尔必达宣布40nm制程2Gb DDR3内存芯片已投入量产

　　尔必达公司近日宣布其位于广岛的芯片厂已经开始量产40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，尔必达公司今年10月份刚刚完成40nm制程2Gb DDR3内存芯片技术的开发工作，而他们只用了两个月的时间便将这项技术投入了量产。

　　比较现有的50nm制程技术，40nm制程能在每片晶圆上多产出44%的DDR3内存芯片，而且新制程用于生产1.6Gbps规格的DDR3内存芯片时的良率可达100%。芯片工作电压方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的产品的1.5V降低了2/3左右，达到1.2V/1.35V的水平,而芯片能耗则可下降50%左右。

　　根据尔必达的计划，他们将首先在广岛工厂进行40nm 2Gb DDR3内存芯片的量产，随后将于明年第二季度在其位于台湾的合资厂瑞晶的厂房中开始生产这种芯片，以便提升芯片的产能，减小生产成本。另外，视内存市场的发展状况，尔必达公司还有可能会将这种制程技术转让给其在台湾的合作伙伴如华邦，茂德等，以便进一步提升芯片的总体产能。