三星争夺苹果新世代处理器订单失利，半导体设备厂分析，将迫使三星将多余产能转向DRAM或快闪存储器，恐对明年下半年存储器产业形成新的隐忧。
三星日前一再表示，未来会节制性推升产能，但市场持续关注三星是否会重新拿回大部分苹果新世代处理器订单，因为若三星与苹果重修旧好，将可抵销手机销售的不利，同时减缓将产能转为生产DRAM或快闪存储器的压力。
法人分析，三星因苹果处理器代工订单流失，加上自家手机销售不佳，导致获利主轴重回存储器，今年首季存储器占总获利仅14%，但第3季占比已窜升至近六成，其中，1
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三星 苹果 DRAM
TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在 2014年第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体(Samsung)不意外仍稳居第三季行动式记忆体龙头，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式记忆体价格小幅度下滑，但因位元产出增加，全球行动式记忆体总产值仍向上提升
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DRAM 三星 SK海力士
三星电子(Samsung Electronics)过去最大获利来源─半导体事业，自2011年第3季起被其另一获利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事业部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事业获利急转直下，供需结构已趋于稳定的半导体事业再度成为三星最大获利来源。
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温，三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%，达5.32兆
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存储器 三星 DRAM
三星、SK海力士及美光三大DRAM厂明年制程进入20纳米世代，尽管市场忧心恐造成供给大增、压抑价格走势，但DRAM业者强调，制程微缩并非一、两天可以完成，期间将遭遇技术瓶颈与整量产能缩减等问题，因此尽管资本支出庞大，明年DRAM价格仍可望持稳，业者仍会稳定获利。
集邦协理吴雅婷表示，三星及SK海力士在制程推进至25纳米期间，都吃足苦头，预料美光借重华亚科从30纳米制程直接切入20纳米制程，同样也将面临极大的挑战。三星首次进入28纳米制程时，因良率无法有效提升，黯然宣告中止，部分产能转回35纳米，
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三星 SK海力士 美光 DRAM
DRAM行情出现反转讯号，专业报价机构集邦科技昨(17)日公布11月上旬DRAM合约价终止连续半年涨势，最高较10月下旬下跌4.5%，预期明年首季将续跌5%至7%，法人忧心随著报价走弱，恐不利南亚科、华亚科短期营运。
尽管合约价走势露疲态，南亚科资深副总经理李培瑛强调，目前DRAM市况稳定，个人计算机及服务器市场仍供不应求，但低功率、消费及现货市况持平。他预估，南亚科本季整体产品平均售价估计将较第3季下滑3%至5%，整体营运还是会不错。
据悉，三星日前与个人计算机大厂惠普，协议第4季标准型
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DRAM 三星
韩国国际广播电台报道：韩国企业在世界半导体DRAM市场的占比已逼近70%，创历来最高纪录。
据半导体电子交易网“Dramexchange”发布的报告显示，今年第三季度在世界半导体DRAM市场上的占有率，韩国为69.7%，美国为24.2%，中国台湾为6.1%。
这是韩国继2012年第四季度创下69.6%纪录后的最高纪录。半导体业界认为，随着三星电子和SK海力士的产量持续增加，韩国占比将有望超过70%。
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三星 DRAM
根据DRAM研调机构DRAMeXchange最新研究报告显示，第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能以应付苹果iPhone新机庞大行动式存储器的需求﹔在排挤效应下，标准型存储器产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型存储器蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，明年虽然平均销售单价将逐季往下，但在位元产出仍持续增加的拉抬下，DRAM整体产值将持续攀升。
该机构表示，今年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。在产业寡占结构下，市场仍
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随著大陆市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，伴随而来的就是惊人的消费潜力﹔无论是PC、智能型手机与平板市场都把大陆市场列入第一战区。根据存储器研调机构DRAMeXchange最新研究显示，以2Gb颗粒来换算，2014年大陆市场在DRAM的消化量已经高达47.89亿美元，占全球产能19.2%。
从DRAM市场来观察，PC-DRAM在大陆市场的消化量已经来到15%，内需市场的强劲让PC龙头联想逐渐壮大，以并购的方式挤身一线大厂之列﹔目前全球PC出货量与惠普在伯仲之间，在大陆市
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DRAM PC-DRAM
TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新研究报告显示， 2014年第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能，以因应苹果(Apple) iPhone 新机庞大行动式记忆体的需求，在排挤效应下，标准型记忆体产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型记忆体蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。
在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下，其获利能力皆
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DRAM 海力士 三星
TrendForce最新研究报告显示，随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿，分别占全球产能19.2%与20.6%。
从DRAM市场来观察，PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%，内需市场的强劲
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全球半导体市场第3季，以870亿美元创下史上最高营收纪录，景气持续乐观。其中亚太地区比前年增加12.0%成长最多，南韩业者营收屡创新高，然而日本地区却出现成长衰退迹象。
据Digital Times报导，日前美国半导体产业协会(SIA)宣布，第3季半导体产业全球营收，与前年同期相比成长8.0%，以870亿美元创下史上单季最高纪录。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半导体贸易统计组织(WSTS)在7月预测的年度成长值6.5%。
SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半导
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半导体 DRAM NAND
美国半导体企业美光科技(Micron Technology)将增产用于智慧手机等产品的半导体记忆体。将向去年收购的原尔必达记忆体位于日本广岛的工厂投资1千亿日元，力争2015财年(截 至15年8月)内将产能提高20%。今年美光科技在该工厂时隔3年重启大规模投资，计划通过积极投资来追赶在相关领域位居全球首位的韩国三星电子。
美光科技将在广岛增产使用最尖端微细加工技术(线宽为20奈米)的DRAM。和上一代25奈米线宽相比，从1枚晶圆上可以获得的半导体晶片数量将增加约 20%，生产效率将大幅提高。美光
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美光科技 存储器 DRAM
随着来自社交网站、电子商务以及各种行动装置的数位资讯流暴增，巨量资料(big data)已经为IT基础建设带来压力;而当物联网(IoT)不断发展、可穿戴式装置开始兴盛，对记忆体以及快闪记忆体储存装置来的压力又是什么?
很明显的是，新一代装置将对记忆体以及资料储存元件的功耗、性能以及外形有独特的需求;在此同时，众多物联网设备与可穿戴式装置的功能，会只是单纯的收集与传送资讯到云端或资料中心，以进行处理。
IHS分析师Cliff Leimbach表示，在物联网世界，记忆体将会被非常广泛地使用，出
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物联网 存储器 DRAM
市场研究公司IC Insights最近根据第一季度的数据，修正了其对2004年半导体市场的预测。IC Insights的数据显示，虽然2004年第一季度全球IC出货量比2000年第一季度增长了30%，但芯片平均销售价格(ASP)却下跌了20%。
IC Insights表示，与2003年同期相比，2004年第一季度半导体ASP增长了5%，但第一季度IC市场的增长主要是来自出货量的提升。2004年第一季度全球IC市场同比增长达32%，其中IC出货量同比增长了26%。与2003年第四季度相比，第一季度
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DRAM MOS显示驱动器
国际研究暨顾问机构Gartner表示，今(2014)年全球半导体资本支出总金额预计将达645亿美元，较去(2013)年的578亿美元增加11.4%;另由于记忆体平均售价上扬，加以消费产品需求增加，全年度资本度设备支出将年成长17.1%。与前一次预测相较，Gartner已微幅上修了2014年半导体设备相关预测。就长期而言，Gartner认为，现行半导体周期结束前都将维持温和成长，惟设备市场预计将在2016年略显停滞。
Gartner资深分析师David Christensen表示，去年资本支出的表
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半导体 DRAM
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