- 这种方法主要是对每一种病毒含有的特定字符串进行扫描，如果在被检测对象内部发现了某一种特定字节串，就表明发现了该字节串所代表的病毒。国外称这种按搜索法工作的病毒扫描软件为“Scanner”。
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硬盘 内存 病毒
- DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。
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DDR3 DDR2 内存 CPU
- 3D电影现在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理吗?不知道的话，就随小编一起来学习一下吧~~~
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3d原理 3D
- 近日科学家为身在国际空间站或者执行火星任务的宇航员研发了一种虚拟现实3D帽舌。佩戴该帽舌的宇航员可以看到覆盖在现实世界之上的虚拟图像，后者能够辅助宇航员独自进行外科手术治疗疾病。
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3D 太空手术 创新技术
- 加拿大皇后大学人类媒体实验室研究员研发成功的“TeleHuman”3D全息投影设备，能将科幻片中经常出现的3D虚拟投影变成现实。这款设备开发本意就是用3D全息影像来代替现有的平面视频会议.
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3D 全息投影技术 远程医疗
- 随着移动互联网的持续发展以及物联网的高速增长，移动宽带技术不断向前演进。移动宽带技术的发展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移动用户连 接数预计将达到70亿，覆盖全球96%以上的人口，其中3G和4G移动用户连接数之和也将达到24亿，占据全球总量的三分之一以上。这些数据表明MBB业 务正在快速增长。
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移动通信 天线技术 创新 3D-MIMO 波束智能赋型
- 单片机执行指令过程详解 单片机执行程序的过程，实际上就是执行我们所编制程序的过程。即逐条指令的过程。计算机每执行一条指令都可分为三个阶段进行。即取指令-----分析指令-----执行指令。 取指令的任务是：根据程序计数器PC中的值从程序存储器读出现行指令，送到指令寄存器。 分析指令阶段的任务是：将指令寄存器中的指令操作码取出后进行译码，分析其指令性质。如指令要求操作数，则寻找操作数地址。 计算机执行程序的过程实际上就是逐条指令地重复上述操作过程，直至遇到停机指令可循环等待指令。 一般计算机进
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MCU 内存
- 正在进行经营重建的日本东芝公司有意出售旗下半导体业务子公司「东芝内存」，目前考虑快则下个月实施第3次竞标作业。
东芝打算出售「东芝内存」的作业，19日是第2次竞标作业截止日，预计筛选出2个阵营，然后快则下个月实施第3次竞标作业。 一般认为，此举目的在于抬高东芝内存的出售价码。
东芝于3月底实施的第1次竞标作业，通过竞标的有台湾的鸿海、美国投资基金KKR与日本官民基金日本产业革新机构合作、南韩SK海力士、美国博通以及西部数据。
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东芝 内存
- 《ZDnet》报导，周二 (16 日) 调研机构顾能 (Gartner) 发布了 2016 年全球半导体市况报告，英特尔 (INTC-US) 2016 年营收为 540.9 亿美元，市占率达 15.7%，依然是全球最大的半导体龙头，而三星电子 (Samsung Electronics) 及高通 (QCOM-US) 则紧追英特尔之后。
据顾能 2016 半导体市况报告显示，三星电子 2016 年营收为 401 亿美元，市占率为 11.7% 居全球第二，而高通营收则为 154 亿美元，市占率为 4.
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半导体 内存
- 由于内存价格短期内仍看不到大幅下滑的迹象，在未来几季，三星电子很可能将首度超越英特尔，成为全球半导体产业营收最高的公司。
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英特尔 内存
- DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩尔定律 3D NAND
- 随着挑战 3D Xpoint 的非易失性存储技术逐渐出现，传统的 NAND Flash 依然有很长的路要走，直到 2025 年，这个技术都是安然无忧的。 因此，NAND Flash 暂时不会被 3D Xpoint 技术取代。
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内存 DRAM
- 东芝(Toshiba)令人垂涎的内存业务第二轮竞价即将在几周内展开，但其程序的不透明，暴露了日本政治人物、官僚体系、企业领导人以及金融圈之间的利益分歧;许多观察家将这种持续加深的分歧，归咎于正折磨着日本半导体产业的不满情绪。而且，该竞标程序已经成为一个高度政治化的焦点，这也是为什么日本媒体对该事件如此关注。
不过在指出东芝内存业务竞标程序的漏洞之前，我们得看清楚在这场赌局上有哪些玩家：在第一轮竞标时，东芝将出价者范围缩小为仅四家厂商──WD (Western Digital)、Broadcom、
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东芝 内存
- 内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不过
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内存 NAND
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