- 基于S3C2410A的U-Boot移植研究,Bootloader是嵌入式系统软件开发的第一个环节，它紧密地将软硬件衔接在一起，对于一个嵌入式设备后续的软件开发至关重要。BootLoader还涉及到许多硬件相关的知识，对于普通的嵌入式开发板，它又是不可跳过的步骤，所
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研究 移植 U-Boot S3C2410A 基于
- 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D-IC以及TSV的技术成熟时，将会以记忆体为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。
随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标准
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力晶 NAND
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构DRAMeXchange调查，因为随身碟与记忆卡市场销售依旧此未见起色，而高容量产品也因为智能型手机与平板计算机销售不如预期而下滑，终端产品销售不佳导致供货商回补库存力道疲弱，连带影响合约价格面临下滑的压力，10月下旬NAND Flash合约价将再下跌约4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技认为，虽然泰国水患造成的HDD缺货效应使得SSD产品询问度顿时增加，但SSD仍存在着与HHD价差大及SSD机种认证程序尚需2-3个月等问题，因此，预
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NAND SSD
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，随着部份系统产品客户自9月起，已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘，虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡，但也已呈现止跌回稳的状况。
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集邦科 NAND 记忆卡
- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门 DRAMeXchange 的调查，市场预期 NAND Flash 部份系统产品客户为因应新产品上市库存回补需求，9月份可望逐渐开始回温。因此，8月下旬 NAND Flash 合约价格出大多呈现持平，但记忆卡及U盘(UFD)通路市场的需求仍然相对疲软，所以128Gb TLC合约均价格仍然下跌5%。此外，部份供货商已将部份32Gb MLC的产量转为生产64Gb MLC，故32Gb MLC在市场供给减少下合约均价小涨约3%。
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ultrabook NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。
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IHS iSuppli NAND
- 据IHS iSuppli公司的闪存市场报告，由于一家大型厂商的销售额下降，第二季度NAND闪存市场意外下滑。
根据最终数据，第二季度全球NAND销售额为47亿美元，比第一季度的49亿美元下降4.3%。该市场降幅大于预期，主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21.4%至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商，仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降，拖累了整体市场，如表1所示。
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三星 NAND
- 受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片 NAND
- 在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可能需要再评估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大闪存制造商东芝公司(Toshiba Corp)周三警告说，由于PC市场不景气，美国和欧洲等经济体持续动荡以及日元强势等原因，该公司芯片业务的利润可能达不到预期。
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东芝 芯片 NAND
- 据韩国电子新闻报导，计算机用DRAM芯片价格快速下跌，NAND Flash合约价也从6月起出现陡峭跌幅，2个月内出现2011年来最低价2美元纪录。下半年则因智能型手机(Smartphone)与平板计算机 (Tablet PC)新品陆续问世，可望带动NAND Flash价格回升。
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NAND DRAM芯片
- 随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(SamsungElectronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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三星 存储器 NAND
- 随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(Samsung Electronics)，但短期内该技术也将可能面临瓶颈，因此如东芝(Toshiba)及尔必达(Elpida)等公司，均已决定投入3D存储器的开发。
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尔必达 NAND
- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault 采用固态 NAND 闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在 RAID 控制器缓存中的数据提供强大的保护。CacheVault 技术避免了采用锂离子电池的麻烦，并可节约相关的硬件维护成本，从而实现更环保、总体成本更低的高速缓存保护解决方案。
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LSI NAND
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