- 据IHS iSuppli公司的数据闪存市场研究报告，虽然2011年情况不如人意，但今年NAND闪存市场可望有不错的表现，装备固态硬盘的超级本(Ultrabook)等产品将助其一臂之力。
今年全球NAND闪存营业收入预计增长8%，从2011年的212亿美元上升到229亿美元。按照今年的营业收入预期，全球出货量相当于28823个1GB器件，而2011年是17401个。随着智能手机、平板电脑和超级本固态硬盘(SSD)这三大市场使用的NAND闪存逐年增长，未来几年NAND营业收入将持续攀升，到2016年
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- 随着智能手机、平板电脑、超极本等移动互联设备市场的井喷，存储器Nand Flash也呈现“水涨船高”之势，Gartner预估今年Nand闪存市场将增长18%。在近日举办的“BIWIN首届Nand Flash应用高峰论坛”上，福州瑞芯微电子有限公司总裁陈锋直言“后PC时代已经到来”，今年平板电脑的出货量预计在1.5亿台左右，智能手机将突破6亿部，加起来为7.5亿部，将远超今年PC出货量，带动对显示屏、主控芯片和存储器关键部件的需求，
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NAND 闪存
- 1.引言嵌入式系统一般指非PC系统，它包括硬件和软件两部分。硬件包括处理器/微处理器、存储器及外设器件和I/O端口等。软件部分包括Bootloader、操作系统（OS）和应用程序。嵌入式系统的硬件和软件都必须高效率地设计
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- Spansion公司与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟，并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发的首款Spansion? SLC NAND产品将于2012年第二季度面世。作为合作的一部分，双方将同时签订专利交互授权协议。
Spansion的NAND产品主要针对诸如汽车电子、工业电子以及通信等嵌入式应用领域，以补充NOR产品供应，并提供完整产品解决方案。Spansion公司的高性能、高可靠性SLC NAND产品系列将提供广受业界认同的客
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- 随着嵌入式技术在电子信息等领域的快速发展，对数据存储设备容量和性能的要求也日益提高。Nand Flash在这一领域的应用越来越广泛，由于Nand Flash在写操作之前需要擦除整块且使用寿命有限，因此，如何更有效的管理好
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- 1 引言S3C44B0是Samsung公司推出的一款为手持设备或其他通用设备开发的32位处理器，它基于ARM7TDMI核，没有内存管理单元（MMU）。在采用无MMU的微处理器的嵌入式系统中广泛采用的就是uClinux系统，作为linux的衍生系
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- 1 概 述P89C51RD2是PHILIPS公司内核基于8位80C51单片机的派生产品，在完全保留80C51指令系统和硬件结构的大框架下，进行了多方面的加强、扩展和创新，最大限度地利用了原有结构的方方面面。P89C51RD2将原有的对外数据
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- SK海力士于本周二宣布，公司与美国飞索半导体(SpansionInc.)签署了可以相互使用对方专利的特许以及SLCNAND闪存产品的供应协议。
SK海力士解释说，此次签署的协议包括双方在使用对方的专利时不需要另外交付专利费。
最近全球的专利纠纷急剧增加，两家公司在这样的情况下能够通过该协议，就更能减少纠纷的发生可能，并且缩小了经营上的不确定性。
此外，SK海力士还可以借助该协议掌握稳定供应嵌入式SLCNAND闪存产品的供应商。嵌入式SLCNAND闪存是使用于IT设备内部储存的高增值产
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SK海力士 NAND
- Spansion公司(纽约证交所代码：CODE)与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟，并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发的首款Spansion® SLC NAND产品将于2012年第二季度面世。作为合作的一部分，双方将同时签订专利交互授权协议。
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Spansion 海力士 NAND
- 2012年，随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发，有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash，Gartner预估今年NAND Flash市场增长18%! 年初以来，NAND Flash大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划，各大厂工艺纷纷转向20nm，三星西安建厂发力10nm Nand Flash!可以说，一场围绕Nand Flash应用的存储大变革正在进行，Nand Flash应用变革给本土业者带来哪些机遇?智能手机、平板电脑供应商如何看待
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- 北京时间4月4日下午消息，据《日刊工业新闻》报道，由于移动设备的需求持续增加，东芝最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。
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- 什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，
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