三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升，节省电力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
在 Linux 上进行开发和运营维护的时候免不了要查看某一个程序所占用内存的情况有很多个命令都可以达到我们的需求这里给大家列举几个top p pid 查看程
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Linux 程序 内存
最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高，许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中，又以三星电子率先在这场竞争中获益最多，取得领先地位。
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3D NAND 三星
存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前，我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起，以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发，使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示，2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市，紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品，这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。
美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示，美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品，锁定中、高阶智能型手机市场，此区块市场占全球智能型手机总数的50%。
而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。
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目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝杀入敌营，如今美光也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，3D NAND flash大战即将开打!
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美光 3D NAND
据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。
市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。
清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面
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三星 3D NAND
福建省晋江市举办了“国际集成电路产业发展高峰论坛”。在高端对话环节，部分企业家、协会领导、研发人员提出了发展内存/DRAM产业的思路和建议，对从较为落后的情况下赶超先进提供了启迪。
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内存 制造 晋华 201608
蓝色的户外顶棚像鼓足的风帆，帆下高朋满座，来自政府、科学院和企业的领导与学者济济一堂，参加7月16日在福建省晋江市举行的晋华集成电路公司的开工仪式。
晋华素描
据悉，作为国家发展集成电路产业的重大战略部署，该项目已成为国家首批重点支持的DRAM存储器生产项目，并获得国家第一笔专项建设扶持基金30亿元。项目总规划面积594亩，一期投资370亿元，建设内容包括晶圆制造、产业链配套等，预计2018年9月形成月产6万片内存晶圆的生产规模。二期形成12万片产能。并最终期待上市。
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东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND Flash产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。
关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash，成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。
东芝为全球第2大NAND Flash厂商，市占率仅次于三星电子。
日经、韩国先驱报(
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东芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下简称Cell on Peri)构造由美光(Micron)与英特尔(Intel)阵营开发，采用将3D NAND Flash晶胞(Cell)阵列堆叠在周边电路CMOS逻辑IC上的方式，以缩减采3D NAND Flash解决方案的晶片面积。DIGITIMES Research观察，三星电子(Samsung Electronics)已提出类似此一构造的COP(Cell Over Peri)方案，将有利整合元件厂(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆叠架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层
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三星 3D NAND
触摸屏的保护玻璃，又称之为保护盖，用来保护显示屏和触控面板。为了适应智能机的不同设计需求，保护玻璃有不同的形状。保护玻璃通常位于显示器和触控面板 的顶部，再根据保护玻璃的形状分为2D，2.5D和3D等。随着智能手机厂商越来越在外形和时尚设计方面竞争，舒适的手感和灵敏的触控反应越来越重要，这 也鼓励着触控面板厂商开发形状更好的保护玻璃。
2016年用于手机的3D保护玻璃出货量预计将增至4,900万片，占手机用保护玻璃市场总量的3.1%。IHS预测2017年其出货量将飞涨103.9%达1亿片的规模，
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