“Is ASIC dead ?”这是刚刚落下帷幕的2013“深圳(国际)集成电路创新与应用展”(China IC Expo，简称CICE)上业界热议的一个话题。的确，现如今FPGA越来越“强势”，越来越多地将ARM核、MCU、DSP等融合进来，在性能和功耗上对ASIC进行全面围堵。不只如此，当硅制造技术进入到28nm甚至更低节点时，芯片制造动辄上百万美金的NRE费用也让系统设计公司吃不消。
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富士通 ASIC FPGA
彭博社报导指出，日本半导体制造装置协会(Semiconductor Equipment Association of Japan;SEAJ)公布的一份初步统计数据显示，日本半导体设备产业2013年5月份订单出货比(BB值)由4月份的1.11，向上扬升至1.17。
这份数据显示，5月份的订单额为1,018.5亿日圆，较前一个月971亿日圆增长了4.9%，连续第7个月上扬;当月出货额则是为870.31亿日圆，较前一个月的874.7亿日圆萎缩了0.5%，连续第二个月下滑。
与2012年同期相较，
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半导体 制造
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与领先的飞机制造商空中客车(简称“空客”)完成合作开发及投产一款复杂的专用集成电路(ASIC)，应用于空客A350 XWB宽体飞机的飞行控制计算机。这定制硅方案的代号为JEKYLL，使用了安森美半导体内部的110纳米(nm)工艺技术，在安森美半导体美国俄勒冈州的Gresham工厂制造。
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安森美 半导体 D0-254 ASIC
在数字通信领域中，HDB3码是一种非常适合在基带信号传输系统中传输的码型，并保持了AMI的优点。为了满足用户的需求，提高通信系统工作稳定性，HDB3编码器专用集成电路(ASIC)集成了插“V”、插“B”和“V”码极性纠正模块，通过仿真和硬件验证，它可以有效消除传输信号中的直流成分和很小的低频成分，可以实现基带信号在基带信道中直接传输与提取，同时能很好地提取定时信号。
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设计 ASIC 编码器 HDB3
半导体科技将自动化与智能化带入了工业生产在线，让工业生产的速度与效率大幅提升。尽管因此抢走不少劳工的饭...
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自动化 ASIC FPGA
触控面板厂第2季业绩平平，胜华(2384)董事长黄显雄表示，目前受限于视网膜面板缺货，导致平板、智能型手机供应链出货不顺，随著新产能在7月开出，业绩可望爆发，一路旺到年底。而胜华计划把杨梅两座3代厂改做视网膜面板，估计产值将增加3倍。
胜华手握大陆小米机订单，平板计算机方面则吃下Google、华硕、亚马逊、三星等品牌订单，今年在平板用触控市占率高达60%。黄显雄表示，今年视网膜面板延伸到7寸平板应用，原先客户计划在5月、6月量产，但是受限于视网膜面板供货不足，所以放量的时间点将延后到7月，届时业
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FPD 触控 制造
近年来，中国制造业劳动力成本持续走高，使加工制造业陆续向国外转移。在制造业面临新一轮行业洗牌的关键时期，一些企业面临着被淘汰的危险，而如何采取有效措施，免遭出局，成了大家共同关心的话题。业内人士指出，采用自动化设备或许成了制造企业握在手中的最后一张王牌。
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自动化 制造
美商超微(AMD)宣布正式成立半订制业务部门(Semi-CustomBusinessUnit，SCBU)，基于超微在中央处理器、绘图芯片核心、多媒体等领域庞大的知识产权(IP)，将针对客户需求订制专属的特殊应用芯片(ASIC)。
AMD已经拿下索尼PS4、微软Xbox720等新款游戏机ASIC订单，未来也将抢进智能电视及机顶盒等市场，对于国内设计服务及ASIC厂来说，将带来不小的竞争压力。
AMD早在一年多前就已公开讨论进入ASIC市场的策略理念，SCBU部门在去年底就已经组成，而超微现在
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AMD 处理器 ASIC
采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试，结果表明该片上天线工作在20CHz，具有小型化的性能，同时具备三次谐波抑制的功能。
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CMOS EBG 制造 天线
上周在看了我的朋友Dave Jones拆解一台旧的Fluke 91 ScopeMeter DSO(数字采样示波器)的视频时，我突然发现，这款有20年历史的测试设备标志着ASIC设计历时10年的衰落正开始显著加速。
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赛灵思 ASIC ASSP ARM
TSMC认为2012年的第四季度和2013年第一季度会出现下滑，可是预计2013年第二季度会反弹。
季节性变化
因为首先库存有季节性的调整。例如2012年初的反弹，是因为2011年底的库存太少。同理，2013年二季度将会反弹，也是因为2
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TSMC 集成电路 制造
TSMC做为全世界晶圆代工厂的领头羊，在规划投资的时候（例如2012年资本投入83亿美元，营收171亿美元），事实上是先进工艺跟成熟主流工艺并进的。TSMC有一个既深且广的工艺平台，就纵向深度来讲，TSMC是从65、40、28、20、16……这样一路走下去。在横向的宽度来看, 每个节点还有衍生性工艺, 例如嵌入式Flash, 高电压, 射频.. 等工艺。”事实上做一个手机，里面不仅需要基带和应用处理器，旁
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TSMC 集成电路 制造
根据工艺先进性、营收能力、产能规模等各方面的整体性实力来看，TSMC与英特尔、三星位于前三名，被业界称为晶圆制造业的大联盟，并且成为IC制造业的领军企业。
而其他的半导体公司则像是在小联盟。小联盟的公司通常看大联盟的动向，大联盟推出什么，小联盟就跟进。
大联盟的三家各有长项。三星在存储器上领先；英特尔在晶体管的速度上领先；而TSMC在芯片的集成度与整体性上有优势，这包括布线宽度, 工艺全面性等指标。
同业也许声称其FinFET 3D的工艺尺寸比TSMC小，事实上大
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TSMC 集成电路 制造
“TSMC现在已有三座12英寸晶圆厂，下一步会是18英寸厂。从时间上来看，18英寸晶圆真正投入生产应该在2016年之后。”TSMC中国业务发展副总经理罗镇球称。
现在有三家公司（英特尔、TSMC、三星）投资ASML光刻设备的计划，因为在进入18英寸时会有很多的坎要过，包含设备、光学等。
目前看来10纳米的光刻工艺基本上只有两种选择，一个是EUV深紫外光，一个是Immersion浸润式光刻技术。Immersion技术是TSMC的研发人员开始研发的。
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TSMC 集成电路 制造
2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。
TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。
资本支出方面，2012年TSMC是83亿美元，（注：TSMC 2012年营收171亿美元）；另外，研发投入超过13亿美元。据TSMC中国业务发展副总经理罗镇球介绍，TSMC对研发的支出约占营收的8%，如果再加上TSMC因研发需要而购
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