联电将跳过20纳米(nm)制程节点，全力卡位14纳米鳍式电晶体(FinFET)市场。由于20纳米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联 电已计划在量产28纳米后，直接跨过20纳米节点，加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世代，以与台积电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一较高下。
联电市场行销处处长黄克勤表示，20纳米制程带来的效益将不 如从40纳米演进至28纳米的水准，且须导入双重曝光(Double Patterning)方案，势将增加一笔可观花费
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联电 20nm
美国记忆体大厂美光科技(Micron Technology Inc.)最高营运负责人(CEO)Mark Duncan于7月31日接受访谈时表示，在获得美光的奥援下，正进行破产重整的全球第3大DRAM厂尔必达(Elpida)将领先三星电子(Samsung Electronis)等南韩厂商于今(2013)年内量产全球最先端、采用20nm制程技术的DRAM产品(现行最高为25nm)。Mark Duncan表示，将融合美光及尔必达的技术，利用尔必达旗下主力12寸晶圆厂「广岛工厂」量产上述20nm产品，初期将生
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尔必达 20nm DRAM
还记得就在不久前还在讨论中国迅速崛起成为半导体制造重镇之势不可挡吗?如今看来，这一趋势并不见得真的会发生。
在21世纪初，包括中芯国际(SMIC)等几家中国本土代工厂突然活跃起来了。由于中国具有劳动成本相对较低以及来自中国大学大量培育的新工程师等优势，许多人都认为中国迟早都会成为全球半导体制造业的重要据点。
根据市场研究公司IC Insights的最新统计资料显示，2012年全球晶片市场产值达到了2,920亿美元，其中来自中国制造的晶片只占3.5%;中国晶片市场约有810亿美元规模，其中当
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SMIC 20nm
ARM的下一步棋怎么走?看起来在今年前两个季度“表现平平”的它，在英特尔的一波Haswell的大浪下变得似乎没什么存在感了。不过，当下的一条消息让我略感它正在酝酿一场反击之战。
有消息称，基于ARM架构的20nm制程工艺移动处理器正在被台积电和格罗方德半导体股份有限公司研发中，而预计问世时间就在明年。同时，据了 解在20nm制程的帮助下，新一代的ARM架构处理器的主频将突破现在28nm制程的2.3Ghz，从而最终达到3.0Ghz。
除此之外，20nm制程工艺还将帮助
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ARM 20nm
苹果的去三星化终于迈出了最关键的一步，“抢亲的”就是台积电：业内消息称，台积电及其IC设计服务伙伴创意电子(GlobalUniChip)已经与苹果签订了一纸三年合约，将利用其20nm、16nm、10nm等多代工艺为苹果制造未来的A系列处理器。据称，台积电将从今年7月份开始，使用20nm工艺小批量生产苹果A8处理器，12月之后投入量产。
台积电的20nm工厂目前还在安装设备，预计到2014年第一季度的时候，每月能生产5万块晶圆。
这其中的很
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台积电 20nm
GlobalFoundries全球营销执行副总裁MichaelNoonen披露称，该公司正在进行大范围、大规模的扩张，尤其是增加美国纽约、新加坡工厂的产能，以满足半导体客户移动设备的需求。
目前，GF纽约州的Fab8工厂已经能每月生产6万块300毫米晶圆。这座工厂的28nm生产线已经最终成熟，并赢得了联发科、瑞芯微等客户的大批订单，正在向更新工艺进发。
GF还称，已经向客户发出了20nm工艺的芯片样品，供产品设计和验证，同时还加速了14nmFinFET3D晶体管工艺的开发，已经做好准备在2
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GlobalFoundries 20nm
近日消息，联电召开法说会，关于外界关注的先进制程进度，即使28nm之 路仍颠簸，而老大哥台积电20nm制程量产在即，但联电执行长颜博文仍表示，他认为28nm制程会是一个“强劲、且生命周期长"(strong, and long-life node)的制程，至于20nm制程则不会成为主流制程(weak node)。他强调，联电在28nm制程过后，下一个制程很可能直接跳过20nm、往14nm走。
颜博文指出，对20nm制程而言，最大的变数并不是技术难以做到，而是双层投影(doub
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联电 20nm
联电(2303)今(8日)召开法说会，关于外界关注的先进制程进度，即使28奈米之路仍颠簸，而老大哥台积电(2330)20奈米制程量产在即，但联电执行长颜博文(见附图)仍表示，他认为28奈米制程会是一个「强劲、且生命周期长」(strong,andlong-lifenode)的制程，至于20奈米制程则不会成为主流制程(weaknode)。他强调，联电在28奈米制程过后，下一个制程很可能直接跳过20奈米、往14奈米走。
颜博文指出，对20奈米制程而言，最大的变数并不是技术难以做到，而是双层投影(dou
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联电 20nm
All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )日前宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。赛灵思20nm产品系列建立在其业经验证的28nm突破性技术基础之上，在系统性能、低功耗和可编程系统集成方面拥有着领先一代的优势。其20nm产品系列不仅能满足下一代各种各样系统的广泛需求，而且还可为ASIC与ASSP提供极具吸引力的可编程替代方案。
赛灵思公司可编程平台产品部高级副总裁Victo
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赛灵思 20nm
前不久，赛灵思(Xilinx)发表其20 nm产品路线图，在之前的28nm产品上，Xilinx声称他们领先竞争对手一代，落实了All Programmable器件战略(FPGA、SoC和3D IC)，推出了Vivado设计环境和开发套件，结合其丰富的IP资源，为市场提供了高性能、低功耗和有利于减少系统/BOM成本的产品。赛灵思公司全球高级副总裁，亚太区执行总裁汤立人表示，Xilinx在20nm产品的表现上还将保持领先一代的优势,下一代FPGA及第二代SoC和3D IC将与Vivado设计套件&ldqu
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Xilinx FPGA 20nm
All Programmable技术和器件的领先企业赛灵思公司(Xilinx)近日宣布其20nm产品系列发展战略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm产品系列建立在业经验证的28nm技术突破之上，在系统性能、功耗和可编程系统集成方面继续领先。
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赛灵思 20nm SoC 201212
台积电28nm良率大幅提升的利好还没被市场彻底消化，FPGA业界双雄已争先恐后地发布20nm FPGA战略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅跃升，蚕食ASIC之势将愈演愈烈。在45nm工艺节点，大量ASIC厂商率先量产;而到了28nm工艺时代，率先量产的7家公司中已有两家是FPGA厂商;在20nm时代，FPGA或将拔得头筹。
超越简单工艺升级
FPGA向下一代工艺演进并不是“升级”那么简单，需要诸多创新技术应对挑战。
迈向更高工艺是市场驱动力所致。&ldquo
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台积电 FPGA 20nm
大约在近半年前，Altera公司CTO Misha Burich先生曾向业内媒体介绍了FPGA体系架构的演进，以及FPGA走向硅片融合的发展大趋势。所谓硅片融合，指的是业内各种不同架构的核集成于同一硅片或平台上的发展趋势，如将MCU、DSP和FPGA这几种不同架构的核集成在一个芯片上，这成为业界和FPGA行业的发展的大趋势，这是市场发展的客观需求，也已经成为整个业界的共识。2012年9月末，Misha Burich再次向业界公布了Altera 公司如何将硅片融合这一趋势落实到真正的产品上的创新技术，并
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Altera FPGA 20nm
IC设计公司与晶圆代工厂的合作将迈向类IDM模式。进入20nm制程世代，将牵动半导体设备、电子设计自动化(EDA)工具、IC电路布局与封测作业全面革新，导致产业链须投资大量资源;因此，晶圆代工厂与晶片商为避免个别财务负担过重，将更加紧密合作，并共同分摊研发设备与人力开支，加速推进20nm以下制程问世。
中国半导体行业协会IC设计分会理事长暨清华大学微电子学研究所长魏少军提到，SoC迈向3D架构后，要发挥异质晶片堆叠效益，软体应用层的重要性将更加突显。
中国半导体行业协会IC设计分会理事长暨
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高通 半导体 20nm
中国大陆半导体产业协会积体电路设计分会理事长魏少军表示，20nm制程后半导体产业生态系统将有大改变，未来晶圆代工厂将与IC设计厂以类IDM厂形式合作。
全球半导体联盟(GSA)今天举办半导体领袖论坛。魏少军应邀出席演讲20nm制程后时代IC设计业的发展挑战。
魏少军说，半导体制程技术推进至20nm后，晶片效能可望持续提升，但恐难以达到降低成本的目标。
魏少军表示，20nm制程后半导体业生态系统将有大改变，除元件架构将改变外，未来并将自过去技术导向，转为应用导向，须兼顾营运模式及技术创
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