- 韩国三星电子2011年2月17日为具有三维(3D)影像显示和双向交互功能的“智能TV”举行了新产品发布会。该公司介绍了新产品的三个特点：(1)改善了3D影像的画质;(2)可以轻松选择多种内容观看;(3)将显示部边框宽度缩小至5mm。价格方面，“D7000系列”的46英寸产品为400万韩元出头，55英寸产品为550万韩元出头，“D8000系列”的46英寸产品为430万韩元出头，55英寸为580万韩元出头。该公司计划2011年共计销售1200万台新产品。
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三星 3D
- 中国台湾国立台湾大学与TSMC今(16)日共同发表产学合作成果，成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片，可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破，该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISSCC)正式发表。
现行的3D影像技术，是利用仿真人类左右眼的不同视角所看到的影像所制成，仅能提供观众固定角度的3D影像。此次台湾大学DSP/IC设计实验室研发的3D电视机顶盒芯片，能让观众无论在任何位置都可以看到不同
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TSMC 40纳米 3D TV芯片 大学
- 虽然3D电视的长期市场前景仍然光明，但短期挫折已促使消费电子产业重新评价该产品。2011年消费电子展(CES)上的电视厂商的看法明显变化，证明了这点。
去年CES的主题是3D电视时代即将来到。但在2011年CES上，品牌厂商不再强调3D电视，转而突出3D是电视内部的一项功能，消费者可以根据自己的喜好加以使用。
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CES 3D
- 在行动装置显示器市场上，众所皆知的两大发展趋势是3D与触控。也因此，众人开始想像，若能将这两项技术合并为一，使得行动装置显示器既是3D显示，又能兼具触控功能，何乐而不为。尽管许多人引颈期盼两者的联姻，然而专家认为，3D与触控在行动装置上门当户不对，特别是3D要入主行动装置，可能还有一段遥远的路要走。
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- 1月12日，国务院总理温家宝主持召开国务院常务会议，研究部署进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的政策措施。为鼓励软件和集成电路产业发展，会议确定了6项政策措施。预计在未来两个季度中，相关实施细则将会出台，之后地方政策也将陆续制定完毕。这样，在今年内，软件和集成电路行业将执行新的行业扶植政策。
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- 在美国时间1月9日在拉斯维加斯完美闭幕。在本次展会上共有来2500多家参展厂商将展示20000多件新产品。2011的CES国际消费电子产品展览会的主题将围绕着3D技术、4G网络、无限互联等领域，相比去年的消费电子产品，在各大厂商的展台上，我们看到了更多平板电脑、双核4G产品亮相。
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CES 3D
- “精品与垃圾起飞，概念共忽悠一色”足以诠释各式各样的展会，CES规格虽高，终究不能逃脱这一谶语。总有一些打着概念产品的幌子，却不能增加一丝GDP的产品招摇过市，车展如此，消费电子展亦如此。在CES渐入高潮时，我们也来扒扒CES2011上那些中看不中用的货。
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CES 3D
- 目前3D显示技术主要可以分为眼睛式和裸视式，眼睛式3D显示技术发展较早，解决方案也比较成熟，在商用领域已经应用多年，今年以来上市的3D平板电视也全部为眼睛式产品。但是眼睛式3D电视需要佩戴定制的3D眼镜，对于已
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- 东芝发力中国液晶电视市场。东芝宣布，2011年东芝在华的LCD液晶电视销售目标为200万台，将是2010年的4倍。
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东芝 LCD 3D
- 罗姆(ROHM)半导体成立于1958年，产品群55.7%是IC，即LSI(大规模集成电路);分立器件占32.2%;还有一些显示器和无源元件。该公司的特色是从开发到生产的一体化机制;为客户做design-in服务同时为了保证稳定和高质量的供货，在全球各地设有生产体系。
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罗姆 IC 201012
- 如何控制IC的功耗,在许多设计中，功耗已经变成一项关键的参数。在高性能设计中，超过临界点温度而产生的过多功耗会削弱可靠性。在芯片上表现为电压下降，由于片上逻辑不再是理想电压条件下运行的那样，功耗甚至会影响时序。为了处理功
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功耗 IC 控制 如何
- 目前3D显示技术主要可以分为眼睛式和裸视式，眼睛式3D显示技术发展较早，解决方案也比较成熟，在商用领域已经应用多年，今年以来上市的3D平板电视也全部为眼睛式产品。但是眼睛式3D电视需要佩戴定制的3D眼镜，对于已
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分类 缺点 技术 显示 立体 3D
- 2010年，3D电视凭借着《阿凡达》的隆重上映而火爆整个彩电市场，目前不仅有三星、索尼、LG、TCL、海信、康佳、创维、长虹等多家彩电厂商推出了带有3D功能的平板电视，而且出众的立体画面效果，也逐步得到了广大消费者
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原理 解析 技术 显示 立体 液晶电视 3D
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
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