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coolsic mosfet 文章 进入coolsic mosfet技术社区

ROHM开发出超低导通电阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作
  • 关键字： ROHM  超低导通电阻  Nch MOSFET  

Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导
  • 关键字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

基于Infineon S7 MOSFET 主动式电源整流方案

  • 因应日趋严苛的能源效率规范，特别是像server power的应用，从白金效率甚至是钛金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在静态切换的应用场合，减少功率损耗以提升效率，特别是针对高输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系统效率，与传统bridge diode相比，在230Vac输入时在50% load约可提高0.5%，而115Vac输入时在50% load约可提高1%。利用JRC NJ393C OP比较器搭
  • 关键字： Infineon  S7 MOSFET  电源整流  

同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。近年来，全球电力供应日趋紧张，这就要求设备要更加节能。据了解，电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此，在电机驱动中担负功率转换工作的逆变电路，越来越多地开始采用高效率MOSFET。另一方面，针对使用MOSFET时所产生的噪声，主要通过添加部件和改变
  • 关键字： 超快反向恢复时间  Super Junction MOSFET  MOSFET  

SiC MOSFET的短沟道效应

  • Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。Si IGBT/MOSFET与SiC MOSFET，尽
  • 关键字： 英飞凌  MOSFET  

正确选择MOSFET以优化电源效率

  • 优化电源设计以提高效率十分重要。提高效率不仅可以节省能源，减少热量产生，还可以缩小电源尺寸。本文将讨论如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的数量比，以提高电源设计的效率。图 1 显示了一个具有 HS-FET 和 LS-FET 的简化电路。图 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的电路选择 MOSFET 时，如何恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳效率，这对电源工程师来说是一项挑战。 MOSFET的结构和损耗组成MOSFE
  • 关键字： MPS  MOSFET  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 关键字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工业设备功率模块   

Nexperia首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
  • 关键字： Nexperia  SMD  铜夹片  LFPAK88  MOSFET  

[向宽禁带演进]:您能跟上宽禁带测试要求的步伐吗?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。这些物质的采用旨在克服硅的局限性，而这些局限性源自其是一种窄禁带材料，所以会引发不良的导电性泄漏，且会随着温度、电压或频率的提高而变得更加明显。这种泄漏的逻辑极限是不可控的导电率，相当于半导体运行失效。在这两种宽禁带材料中，GaN主要适合中低档功率实现方案，大约在1 kV和100 A以下。GaN的一个显著增长领域是它在LED照明中的应用，而且在汽车
  • 关键字： MOSFET  IGBT  

碳化硅MOSFET加速应用于光伏领域 增量市场需求望爆发

  • 据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
  • 关键字： SiC MOSFET  

使用集成MOSFET限制电流的简单方法

  • 电子电路中的电流通常必须受到限制。例如在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。因此，通常需要将电流限制在一个特定值。大多数功率转换器都有过流限制器，以保护其免受额外电流造成的损坏。在一些DC-DC转换器中，甚至可以调整阈值。图1. 每个端口输出电流为1 A的充电宝中的电流限制。在图1中，还可以使用具有内置甚至可调节限流器的DC-DC升压转换器。在这种情况下，无需额外的限流器模块。不过，也有许多应
  • 关键字： ADI  MOSFET  

Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别

  • 今天,Ameya360给大家介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出，Si-MOSFET在这个比较中，导通电阻与耐压略逊于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率条件
  • 关键字： MOSFET  超级结MOSFET  

FPGA 和功率 MOSFET 缺货现象下半年将持续

  • 2023 年，半导体和电子元件价格正在稳定，但仍有部分产品短缺。
  • 关键字： FPGA  MOSFET  

详解高效散热的MOSFET顶部散热封装

  • 电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力，同时尺寸较小，从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力，但有时散热效果并不理想。由于器件的引线框架（包括裸露漏极焊盘）直接焊接到覆铜区，这导致热量主要通过PCB进行传播。而器件的其余部分均封闭在塑封料中，仅能通过空气对流来散热。因此，热传递效率在很大程度上取决于电路板的特性：覆铜的面积大小、层数、厚度和布局。无论电路板是
  • 关键字： 安森美  MOSFET  

银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术量产

  • 银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
  • 关键字： 银河微电  MOSFET  
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