- 第2季NAND Flash终端需求太差，新出炉合约报价大跌超过10%，内存模块厂表示，合计整个5月现货报价跌幅达20%，合约价合计跌幅也超过15%，反映终端需求确实需要新刺激，目前市场是底部已临，静待反弹阶段;展望第3季，市场认同威刚董事长陈立白的基调，预期第3季仍会比第2季好一些，但市场不至于会有缺货或价格飙涨的情况发生。
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三星 NAND Flash
- TMS320VC5410的BOOT设计与实现?,【摘 要】 阐述了TMS320VC5410芯片的2K程序空间的并行I／O串口的BOOT引导方法。
关键词：TMS320VC5410，BOOT，数字信号处理
TMS320VC54X系列DSP芯片一般都在片内设置有BOOT程序。BOOT程序的主要作
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实现 设计 BOOT TMS320VC5410
- 全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期，不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温，甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况，记忆体零售和系统端需求明显降温，市场五穷六绝迹象显现，使得记忆体模组厂营收恐再次探底，部分厂商传出力守2月营收低点的警戒线。不过，以毛利率角度来看，由于NANDFlash价格并没有出现急跌，因此，模组厂5月毛利率仍可暂时守稳在水准之上。
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NAND DRAM
- 基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要：介绍了一种最新DDR NAND闪存技术，它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制，提供更好的读写速度，以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。
关键词：DDR NAN
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嵌入式 接口 设计 高性能 闪存 DDR NAND 基于
- 摘要：为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题，采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质，大规模集成电路FPGA为控制核心，通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储，提高了整
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FLASH NAND 大容量 存储
- 存储器是随着计算机而发展起来的一种专用电子部件，用于保存数据和程序，传统上计算机的主存储器称Memory，外部设备用存储器称Storage(常用磁盘、磁带)。上世纪50年代中期，主存曾用磁芯存储器，60年代中期以来，半导体存储器开始取代磁芯存储器。随着时间的前进，存储器获得了长足的发展。
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存储器 NAND 201105
- 数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠，但相比大容量的硬盘而言，这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此，Gartner依然对SSD市场的前景十分看好，并认为到2012年下半年，固态硬盘将成为市场的主流，并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB，这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下，例如64GB64美元，从而开始被大众接受。
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NAND SSD
- 0 引言 计算机技术的高速发展，存储系统容量从过去的几KB存储空间，到现在的T8；乃至不久的将来要达到的PB存储空间，其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
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FLASH NAND 储存 测试系统
- 5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%，营收成长9.9%，达53.63亿美元。
2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对
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三星电子 NAND
- 据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。
- 关键字：
三星 NAND 移动设备
- 由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
- 关键字：
美光 NAND
- 据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
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闪存 NAND
- 东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过，这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。
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东芝 NAND
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