 射频 SOI
针对SOI二极管型非制冷红外探测器，设计了一种新型读出电路(ROIC)。该电路采用栅调制积分(GMI)结构，将探测器输出电压信号转化为电流信号进行积分。设计了虚拟电流源结构，消除线上压降(IR drop)对信号造成的影响。电路采用0.35μm 2P4M CMOS工艺进行设计，5V电源电压供电。当探测器输出信号变化范围为0~5mV时，读出电路仿真结果表明：动态输出范围2V，线性度99.68%，信号输出频率5MHz，功耗116mW。
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红外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布开发出一种带MIPI®RFFE接口的SP10T射频天线开关，其插入损耗堪称智能手机市场业界最低，尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。
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东芝 射频天线 SOI
电子技术的变革，让人们的生活不断智能化，智能化手机，电视，家居，汽车甚至机器人和人体辅助设备等。意法半导体追寻的理念就是科技引领智能生活，意法半导体执行副总裁兼数字融合事业部总经理GIAN LUCA BERTINO，论述ST在智能电视和智能化家居方面的企业战略及技术演进。
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ST 机顶盒 多媒体处理器 FD-SOI
随着智能手机功能最近不断升级演化，消费者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主频CPU处理器、令人震撼的3D图形、全高清多媒体和高速宽带现已成为高端手机的标配。同时，消费者还期望手机纤薄轻盈，电池续航能力至少
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助力 平台 NovaThor 下一代 FD-SOI:
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。
根据SOI Consortium执行总监Horacio Mendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14nm FD-SOI技术问世的时间点约与英特尔 (Intel)的14nmFinFET相当，而两者的性能表现差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
12月13日，意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池的使用寿命的情况下，嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战，满足多媒体和便携应用市场的需求。
FD-SOI技术平台包括全功能且经过硅验证的设计平台和设
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ST 晶圆 FD-SOI
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布其在28纳米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。
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意法 纳米 FD-SOI
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。第二代工艺的推出显示了华润上华已经全面掌握了SOI工艺技术，具备了根据市场需求持续开发具有自主知识产权的SOI工艺技术能力。
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华润微电子 半导体 SOI
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。
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华润上华 SOI CDMOS
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设
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意法 芯片 FD-SOI
CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源，CCFL是传统的背光方式，而LED作为LCD背光的后起之秀，正在迅速抢占LCD背光市场。电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视，原因在于全球各国的耗电量规定以及其环保
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TV 背光 方案 成本 LED 降低 200V SOI 工艺 有效 利用
随着智能功率IC的发展.其应用领域和功能都在不断地扩展。而作为智能功率IC中的重要一类栅驱动IC在功率开关、显示驱动等领域得到广泛应用。在栅驱动电路中需要电平位移电路来实现从低压控制输入到高压驱动输出的电平转
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电平 位移 电路设计 技术 集成 SOI 高压 基于
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