- SEMI日前公布了2009年6月份北美半导体设备制造商订单出货比报告。按三个月移动平均额统计，6月份北美半导体设备制造商订单额为3.234亿美元，订单出货比为0.77。订单出货比为0.77意味着该月每出货价值100美元的产品可获得价值77美元的订单。
报告显示，6月份3.234亿美元的订单额较5月份2.878亿美元最终额增长12％，较2008年6月份的9.342亿美元最终额减少69％。
与此同时，2009年6月份北美半导体设备制造商出货额为4.196亿美元，较5月份3.92
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半导体设备 平板显示 纳米 MEMS
- Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备，计划于第四季度推出样品。
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Micron 纳米 NAND USB闪盘
- 为家庭娱乐、通信、网络和便携式多媒体市场提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布，恩智浦半导体公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 内核进行全球首款 45 纳米数字电视处理器开发。这款型号为 PNX85500 的处理器是 NXP TV550 全球单芯片数字电视平台背后的重要推动力量，可协助制造商提供许多先进的 HDTV 功能，并以无与伦比的图像质量获取互联网内容。
市场研究公司 In-S
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NXP MIPS32 45 纳米 PNX85500 HDTV
- 芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma®)设计自动化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署微捷码的Talus® 1.1 IC实现系统到其全面生产环境中。Talus 1.1版本提供了布线、优化和运行时间方面的显著改善以及增强的可用性特征。NVIDIA是在参加这一最新Talus版本的beta测试后，基于肯定的测试结果以及改善的流程性能才决定开始使用Talus 1.1进行其生产设计项目。
“基于核心算法、流程融合和整体可用性方面的显著改善，我们近期已在我们的生产环境升级
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Magma IC设计 纳米 Talus IC实现系统
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双通道 DC/DC 转换器 LT3582、LT3582-5 和 LT3582-12，这些器件提供了很多偏置应用所需的正和负输出，例如有源矩阵 OLED (有机发光二极管) 显示器以及 CCD (电荷耦合器件) 应用。LT3582/-5/-12 提供一个 I2C 接口，该接口可按照应用要求，对输出电压、电源排序和输出电压斜坡动态编程。这些参数也可以在制造过程中设置，并通过内置非易失性 OTP (一次可编程) 存储器成为永久
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Linear DC/DC 转换器 LT3582 LT3582-5 LT3582-12
- 22纳米制程微显影曝光设备业者Mapper传出设备进度递延，Mapper目前是与台积电在新世代半导体曝光设备合作最密切的业者之一，Mapper的进度递延已经让原本预期进驻台积电的22纳米多重电子束(Multiple E-beam)设备向后延期。台积电目前积极在深紫外光(EUV)与多重电子束方面寻求更具成本竞争的曝光技术，Mapper技术出现瓶颈，将为台积电技术进程埋下未知数。
据了解，受到景气冲击，投资者资本支出保守，新兴设备业者Mapper在22纳米制程之后的曝光技术投资也受到影响，因而对于先
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台积电 半导体 纳米
- 罗切斯特大学与柯达公司的研究人员近日宣称他们研发出了一种新的纳米发光晶体材料，这种材料能在吸收能量后持续保持发光状态，而不是像以前那样将能量通过发热方式耗散掉。该材料有望应用于高亮度LED照明，廉价激光器制造等应用场合，还可以被用来开发更薄的电视，显示器产品。
罗切斯特大学教授Todd Krauss说：“纳米晶体从光子吸收能量后，将通过发光或发热两种方式来耗散能量。”通过第一种方式耗散能量的晶体类型被称为非闪烁型纳米晶体(non-blinking nanocrystal)
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纳米 晶体 显示器
- 摘要：从原理上分析了纳米气相二氧化硅胶体铅酸蓄电池的特性，介绍了一种研究成果，应用于铅蓄电池的硅胶体的制造原理和方法。主要是利用表面化学的基本原理和电化学动力学催化的基本方法，应用纳米气相Si02溶胶的半
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蓄电池 铅酸 硅胶 纳米
- 在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。
台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1%的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2%左右。
台积电CEO蔡力行在回答分析师的提问时说：“良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。(不过)我们已经找到了问题的根源，并且已经或正在解决。”
结合此前消息，台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率，难以制造高性能GPU芯片，
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台积电 纳米 芯片
- 东芝日前展示了基于32纳米制造工艺的单芯片32Gb NAND Flash闪存芯片。首批32Gb芯片将主要被应用于记忆卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。
随着越来越多的移动设备在声音和影像方面的逐步数字化，高容量、更小巧的内存产品在市场上的需求也越来越强劲。
新的芯片产品将在东芝位于日本三重县四日市的工厂内制造。东芝公司将比原计划提前2个月，从2009年7月起，大批量生产32Gb NAND Flash闪存芯片。16Gb产品则会从2009财年第三季度(2009年10月到12月)开
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东芝 纳米 闪存芯片
- 韩联社4月27日电称，Hynix(海力士)半导体成功研发采用54纳米技术的世界最高性能的1Gb移动低电双倍速率(LPDDR2)动态随机存储器(DRAM)产品。Hynix表示，该产品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低电压下实现1066Mbps超高速数据传输速度的移动DRAM，在工艺技术、电压、速度方面具备世界最高性能。
据介绍，该产品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低电压下工作，接近于现有的1.8伏移动DRAM的50%，并且仅为PC DDR2产品的30%。这意味着，1秒内下载5、6部普通长度的
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Hynix 纳米 DRAM
- 赛普拉斯-SRAM 领域的业界领先公司，日前宣布，该公司在业界率先推出采用 65 纳米线宽的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件样品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器采用了赛普拉斯合作伙伴制造商 UMC 开发的工艺技术。新型 SRAM 实现了目前市场上最快的 550 MHz时钟速度，在 36 位 I/O 宽度的 QDRII+ 器件中可实现高达 80
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赛普拉斯 纳米 SRAM
- 思源科技(SpringSoft)与联华电子(UMC) 4月28日共同宣布，将提供已通过晶圆专业验证的LakerTM制程设计套件(PDK)予联华电子65nm制程技术使用，从而满足了双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。
Laker-UMC PDK能支持联华电子的65nm CMOS(互补金氧半导体制程)标准逻辑制程及混合模式技术与低介电值绝缘层。联华电子65奈米标准效能制程能让设计公司为各种不同的应用产品提供动力，包括消费产品与绘图芯片。可以执行的技术选项包括混合信号/RFCMOS(射频互补金氧
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SpringSoft 纳米 设计套件
- 东芝昨天宣布，于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中，全球首颗32nm工艺32Gb(4GB)NAND单芯片样品即日起出货，主流容量16Gb(2GB)颗粒样品将于今年7月推出。东芝表示，首批32nm NAND闪存将主要用于存储卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。
目前，东芝是全球领先的32GB闪存供应商，使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率，减小芯片体积，适应更高容量，更小巧的掌上产品需求。
东芝的32nm工艺32Gb
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东芝 纳米 闪存
- Toppan Printing公司在同IBM的合作下，开发出新的光刻掩膜制造技术，可用于制造32nm和28nm掩膜。
该公司称，这些掩膜在日本Asaka工厂制成，通过了IBM的认证。
Toppan从45nm节点就开始和IBM合作，去年双方签署了32nm掩膜技术的最后阶段的合作协议，以及22nm掩膜的合作开发协议。
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Toppan 纳米 光刻掩膜
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