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电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在
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CMOS 性能 集成 电压比较器
- SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
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内存芯片 CMOS FeDRAM
- 片上集成A/D转换器是CMOS图像传感器的关键部件，文章分析和比较了三类不同集成方式：芯片级，列级和象素级的原理，性能和特点。最后，展望了CMOS图像传感器上集成A/D转换器的未来发展趋势。
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CMOS 图像传感器 集成 转换器
- 今年国内拉动内需，特别是3G的启动建设和FTTH进入实质性的发展阶段，使光模块市场一片红火，预计今年我们可实现60%的业务增长。
由于对IC行业来说光通信市场不大，所以光收发IC芯片的供应商并不是很多，在国内我们是第一家量产高速收发芯片的IC公司。
国内芯片企业的优势主要是在成本上，研发成本、管理成本、销售成本都比国外企业要低。对IC来说，基于同样的工艺，制造成本几乎是一样的。要取得制造成本的优势必须发挥技术优势，采用相对低成本的工艺，做出同样的产品性能。我们采用CMOS工艺的收发IC芯片
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3G CMOS IC设计 FTTH
- 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
- CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor)大厂豪威科技(OmniVision)与台积电合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的传感器新产品，陆续获得一线智能型手机OEM厂设计案(design win)，预计本季度开始大量出货。
豪威已开始扩大对台积电下单，台积电(2330)也已完成1.1微米间距BSI制程传感器的功能测试，并计画在12寸厂以65纳米投片。
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台积电 CMOS 传感器 65纳米
- 几十年来，摩尔定律所阐述的生产力效益定律一直是半导体行业发展的驱动力。它催生了数字处理器、宽带和大容量存储器。这些技术大幅提升了PC、手机等产品的生产力。然而，经济学正给半导体行业带来革命性转变。未来，“新摩尔定律”将发挥重要作用。
产品研发从性能驱动转为经济学驱动
半导体产业是个相对年轻的产业。自摩尔定律预测芯片上晶体管的数量每18个月翻一番以来，半导体器件制造商一直追求生产力的提升。这一定律确实没错。如今消费应用的SoC可能集成了几亿个晶体管。然而，半导体产业正
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NXP 摩尔定律 CMOS 晶体管
- 法国市场研究机构Yole Development针对微机电系统(MEMS)市场发表最新报告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服务，使得该领域变得高度分散与高竞争性，但又是整体MEMS产业不可缺少的一块。
Yole表示，大型的开放MEMS代工厂现在都很赚钱，并开始升级到8吋晶圆制程;不过由于MEMS在消费性应用领域的高成长性，以及来自其它高潜力应用市场的商机，也吸引了许多来自主流半导体产业的新进者投入竞争。
Yole并指出，由于这些来自半导体产业的新进者，具备能结合CMOS技术
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MEMS 晶圆 CMOS
- 韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品。
该处理器配备有英国ARM工作频率533MHz或667MHz的CPU内核“ARM1176”。CPU内核、芯片上的所有硬件加速器及周边部件接口均由工作频率166MHz、64bit总线“AXI”连接。
还配备有支持现行及新一代多值NAND闪存的错误订正用硬件，以及支持移动DDR或D
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三星 45纳米 CMOS S5P6440
- 半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此，既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。
本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的螺旋式发展史事，探讨主流半导体技术的发展哲理，供大家参考讨论。
发展历程
根据IC Knowledge 的归纳[1]，可以把集成电路(IC)的发展历程划分为四个阶段：
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集成电路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
- 在金融海啸中，博通(Broadcom)公司2008年增长了25%，成了半导体行业的明星企业。不过该公司在2009年一季度营收有所下降，博通的解释是增长率会根据产品或者最终市场和季节性有所差别，并且很大程度上受到了金融危机的影响。不过，博通尤其是WLAN部门的发展经验可圈可点。
Michael Hurlston Broadcom公司副总裁
兼无线连接集团WLAN事业部总经理
运营成本控制
博通擅长运营成本控制，不同的事业部有不同的特点：一些
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Broadcom WLAN 65纳米 CMOS PA Wi-Fi 200907
- 摘要：在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电
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CMOS 阈值电压 基准 电路设计
- 近一两年来，在苹果公司iPhone手机的带动下，智能手机市场迅速扩大。智能手机等便携产品的一个重要特点是功能越来越多，从而支持更广泛的消费需求。但智能手机等便携产品内部用于支持不同功能的集成电路(IC)或模块的工作电压往往不同，如基带处理器和应用处理器电压一般在1.5 V至1.8 V之间，而现有许多外设工作电压一般为2.6至3.3 V，如USIM卡、Wi-Fi模块、调频(FM)调谐器模块工作电压为2.8 V，而相机模块为2.7 V。
因此，智能手机等便携产品中的不同IC与外设模块之间
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安森美 智能手机 电平转换器 CMOS
- 摘 要：高清晰电视(HDTV)和无线通信网络的发展，对转换器速度和精度提出了更高的要求。基于新型传输门(TG) 结构组成的电流源单元矩阵和译码逻辑电路，提出一种适用于高清晰视频使用的高速8位CMOS电流舵数／模转换器(
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转换器 设计 电流 CMOS 视频 高清 转换器
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