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coolsic mosfet 文章 进入coolsic mosfet技术社区

健康催生可穿戴多功能需求 东芝多款器件直面新机遇

  • 可穿戴设备广泛用于娱乐、运动和医疗健康等领域，作为把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着或配件的设备，可支持手势和眼动操作等多种交互方式。作为消费电子业面临的又一个新发展机遇，可穿戴设备经历了前些年从概念火爆到实际产品大量普及的过程之后，行业前景一直稳步成长。据统计，2019年全球可穿戴技术产品市场的规模超过了500亿美元，是2014年的2倍以上，可以说可穿戴设备已成为过去5年来消费电子领域最成功的市场之一。1   市场需求持续爆发虽然2020年全球经历了严重的新冠疫情影响，部
  • 关键字： 202009  MOSFET  

如何用无桥图腾柱功率因数校正控制器实现出色的AC-DC功率转换效率

  • 电网提供的电能是交流电，但我们使用的大多数设备都需要直流电，这意味着进行这种转换的交流/ 直流电源是能源网上最常见的负载之一。随着世界关注能效以保护环境并管理运营成本，这些电源的高效运行变得越来越重要。效率作为输入功率与供给负载的功率之间的比率衡量，很容易理解。但是，输入功率因数也有很大的影响。功率因数(PF) 描述了任何交流电设备（包括电源）消耗的有用（真实）功率与总（视在）功率(kVA) 之间的比值。PF 衡量消耗的电能转换为有用功输出的有效性。如果负载是纯阻性负载，PF 将等于1，但任何负载内的无功
  • 关键字： 202204  MOSFET  无桥图腾柱  功率因数校正控制器  

贸泽电子开售英飞凌XENSIV PAS CO2传感器

  • 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货英飞凌的XENSIV™ PAS CO2二氧化碳传感器。该产品基于光声光谱学 (PAS) 原理，采用高灵敏度MEMS麦克风检测传感器腔内CO2分子产生的压力变化。这种检测方式可以显著减小CO2传感器的尺寸，与市面上其他CO2传感器相比，可以在最终产品中节省超过75%的空间。贸泽电子分销的英飞凌XENSIV PAS CO2传感器集成了光声传感器（包含检测器、红外源和光学滤波器）、用
  • 关键字： 贸泽电子  英飞凌  XENSIV PAS  CO2传感器  MOSFET  

扬杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用SGT工艺

  • 4月8日消息，扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。N80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核
  • 关键字： MOSFET  杨杰科技  

板子上的MOSFET莫名炸机，多半是这个原因！

  • MOSFET、IGBT是开关电源最核心也是最容易烧坏的器件！其原因大多是过压或过流导致功耗大增，从而使器件损坏，甚至可能会伴随爆炸。而SOA安全工作区测试，就是保障其安全工作的重要测试项目！
  • 关键字： MOSFET  ZLG  

瑞森 SGT MOSFET 介绍及应用

  • 最近，瑞森研发部对功率MOSFET的技术进行了更新换代，这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。
  • 关键字： MOSFET  瑞森  

如何避免功率MOSFET发生寄生导通?

  • 该文描述了引起功率MOSFET发生寄生导通的机制，并进一步指出为了避免寄生导通，在选取MOSFET时应遵循什么准则。
  • 关键字： MOSFET  英飞凌  

你的MOSFET为什么发热那么严重？

  • 在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。如图1所示，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管，如图2所
  • 关键字： MOSFET  ZLG  

最全！20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件，工温最高175℃

  • 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技(YANGJIE)· 主要产品：中低压MOSFET（VDSS：20V-150V）和高压MOSFET（VDSS：500V-900V）· 厂牌优势：专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，，通过了ISO9001，ISO14001，IATF16949等认证，连续数年评为中国半导体功率器件十强企业。国内领先的的分立器件研发企业：长晶科技（JSCJ）· 主要产品：覆盖了12V~700V的功率型MOSFET· 厂牌优势：专注于功率器件、分立器件、频率器件、
  • 关键字： MOSFET  杨杰科技  长晶科技  

闻达精芯之安，泰然创新于世

  • 安世半导体（Nexperia）是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家，持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。
  • 关键字： 202204  MOSFET  

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”

  • 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
  • 关键字： MOSFET  

英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性

  • 在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电
  • 关键字： MOSFET  

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关
  • 关键字： MOSFET  

恩智浦与日立能源合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用

  • 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布与日立能源合作，加快碳化硅（SiC）电源半导体模块在电动交通领域的采用。此次合作项目为动力逆变器提供基于SiC MOSFET的解决方案，更高效可靠且功能安全，该解决方案由恩智浦先进的高性能GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成。产品重要性电动汽车厂商采用SiC MOSFET动力器件，可比采用传统硅IGBT获得更高的续航里程，提高系统整体效率。SiC MOSFET功率器件带有高性能功率
  • 关键字： MOSFET  

如何为开关电源选择合适的MOSFET？

  • DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。图1：降压同步开关稳压器原理图。DC/DC开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个高侧FET和低侧FET的降压同步开关稳压器，如图1所示。这两个FET会根据控制器设置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方
  • 关键字： 开关电源  MOSFET  
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