- 据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。
会上蒋尚义还透露了台积电28nm制程推进计划的细节，据他表示，台积电将于今年6月底前开始试产28nm低功耗制程(LP)产品，基于这种制程产品将采用SiON+多晶硅材料制作管子的栅极绝缘层和栅极;随后的9月份台积电计划启动首款基于HKMG
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台积电 40nm 芯片
- 三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35%，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
三星指出，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换
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三星电子 40nm DDR3
- 在近日举办的Nvidia公司季度财报会议上，公司高管表示Nvidia公司去年第四季度本可售出更多数量的显卡产品，不过由于代工商方面的40nm制程 产能有限，因此无法及时供应足够数量的显卡芯片，公司未能达成预期的销售目标。Nvidia高管并估计公司因此而遭受的损失在1-1.5亿美元左右。
Nvidia公司在会上表示目前全球40nm制程产品的产能仍较为有限，并且这种产能低下的状态可能会延迟到今年上半年。尽管没有指明道姓，但作为Nvidia公司第一代工商的台积电公司显然难辞其咎;不过，其客户Nvidi
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台积电 40nm GPU
- Nvidia公布了强劲的季度数据，但该显示芯片巨头称公司仍然受代工厂商产能限制的困扰。
据报道，Nvidia正在受其代工合作伙伴TSMC 40nm产能短缺的困扰。TSMC 40nm制程遇到了良率问题，但该公司称主要问题已经得到解决。
Nvida受TSMC产能的影响。在一次电话会议上，Nvidia宣称本季度公司本可以出货更多芯片。Nvidia称因此减少的销售额约为1亿至1.5亿美元。
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Nvidia 显示芯片 40nm
- 华邦电子公司的总裁詹东义近日宣布，华邦公司将于年内开始40nm制程工艺的开发，不过华邦拒绝就其将于尔必达合作进行40nm制程产品制作的传言进行评论。华邦公司今年的资本支出预算为67亿新台币(约20.2915亿美元)，比去年的42亿新台币有较大增长，据悉开发40nm制程所需的费用已经包含在今年的预算中。
公司计划将旗下12英寸芯片厂的月产能由目前的3.2万片提升到3.4万片左右，另外公司还计划将NOR闪存芯片12英寸晶圆的月产能由现有的月产4000片提升至6000片。
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华邦电子 40nm NOR闪存芯片
- 据Jon Peddie Research市调公司最近的调查数据显示，去年四季度Intel公司的集显产品销售成绩相当不错，而AMD和Nvidia的相关市场份额则相比前年同 期均有不同程度的下跌。
据JPR的调查数据显示，AMD公司在笔记本集显GPU市场上的份额有所增加，不过他们在台式机以及笔记本平台上的独显市场份额则出现了下降现象--估计是由于台积电40nm制程良率不佳的影响。于此同时，Nvidia公司台式机平台的独显市场份额则出现了提升，而在集显市场上出现了下跌--这种下跌的
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AMD GPU 台积电 40nm
- 全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx, Inc. )与全球领先的半导体代工厂商联华电子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共同宣布，采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex®-6 FPGA，已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步提升良率、增强可靠性并缩短生产周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通过生产验证， 意味着联华电子继2009年3月发布首批基于40nm工艺的器件后，正式将该工艺转入量产。
“对于我们长
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Xilinx 40nm Virtex FPGA
- 据台积电公司高级副总裁刘德音最近在一次公司会议上表示，台积电40nm制程工艺的良率已经提升至与现有65nm制程相同的水平，他并表示公司已经完美解决了先前造成40nm制程良率不佳的工艺腔匹配(Chamber matching)问题.
台积电19日举办了一场庆祝Phase5新厂房完工的庆典仪式，这间厂房隶属于新竹科技园区的台积电Fab12工厂.据悉新完工的Phase5厂房将于今年第三季度起开始批量投产28nm制程产品。
另据刘德音表示，台积电正在计划兴建Fab12 Phas
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台积电 40nm 65nm
- 据业者透露，包括台积电在内的各家芯片生产公司目前的40nm制程良率均无法突破70%大关。这种局面恐将对下一代显卡和FPGA芯片等产品的市场供货造成一 定的影响。台积电不久前在股东会上曾透露40nm制程产线遭遇工艺腔匹配问题，由此造成40nm产品良率不佳，不过目前他们去年底似乎已经解决了这个问 题。
另外，联电目前也正在其12英寸厂房中实施40nm制程芯片的量产。据业内人士透露，目前提供40nm制程FPGA芯片代工服务的Xilinx公司也出于保险起见开始推行多品种经营策略，以免受到40nm制程良率
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台积电 40nm FPGA
- 据AMD官方确认，台积电公司40nm制程工艺的良率已趋于稳定，而尽管AMD/ATI公司的HD5800系列显卡的价格仍保持在较高的水平，但其供货量已经恢复到了正常的水平。
今年十月份左右的时段，台积电公司40nm制程工艺的良率曾一度仅达到40%左右，导致台积电的两个主要客户AMD/ATI以及Nvidia两家公司的相关显卡产品出现了较为严重的缺货现象，不过台积电高层曾承诺称其40nm制程良率会在年底回复正常水平，看起来他们这次的承诺算是兑现了。
今日新蛋网店上的HD5800系列显卡上货率也恢复
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台积电 40nm HD5800
- 尔必达公司近日宣布其位于广岛的芯片厂已经开始量产40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，尔必达公司今年10月份刚刚完成40nm制程2Gb DDR3内存芯片技术的开发工作，而他们只用了两个月的时间便将这项技术投入了量产。
比较现有的50nm制程技术，40nm制程能在每片晶圆上多产出44%的DDR3内存芯片，而且新制程用于生产1.6Gbps规格的DDR3内存芯片时的良率可达100%。芯片工作电压方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的产品的1.5V降低了2/3左右，达到1
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尔必达 40nm 2Gb DDR3
- Hynix公司近日宣布成功开发出了业内首款面向PC机和游戏机的40nm制程2Gb GDDR5显存颗粒产品。Hynix称这款新开发出来的GDDR5显存运行频率可达7GHz，在芯片位宽为32位的条件下，芯片的传输带宽可达 28GB/s.这款GDDR5芯片的工作电压为1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5产品能耗可下降20%左右。
Hynix公司计划于明年下半年开始量产这种40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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Hynix 40nm GDDR5 显存芯片
- 据称，全球第一大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺，算上一直不顺利的40nm工艺真可谓是屋漏偏逢连夜雨了。
台积电方面尚未就此发表官方评论，不过已经有多个消息来源确认了这一点。
不过这并不意味着台积电的新工艺研发就走进了死胡同。
事实上，台积电在今年八月底就已经在全球首家成功使用28nm工艺试制了64Mb SRAM单元，并在三种不同工艺版本上实现了相同的良品率。
按照规划，台积电将在明年前三个季度分别开始试产28nm高性能高K金属栅极(28HP)、28nm低功耗
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台积电 32nm 40nm 高K金属栅极
- 韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。
这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。
Hynix宣称
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
- 据台湾内存业者透露，由于越来越多的内存芯片厂商都在积极转向下一代制程技术，因此这种彼此间的良性制程竞赛将令内存芯片的生产成本在明年之内将出现较大幅度的下降。
目前，韩国三星电子的内存芯片产品已经有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已经开始小批导入40nm制程。预计到明年下半年，40nm制程将成为三星的主力制程，三星也将由此再一次占据业内领先的地位。
日本尔必达公司则很快会开始启用其改进版65nm制程，尔必达将这种制程称为Extra 65nm。并将随后于明年转移到
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三星电子 40nm 56nm 内存芯片
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