不久前，Altera公司公开了在其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术，通过在20 nm的体系结构、软件和工艺的创新，支持更强大的混合系统架构的开发。日前，Altera公司资深副总裁首席技术官Misha Burich博士专程来到北京，详细介绍了创新技术的细节。
据Misha Burich博士介绍，Altera的20nm混合系统架构包括40-Gbps收发器技术、下一代精度可调数字信号处理(DSP)模块体系结构以提供高达5 TFLOP(每秒5万亿次浮点运算)的IEEE 754标准浮点运算性能、
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Altera 20nm 收发器
不久前，Altera公司公开了在其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术，通过在20 nm的体系结构、软件和工艺的创新，支持更强大的混合系统架构的开发。日前，Altera公司资深副总裁首席技术官Misha Burich博士专程来到北京，详细介绍了创新技术的细节。
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Altera 20nm FPGA 201210
台积电研发副总侯永清表示，以上参考流程能够完整的，将台积电先进的20奈米与CoWoS技术提供给晶片设计业者，以协助其尽早开始设计开发产品。而对于台积电及其开放创新平台设计生态环境伙伴而言，首要目标即在于能够及早、并完整地提供先进的矽晶片与生产技术给客户
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台积电 20nm CoWoS
至于智慧型手机晶片，现在多采28或32奈米制程，明年良率会倍增到75%，吸引更多手机大厂采用。德意志证券预估，明年约有75~100%智慧型手机搭配28或32奈米制程的晶片，整体半导体产业又向前跨一步。
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台积电 20nm
注2：doublepatterning(两次曝光)：20nm后需要两次曝光或多次曝光。28nm到20nm时，设备不用做大的改变，但是设计手段要变。因为20nm后，设计间距太窄了，一次曝光会使光线无法穿过，或者穿过的光线大大失真。doublepatterning就像两个人坐在一起，为了加大间距，中间可隔开一个位置。因此，人们把一层金属拆成两个mask(掩膜)，这样间距加大，光的不良效应就降低。方法是第一次曝光奇数行，第二次偶数行。
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20nm 3D
ARM和Globalfoundries都没有透露双方合作将持续多长时间，但鉴于20nm工艺节点还有很长的一段路要走，台积电也不必太过担心于增加28nm工艺节点的产量。
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ARM 20nm
近日，ARM和Global Foundries签订了一个长期协议，将一起研发生产下一代移动系统级(SoC)芯片。届时，两家公司将合力开发生产20nm芯片，并在生产过程中使用FinFET加工技术。另外，根据这个协议，ARM还需要着手开发 Artisan Physical IP 平台，其中包括电池库、记忆卡及POP IP解决方案。
而研发生产出来的芯片将用于下一代的智能手机、平板电脑和超级本。
据报道，Global Foundries生产的20nm LPM技术将可提升芯片40%的性能表现。
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ARM 20nm
芒果啤酒对于半导体设计与制造业有什么贡献?我从未想象过，在一张来自世界各地的啤酒爱好者的表单中，果味啤酒会通过一项味觉测试。事实证明，芒果啤酒非常好!同样的道理，20nm曾经被认为华而不实，不会投入量产，不会微缩，但事实证明20nm非常好。那些前沿的无晶圆厂商们6个月前还在挠头纠结，现在已经在规划着明年第一季度20nm的流片了。
20nm工艺节点是电子产业的转折点。它带来巨大的动力、性能和面积优势，同时带来了光刻技术、可变性和复杂性等挑战。然而令人欣慰的是，通过在端到端、集成设计流程中使用EDA
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半导体 20nm IDM
意法半导体宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。
多媒体融合应用需要性能
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意法半导体 20nm 28nm
全球智能手机市场近几年来出现爆发式增长，智能手机迅速对功能手机进行更新换代，高端智能手机的需求也同样增长迅猛。但目前最高端的28纳米尺寸芯片的缺货，可能对高端智能手机的出货产业影响。虽然日前分析家称，苹果公司下一代iPhone的发布计划不会受到高通公司28纳米芯片缺货的影响，但高通公司13日也承认28纳米芯片供给吃紧，问题要等到今年10~12月才能得到缓解。
28纳米芯片缺货
随着越来越多的人开始使用手机和平板电脑上网、玩游戏和看视频，对移动设备芯片的需求也在增加。据美国市场研究公司com
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ARM 20nm 28nm
最近，有关于三星存储器生产项目落户西安的新闻充斥网络，引起了很大的争议。
该项目是三星电子继1996年于美国奥斯汀之后第二次在海外设立半导体生产工厂，同时是三星电子海外投资史上最大的项目，也是我国西部地区迄今为止最大的外商投资高新技术项目。该项目主要包含20nm工艺存储芯片生产线以及相关研发中心，三期预计总投资300亿美元，第一期约70亿美元，将坐落于西安市长安区兴隆乡，毗邻西安电子科技大学，计划今年开工，明年年底前投产。
争议的焦点不在于三星此次投资的规模，而在于西安方面给出的优惠政策。
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三星 20nm 生产线
根据官网消息，台积电于今日在台南科学工业园区举行Fab 14超大型晶圆厂五期奠基仪式。此前本站曾经报道台积电Fab 14五期将可极大缓解28nm制程工艺产能不足的现状，但从今日公告看来其意义远不仅仅如此。
台积电称，今日奠基的Fab 14五期将是台积电继新竹园区Fab 12六期之后第二座具备20nm制程工艺生产能力的超大型12英寸晶圆厂，预计将于2014年初进行量产。两座晶圆厂总无尘洁净室面积高达87000平方米，超过11个足球场的面积，是一般2英寸晶圆厂的4倍。台积电称该公司的20nm制程工艺
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台积电 20nm
通用平台联盟的三巨头IBM、GlobalFoundries、三星电子将于今年3月14日(德国汉诺威CeBIT 2012展会之后一周)在加州圣克拉拉举行2012年通用平台技术论坛，主题是“预览硅技术的未来”(previewing the future of silicon technology)。
届时，三大巨头将会联合介绍在28nm、20nm、14nm等一系列新工艺技术上的发展和开发情况，同时还会展望下一代450毫米晶圆——比现在流行的300毫米大
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IBM 20nm
台湾TSMC公司宣布，该公司目前已经开始了旗下Fab15(Gigafab)工厂的phase3厂房建设，新厂房将会被用于20nm以及更先进的生产工艺。
TSMC于2010年7月开始了Fab15,phase1的建设，并于2011年年中完成了设备的安装，计划于2012年年初投入生产。与此同时，Fab15,phase2于2011年年中开始建设，计划于明年投入生产。Fab15/1和Fab15/2预计将会每年带来约30亿美元的产值，而phase3在不久的未来也将会达到相似的规模。
TSMC公司主席Mo
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TSMC 20nm
法国研究机构SPINTEC与开发MRAM技术的Crocus Technology共同开发出了将热辅助切换(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技术。并在2011年10月31日于美国亚利桑那(Arizona)州斯科茨戴尔(Scottsdale)开幕的磁技术国际会议“56th MMM”的首日进行了发布。
TAS技术是一项边用加热器对MTJ元件存储层进行加热，边写入数据的技术。对存储层进行加热后，矫顽力会
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MRAM 20nm
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