系统级封装(SiP)的高速或有效开发已促使电子产业链中的供应商就系统分割决策进行更广泛的协作。与以前采用独立封装的电子器件不同，今天的封装承包商与半导体器件制造商必须共同努力定义可行且最为有效的分割方法。因此，需要一个规范的工程方法来确保这些上游约定能够在设计早期得以实现，这其中尤其强调预先优化SiP设计。只有这样，才能有效地评估系统选项、权衡基板的广泛分类与可用工艺、并评估各种选项的性能折衷。 下列几大因素推动了设计与实现SiP解决方案这一决策。一个最为显著的原因是S
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一、全球IC构装产业概况 由全球的IC封测产能利用率来看，2005年上半的产能利用率是从2004年第三季的巅峰开始逐渐下滑，但到2005年第二季时已跌落谷底，并开始逐季向上攀升，在2005年底时全球的封测产能利用率已达八成左右，整体表现可说是一季比一季好。2005年全球IC构装市场在2004年的增长力道延续之下，全球2005年的IC构装产值达到303亿美元，较2004年增长10.9%，预期在半导体景气逐步加温下，2006年可达336亿美元。
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一、前言 未来几年内，SiP市场出货量，或SiP整体市场的营收状况，虽然增长率都可维持在两位数的成长，但每年的增长率都会有微幅下滑，主要有以下几点原因。首先，由于SiP目前的主要应用市场仍集中在手机部分，而全球手机市场几乎已达饱合的阶段，也造成SiP的极高增长率无法持续维持。其次，SiP的整合特性所造成，由于许多SiP主要应用系统产品持续往低价方向发展，使得厂商不断将芯片封装整合，比如，2003年手机RF端原本可能具备二个SiP的模块，每个单价各1.5美元，但2007年手机RF端的SiP模块可能已经把原本
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SoC技术的发展 集成电路的发展已有40 年的历史，它一直遵循摩尔所指示的规律推进，现已进入深亚微米阶段。由于信息市场的需求和微电子自身的发展，引发了以微细加工（集成电路特征尺寸不断缩小）为主要特征的多种工艺集成技术和面向应用的系统级芯片的发展。随着半导体产业进入超深亚微米乃至纳米加工时代，在单一集成电路芯片上就可以实现一个复杂的电子系统，诸如手机芯片、数字电视芯片、DVD 芯片等。在未来几年内，上亿个晶体管、几千万个逻辑门都可望在单一芯片上实现。 SoC&nbs
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过去三十年来，实现真正的片上系统 (SoC) 的理念一直是半导体业界孜孜以求的神圣目标。 我们已经取得了巨大成就，但依然任重而道远。 用数字电路实现模拟与 RF 是真正的挑战，因为它要求不同的 IC 工艺。模拟、数字与 RF 集成已成为现实--蓝牙芯片就是很好的例证。但与 SOC 的最终目标相比，这只是模拟与 RF 电路相对不太复杂的定制
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1 为何要开发3D封装 迄今为止，在IC芯片领域，SoC（系统级芯片）是最高级的芯片；在IC封装领域，SiP（系统级封装）是最高级的封装。 SiP涵盖SoC，SoC简化SiP。SiP有多种定义和解释，其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成（System-in-3D Package），在芯片的正方向上堆叠两片以上互连的裸芯片的封装，SIP是强调封装内包含了某种系统的功能。3D封装仅强调在芯片正方向上的多芯片堆叠，如今3D封装已从芯片堆叠发展占封装堆叠，扩大了3D封
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缪彩琴1，翁寿松2 (1．江苏无锡机电高等职业技术学校，江苏 无锡 214028；2．无锡市罗特电子有限公司，江苏 无锡 214001) 摘 要：本文介绍了SIP和SOC的定义、优缺点和相互关系。SIP是当前最先进的IC封装，MCP和SCSP是实现SIP最有前途的方法。同时还介绍了MCP和SCSP的最新发展动态。 关键词：系统级封装，系统级芯片，多芯片封装，叠层芯片尺寸封装 中图分类号：TN305.94文献标识码：A文章
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集成电路的发展在一定程度上可概括为一个集成化的过程。近年来发展迅速的SiP技术利用成熟的封装工艺集成多种元器件为系统，与SoC互补，能够实现混合集成，设计灵活、周期短、成本低。 多年来，集成化主要表现在器件内CMOS晶体管的数量，比如存储器。随着电子设备复杂程度的不断增加和市场需求的迅速变化，设备制造商面临的集成难度越来越大，开始采用模块化的硬件开发，相应地在IC上实现多功能集成的需求开始变得突出。SoC在这个发展方向上走出了第一步。但受到半导体制造工艺的限制，SoC集成的覆盖面有固定的范围。随着网络与通
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电子工程的发展方向，是由一个「组件」（如IC）的开发，进入到集结「多个组件」（如多个IC组合成系统）的阶段，再随着产品效能与轻薄短小的需求带动下，迈向「整合」的阶段。在此发展方向的引导下，便形成了现今电子产业上相关的两大主流：系统单芯片(System on Chip；SoC)与系统化封装(System in a Package；SiP)。 由发展的精神来看，SoC与SiP是极为相似的；两者均希望将一个包含逻辑组件、内存组件，甚至包含被动组件的「系统」，整合
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SiP 封装 技术简介 封装
SL－DIP(slim dual in-line package) DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。 SMD(surface mount devices) 表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。 SO(small out-line) SOP 的别称。世界
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IC 封装 名词解释 封装
PLCC(plastic leaded chip carrier) 带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形，比
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IC 封装 名词解释 封装
H-(with heat sink) 表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
pin grid array(surface mount type) 表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模
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IC 封装 名词解释 封装
BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的
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IC 封装 名词解释 封装
在低功耗变频电机设计中优化能效和线路板空间 有助于加速洗碗机电机和水泵等应用的设计和制造
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布进一步扩展其智能功率模块 (SPM™) 产品系列，推出三款采用29mm x 12mm表面安装 (SMD) 封装的新型Motion-SPM™ 器件：FSB50325S (250V)、FSB50250S
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传统的IC封装是采用导线框架作为IC导通线路与支撑IC的载具，它连接引脚于导线框架的两旁或四周。随着IC封装技术的发展，引脚数量的增多(超过300以上个引脚)、布线密度的增大、基板层数的增多，使得传统的QFP等封装形式在其发展上有所限制。20世纪90年代中期一种以BGA、CSP为代表的新型IC封装形式问世，随之也产生了一种半导体芯片封装的必要新载体，这就是IC封装基板(IC Package Substrate，又称为IC封装载板)。 近年来，BGA、CSP以及Fli
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