据报道，三星芯片部总裁Oh-Hyun Kwon近日在台北举行的三星年度移动解决方案论坛上表示，三星正在提高DDR3芯片产量，以缓解目前市场上DDR3芯片供应短缺现状。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增长量超过了先前的预计，导致了DDR3供应短缺。不过三星目前已经加大了DDR3芯片生产量，以满足市场的增长需求，40nm工艺将成为他们明年芯片生产的主要处理技术。
Oh-Hyun Kwon认为，提高产量的方法并不只是多建几家工厂，技术升级将是三星以后提高芯片产量的主要途径。
关键字：
三星 40nm DRAM DDR3
Globalfoundries位于欧洲的晶圆代工厂已经开始承接40nm芯片代工，剑指22nm制程的晶圆厂也在纽约破土动工。台积电作为芯片代工领域的带头大哥，它将怎样接招迎敌
只要是在摩尔定律行之有效的地方，企业就必须跟上它的步伐，为此才能在市场上占有一席之地。
8月11日，台积电董事会宣布，决定投资11.17亿美元，以扩充旗下12英寸晶圆厂的45/40nm制程产能，并新上马32/28nm相关制程。据此间观察人士分析，台积电如此大兴土木，完全是因应欧洲新竞争对手表现出来的咄咄逼人之势。
关键字：
Globalfoundries 40nm 晶圆代工
Nvidia公司CEO 黄仁勋将在10月中下旬赴台会见主板和显卡合作伙伴。黄仁勋预计还将和台积电主席张忠谋会面，讨论40nm制程的合约价。
黄仁勋预计还将查看台积电的40nm工艺，台积电宣称7月该公司40nm工艺良率已从30%升至60%，到10月缺陷密度将降至0.2。黄仁勋还将查看Nvidia即将在12月上市的GT300 GPU的进展。
同时，张忠谋准备和黄仁勋讨论双方在28nm工艺上的合作，台积电28nm工艺将在2010第一季度试产，并在2011年对外销售。
黄仁勋还将拜访VIA
关键字：
Nvidia 40nm 28nm
全球能源问题的集中爆发，让半导体产品的发展不再仅仅追求性能的提升，而是要综合考虑性能、功耗与成本的平衡点。与众多先进电源管理方案实现降低系统功耗相比，制程工艺的进步才是提升性能和降低功耗最根本的办法，转向更高制程无疑是提升半导体产品性能功耗比和市场竞争力最直接有效的办法。
市场研究机构Gartner Dataquest产业分析师Kay-Yang Tan表示，过去数十年来，集成器件制造商(IDM)在工艺技术及服务的创新方面扮演领航者的角色，未来也将继续在新一代产品的开发上扮演重要的角色。同时，专业
关键字：
台积电 DRAM 40nm 45nm 200909
虽然PLD公司之间的竞争一直非常激烈，但ASIC仍然是我们主要的竞争对手。而竞争的结果是客户趋向于使用可编程解决方案。相信PLD产业会持续扩大市场份额，加速替代ASIC。
在过去几年中，半导体产业整体上经历了明显的衰退。而这一衰退对于可编程逻辑器件(PLD)行业来讲实际上却是很好的发展机会。虽然PLD公司之间的竞争一直非常激烈，但ASIC(专用集成电路)仍然是我们主要的竞争对手。而竞争的结果是客户趋向于使用可编程解决方案。
相对于10年前，目前采用前沿技术实现一个ASIC设计的成本几乎翻了
关键字：
PLD ASIC FPGA 40nm
国外的消息报道，Globalfoundries的Jensen表示，由于目前台积电已经拥有了200多家客户厂商，因此NVIDIA很难在其中立足为中心客户，而这样的现象也存在于其他的晶圆生产厂商，包括Globalfoundies在内。
不过目前来看，NVIDIA确实需要从中选择一家工厂，以便他们开展最新的28nm GPU的研发。并且NVIDIA需要从现在就马上开始，才会在两年后完成，甚至需要更久。而Globalfoundies工厂则很有可能会是NVIDIA的被选之一，不过目前来看，可能性较小。
关键字：
Globalfoundries GPU 40nm 28nm
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx, Inc. ) 今天宣布在IDG集团下属权威电子杂志《电子设计技术》(EDN China)正在举办的2009年度创新奖评选中，其40nm 高性能Virtex®-6 FPGA 系列与目标设计平台从数百项报名产品中脱颖而出，双双获得提名进入最后入围产品。
“赛灵思目标设计平台获得这一电子业界著名奖项的提名，再一次充分证明电子业界越来越重视推动FPGA进入主流系统开发的新方法的需求。” 赛灵思公司产品与解决方案管理
关键字：
Xilinx Virtex 40nm 目标设计平台
据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经在110nm制
关键字：
尔必达 40nm 内存芯片 50nm
尔必达和Numonyx已经推迟它们的代工计划达6个月。NOR闪存大厂Numonyx原本与尔必达签约的第一个代工订单，计划在2009年中期开始量产，如今要推迟到2010年的上半年。
尽管近期DRAM价格回升及日本政府为尔必达注资，可是对于存储器制造商尔必达最大的问题是如何生存下来。显然尔必达还不可能如奇梦达同样的命运，退出存储器。但是日本存储器制造商需要经济剌激，因为从长远看能生存下来可能是个奇迹。
前些时候尔必达CEO己经把尔必达的生存问题提高到日本国家的利益上。但是仍有人质疑为什么要支持
关键字：
尔必达 DRAM 50nm 40nm
8月7日消息 据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经
关键字：
尔必达 DRAM 40nm 50nm 60nm
日前，LSI 公司宣布推出业界首款 40nm 读取信道芯片 TrueStore® RC9500，旨在支持各种尺寸和容量的从笔记本到企业级的 HDD。RC9500 现已开始向硬盘驱动器 (HDD) 制造商提供样片。RC9500 采用新一代低密度校验码(LDPC) 迭代解码技术，不仅使 HDD 的数据存储容量提高了 10% 以上，降低了读取信道的功耗，同时还实现了业界领先的性能，数据传输速率超过4.0Gb/s。
IDC 的 HDD 研究部主管 John Rydning 指出：“H
关键字：
LSI 40nm TrueStore RC9500 HDD
AMD 首次公开承认 Radeon HD 4770 无法大量供货与台积电40nm良品率不足有关，据AMD欧洲区技术公关经理 Antel Tungler 于公开场合表示，AMD只能无奈地以Radeon HD 4850降价及推出基于55nmRV770 的Radeon HD 4730填补RV740的空缺。他并表示，以目前台积电40nm制程技术的良品率状况，的确无法满足目前市场对Radeon HD 4770 的需求，因此目前AMD正与台积电紧密合作试图解决问题。
为了减低 Radeon HD 4770
关键字：
台积电 40nm GPU 笔记本显卡
在全球经济萎缩引发的半导体产业恶化的新环境、突破更高性能采纳的更低节点的新工艺、以及来自竞争对手和客...
关键字：
40nm FPGA
“我们新的管理团队大部分人来自ASIC公司。”在Xilinx二十五周年庆典之时，Xilinx全球副总裁汤立人风趣的说道，“他们也是因为看到了ASIC已达到局限性，因此决定‘弃暗投明’了。”
继Altera于2008年底发布了首款基于40-nm技术的FPG
关键字：
FPGA 40nm ASIC
Avago在40nm CMOS工艺技术上取得20 Gbps的SerDes性能表现。延续嵌入式SerDes应用长久以来的领导地位，Avago的40nm内核为公司第七代高性能SerDes IP，而SerDes的出货总通道数也已经超过了六千万。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC产品上拥有辉煌的纪录，目前又在TSMC的40nm CMOS工艺上取得达成高达20 Gbps的SerDes设计，进一步迈入新的里程碑。安华高是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。
非
关键字：
Avago 安华高 40nm CMOS
40nm介绍
您好，目前还没有人创建词条40nm!
欢迎您创建该词条，阐述对40nm的理解，并与今后在此搜索40nm的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473