elitesic mosfet 文章 进入elitesic mosfet技术社区
恩智浦与日立能源合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用
- 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布与日立能源合作，加快碳化硅（SiC）电源半导体模块在电动交通领域的采用。此次合作项目为动力逆变器提供基于SiC MOSFET的解决方案，更高效可靠且功能安全，该解决方案由恩智浦先进的高性能GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成。产品重要性电动汽车厂商采用SiC MOSFET动力器件，可比采用传统硅IGBT获得更高的续航里程，提高系统整体效率。SiC MOSFET功率器件带有高性能功率
- 关键字： MOSFET
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
- 离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以
- 关键字： MOSFET
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱
- 关键字： MOSFET
Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
- InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率
- 关键字： InnoSwitch™3-AQ 碳化硅 MOSFET 电动汽车 牵引逆变器
大功率电池供电设备逆变器板如何助力热优化
- 电池供电电机控制方案为设计人员带来多项挑战，例如，优化印刷电路板热性能目前仍是一项棘手且耗时的工作；现在，应用设计人员可以用现代电热模拟器轻松缩短上市时间。
- 关键字： MOSFET
elitesic mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条elitesic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对elitesic mosfet的理解，并与今后在此搜索elitesic mosfet的朋友们分享。 创建词条
欢迎您创建该词条，阐述对elitesic mosfet的理解，并与今后在此搜索elitesic mosfet的朋友们分享。 创建词条
elitesic mosfet电路
elitesic mosfet相关帖子
elitesic mosfet资料下载
elitesic mosfet专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473