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arm汇编u-boot-nand-spl启动过 文章 最新资讯

ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章开始之前,我们先来看下ARM11S3C6410内部结构:
  • 关键字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武汉新芯:已建成IP体系,欲以存储器为特色

  • 武汉新芯集成电路制造公司(XMC)是地方政府投资的半导体企业,2006年由湖北省、武汉市、武汉市东湖高新区投资,并由东湖高新区管理的全资国有企业,前几年委托SMIC(中芯国际)经营管理,从2012年底起独立经营。
  • 关键字: XMC  存储器  NAND  

ARM编程中的ARM Boot 示例

  • 程序主要作用是通过串口下载VxWorks到ARM Flash ROM,主要过程是初始化ARM硬件,初始化串口UART1,从串口接收V ...
  • 关键字: ARM编程  ARM  Boot    

东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块

  • 东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC),该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。同时该模块符合最新的e·MMC™[1]标准,旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。
  • 关键字: 东芝  嵌入式  NAND  

基于NAND Flash的大容量立体封装芯片在嵌入式系统中的应用

  • 摘要: NAND Flash应用的困难在于管理和需要特殊的系统接口。本文介绍了一种利用MCU存储器管理接口结合I/O口来实现NAND Flash存储结构的搭建和管理的方法,并介绍底层的驱动程序。
  • 关键字: Flash  嵌入式  MCU  存储器  NAND  寄存器  201312  

Marvell扩大固态硬盘控制器在全球领先OEM中的市场份额

  • 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技(Marvell,纳斯达克代码:MRVL)日前宣布,其完备的整合式芯片与软件定义解决方案组合将继续加速实现全球消费者和企业的“美满互联生活(Connected Lifestyle)”。当前,Marvell拥有丰富的端到端存储、网络、计算、移动和联网解决方案,在行业中占据着独一无二的领导地位。
  • 关键字: Marvell  固态硬盘  NAND  

可管理NAND:适用于移动设备的嵌入式大容量存储

  • 与多年前相比,现在的移动消费电子装置结构复杂,功能丰富,能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是,存储...
  • 关键字: NAND    移动设备    大容量存储  

10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨

  •   市调机构集邦科技预期,第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓,10月合约价看涨。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外,不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨,同时激励9月NANDFlash合约价上涨3%至6%。   集邦科技指出,尽管NANDFlash市场销售并无好转迹象,不过,海力士无锡厂复工情况依然混沌不明,NANDFlash供给将连带受到影响,预期第4季NANDFlash市场供过于求情况可望趋缓。   集邦预期,近期1至2个月
  • 关键字: 快闪存储器  NAND  

用DNW通过USB烧uboot到nand

  • 烧写前提:已经把FS2410开发板的S3C2410_BIOS.bin通过JTAG烧到了NOR里面了,这样我们从NOR启动才可以使用US...
  • 关键字: DNW  USB  uboot  nand  

采取多元化战略,加强在华合作

  • 编者按:8月初,Spansion宣布两项重大举措:一,完成对富士通微控制器(MCU)和模拟业务的收购;二,签署与XMC(武汉新芯集成电路制造公司)的技术许可协议。可见,Spansion由最大的独立闪存公司变身为多元产品公司,并且加深与中国代工厂的合作。是什么促使Spansion做此决定?Spansion对华战略如何?
  • 关键字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND

  •   三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌,今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头,3D堆叠已经成了潮流,处理器、内存什么的都要堆起来。   三星的V-NAND单颗芯片容量128Gb(16GB),内部采用三星独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列。   三星称,这种新闪存的拓展能力是普通2xnm平面型闪存的两倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且写入性能也可达到1xnm N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

半导体厂扩产 力成进补

  •   不让韩国三星专美于前,日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元),于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂,导入最新16至17纳米制程,使总产能提升20%,明年4月量产,为在台后段封测厂力成(6239)营运挹注成长动能。   这是三星在上月宣布调高今年半导体资本支出后,东芝近两年来首度做出增产决定,因为苹果中低价手机和大陆手机的强劲需求。   研究机构统计,去年全球NAND Flash出货量,三星居全球
  • 关键字: 半导体  NAND  

NAND闪存第一季度意外出现短缺

  • 据IHS公司的移动与嵌入存储市场追踪报告,今年第一季度中国低端智能手机的需求大增,让内存供应商措手不及,刺激了NAND闪存市场的增长并导致其出现供应短缺。
  • 关键字: IHS  NAND  

第一季度SSD出货劲增,尤其是在超级本与PC平板领域

  • 据IHS公司的存储市场追踪报告,超薄/超级本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度极大地推动了固态硬盘(SSD)的发展。SSD在这些领域的出货量同比激增两倍。
  • 关键字: IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造设备行业2014年前景看好

  •   据国外媒体报道,芯片厂商尚未打破增长-衰退交替出现的规律。周一从芯片行业展会SemiconWest上透露出的一个关键信息是,尽管对芯片产业2013年增长的预期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半导体设备暨材料协会)预计,2013年芯片制造设备营收将下降约2%。SEMI高管丹尼尔·特拉西(DanielTracy)预测,2014年芯片制造设备营收将猛增21%。   当然,SEMI以往曾对芯片制造设备营收作出过高的预期。1年前,SEMI曾预计2013年芯片制造设备营收将增长约1
  • 关键字: 芯片制造  NAND  
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