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银河微电 文章 进入银河微电技术社区

银河微电：功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术量产

  • 银河微电12月20日在互动平台表示，功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产；IPM模块已完成一款封装的量产，未来将根据市场情况逐步系列化；DFN0603无框架封装已完成工艺验证，性能指标符合开发目标要求；CSP0603封装已完成技术开发，未来芯片线改扩建时将进行成果转化。
  • 关键字： 银河微电  MOSFET  
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银河微电介绍

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