- 三星电子(Samsung Electronics)有望独家供应20纳米DRAM给苹果(Apple)新款iPhone，据Digital Times报导，苹果正考虑独家采用三星先进制程之Mobile DRAM与NAND Flash。
苹果之前从英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)等多家记忆体厂进行采购，但由于三星的技术与竞争对手差距拉大，而陷入策略思考中。
三星日前刚发表采用20纳米制程生产的8GB LPDDR4 Mobile DR
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三星 英特尔 DRAM
- 研调机构顾能(Gartner)初估，2014年全球半导体产值达3398亿美元，年增7.9%。
顾能表示，动态随机存取记忆体(DRAM)供应商去年营运表现超过整体半导体产业水准。
顾能指出，受惠市场供不应求及价格持续稳定，去年DRAM市场产值大增31.7%;记忆体市场去年产值成长16.9%，是带动去年半导体产业成长的最大动力。
去年不计记忆体的半导体产值年增5.4%，远比2013年成长0.8%佳。
据顾能统计，英特尔(Intel)去年营收达508.4亿美元，蝉联全球半导体龙头地位
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DRAM 英特尔 高通
- 韩系半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持续扩大尖端DRAM和NAND Flash产线，2014年受到半导体市场荣景带动对产线投资而荷包满满的设备业者，预期2015年也将迎来亮眼的业绩。
据ET News报导，三星和SK海力士2015年可望为扩充DRAM、NAND Flash、系统芯片产线而执行投资。因转换微细制程，导致生产量减少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17产线将于201
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三星 SK海力士 DRAM
- 三星电子和世界顶级的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片，此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金。据美国一位对冲基金负责人表示，三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元的投资，改善产品结构，适应市场状况，调整市场的供求平衡。
据悉，一些对冲基金和市场投资机构都纷纷看好三星电子和SK海力士的未来发展。按照投资计划，三星电子计划投资3.5万亿韩元，SK海力士计划投资5.5万亿韩元。三星一位官员表示，三星的销量增长将在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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三星 SK海力士 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)为取得存储器市场70%以上获利，加速研发新技术与扩大产量。SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)为抵挡三星独霸而联手，但技术力差距牵制不易。同时，因智能型手机事业陷低潮的三星，能否借存储器事业翻身成为焦点。
据韩媒E-Daily报导，三星为抢占2015年存储器半导体市场营业利益的70%正研拟策略。2015年合计DRAM与NAND Flash的整体存储器半导体营收规模预估为80兆~90兆韩元(约728亿~815亿美元)。
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三星电子 存储器 DRAM
- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
- 随三星宣布20奈米制程正式产出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及华亚科(3474)也预定第2季导入20奈米量产，让今年DRAM产业主流技术，将正式推进至20奈米世代。
不过，20奈米需要投入庞大的资本支出，各DRAM考量必须在获利的基础上进行扩充，也让今年各家20奈米制程推进趋于缓慢。集邦科技出具今年DRAM产业趋势报告，预告今年DRAM产业持续维持寡占格局，支持DRAM持稳不坠，今年各家DRAM厂仍处于全面获利的一年。
集邦预估，今年DARM产值达541亿元，年增16%。
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三星 DRAM SK海力士
- 三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和高阶移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。
据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、最多50%以20纳米制程生产。
外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米
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三星 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics)正加速转换制程，2015年第4季整体DRAM产量中，将有5成以上采20纳米技术生产。三星预计以差别化制程技术，在伺服器和高阶移动装置用次世代DRAM市场上拉开与其他竞争对手的差距，维持市场独大地位。
据韩国首尔经济报导，三星计划在2015年底将DRAM产量中至少40%、最多50%以20纳米制程生产。
外电引用市调机构DRAMeXchange近期资料指出，三星20纳米DRAM生产比重在2015年第4季将提升到46%。韩国业者表示，目前20纳米
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三星 DRAM 20纳米
- 服务器DRAM肩负起2015年存储器市场重任，预计占整体DRAM产出比重可望上看40%，同时DDR4逐渐成为服务器市场主流，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)各自有扩产和转新制程计划，服务器DRAM扮演重要角色。
存储器业者表示，这几年DRAM应用已快速多元化，有别于过去多数都应用在个人电脑(PC)上，因高、中、低阶智能型手机热卖，Mobile RAM渐渐崭露头角，比重也陆续超过PC DRAM，2014年开始服务器DRAM比重
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服务器 DRAM 三星
- 苹果(Apple)预计2015年推出的新一代iPhone和iPad，传出搭载的DRAM容量将较目前产品倍增，占苹果DRAM供应量7成以上比重的三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望扩大供货量。
据南韩经济日报报导，在Mobile DRAM市场上，三星和SK海力士的市占率约达75%。近来使用智能型手机的人口增加，穿戴式装置市场也逐渐扩大，让DRAM需求扶摇直上。
据南韩证券业者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事业获利各约6兆韩元(约5
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苹果 DRAM SK海力士
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- DRAM厂华亚科与两大股东台塑集团、美国美光(Micron)等三方之间，已经对明年合约内容达成共识，明年华亚科出货给美光的DRAM计价公式，与今年相同维持不变。
美光DRAM产能配置
华亚科明年将投资逾500亿元加速转进20奈米，随着20奈米产出比重逐月持续拉升，单位制造成本将持续下降，只要DRAM价格维持高档，获利可望大跃进，全年每股净利挑战8元以上。
华亚科去年与美光重新签订6年期合约，华亚科产出全数交给美光，今年初合约内容进行部分调整，给予美光的折扣
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美光 DRAM
- 记忆体品牌威刚科技将于2015年1月6日至9日参与全球消费性电子产品盛事─“国际消费性电子展”(CES)。现场将展示全产品存储解决方案，包含高效能DDR4记忆体模组、全系列固态硬碟(SSD)、USB 3.1外接式存储装置、Type C OTG随身碟、与全方位行动周边产品。展现最先进的存储科技。
威刚将实机展示世界最快、时脉达3465 MHz玩家级16GB (4GBx4)XPG Z1 DDR4记忆体模组，搭配全新闪耀金光散热片，展现极速效能。此外，领先展出时脉3200 MH
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威刚 DRAM iPhone 7
- DRAM产业屡传佳绩，主要供应商三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等业绩大幅改善，三星电子内存事业部晋升人数创3年新高，员工也可望在2015年初，通过超额利润分配金分享公司获利。
据D-Daily报导，三星电子最近执行定期高层人事调动，2015年度内存事业部晋升规模达22人，相较2013年14人晋升，2014年升职人数创近年新高。因今年业绩低迷，三星集团(Samsung Group)主要关系企业的人员升迁规模，相较于往年大幅萎缩，只有内存事业部晋升
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DRAM 尔必达 美光
- 触控面板厂债台高筑，截至今年第3季底为止，TPK宸鸿、胜华、接口及洋华等四家业者，负债合计约1,637亿元新台币。其中，TPK、胜华、接口的负债比率都高于60%，仅洋华负债比率较低，为17.1%。
胜华不堪财务压力，大举裁员，面临营运存活之际，市场再度关注触控面板厂财务状况。TPK截至今年第3季底，负债总额突破千亿元新台币、达1,005.92亿元新台币，比第2季的963亿元新台币增加4.5%，负债金额居本土四大触控面板厂之冠。
法人指出，若产业趋势向上，业者透过举债扩张、放大财务杠杆，有助
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触控面板 LED DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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