随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及,以及全球数字化和再工业化趋势的持续,预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战,英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块,进一步扩大其持续壮大的氮化镓(GaN)功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台,专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求,提供更大的易用性,帮助客户加快设计进程,缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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英飞凌 EasyPACK CoolGaN 功率模块 氮化镓
近期,英飞凌科技与美的集团签署战略合作协议。通过深度整合各自优势资源,双方将在智能家电、新能源以及全球供应等多维度加深合作,共同为消费者提供绿色、安全、高效的产品与服务。英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉, 美的集团副总裁兼首席可持续发展官李国林代表双方正式签署战略合作协议。英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉(图右)与美的集团副总裁兼首席可持续发展官李国林(图左)长期以来,英飞凌与美的集团紧密合作,技术协同的深度与广度持续升级,合作领域不断拓展,从最初聚
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英飞凌 美的
TLD7002-16ES网关应用示例在现代汽车中,众多电子控制单元(ECU)负责控制各种功能,如发动机管理、传动控制、制动系统和信息娱乐系统。每个ECU通常都配备有自己的MCU,这增加了汽车电气架构的总体复杂性和成本。车灯的情况也是如此,前后左右的车灯通常都有各自独立的ECU。尤其在一些车灯包含成百上千个像素,或者灯是由多块分散的印刷电路板(PCB)组成时,以市场现存大量量产的LED驱动解决方案而言,每个灯板都需要使用一片MCU来作为控制的转发点来提升系统的可靠性,通讯速度以及电磁兼容(EMC)性能。本文
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英飞凌 EMC 车载灯光 域控制器
Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率,而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ (750 V BDss) 和 2.3 mΩ (1200 V BDss) 的超低 R DS(ON),可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
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英飞凌 SiC JFET 固态配电
氮化镓(GaN)单片双向开关正重新定义功率器件的电流控制范式。 传统功率器件(如MOSFET或IGBT)仅支持单向主动导通,反向电流需依赖体二极管或外接抗并联二极管实现第三象限传导。这种被动式反向导通不仅缺乏门极控制能力,更因二极管压降导致效率损失。为实现双向可控传导,工程师常采用背对背(B2B)拓扑级联两个器件,却因此牺牲了功率密度并增加了系统复杂度。由于有效的州电阻(RDSON)加倍,因此需要这些设备的平行组,以使返回到使用单向开关获得的值。可以执行此类四季度操作的单片设备可以通过用单个设备替换四个活
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英飞凌 氮化镓 双向开关
● 2025财年第二季度:营收为 35.91 亿欧元,利润为6.01 亿欧元,利润率16.7%● 2025财年第三季度展望:假设欧元兑美元汇率为1:1.125,预计营收将达到 37 亿欧元。在此基础上,利润率预计为14%~16%左右● 2025财年展望:假设欧元兑美元汇率为1:1.125(之前假设为1:1.05),预计营收较上一年将略有下降。这包括了对关税政策潜在影响的估算。调整后的毛
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英飞凌 2025财年第二季度
英飞凌科技股份公司已获得德国联邦经济事务部(German Federal Ministry for Economic Affairs)的最终批准,为其位于德累斯顿的智能发电厂提供资金。与此同时,该公司预计,由于美国对汽车征收关税,到 2025 年销量将减少 10%。该晶圆厂的 10 亿欧元资金将推动该公司对智能功率器件生产的 50 亿欧元投资。这是欧盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 创新计划(微电子和通信技术方面欧洲共同利益的重要项目)资助的一部分,该计划于 2 月通过德国政府获得批准。“我们的智能电
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英飞凌 晶圆厂 欧盟芯片法案
英飞凌凭借其高性能功率开关器件和EiceDRIVER™列的隔离栅极驱动器而闻名,每个功率开关都需要驱动器,对于驱动器的选择,英飞凌共有441个不同的型号(截止2025年1月16日),分别属于非隔离型、电平位移型和采用无磁芯变压器的隔离型。 《好物下载丨《英飞凌栅极驱动电路设计选型指南》——92页产品信息和技术资料》为了实现驱动器的驱动能力,每个驱动器都需要电源。对于电平转换栅极驱动器,电源通常是由自举电路提供。对于隔离栅极驱动器,需要一个同样具有隔离功能的隔离电源供电。接下来,你将了解到我们的&
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英飞凌
英飞凌科技股份公司作为碳化硅(SiC)功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者,始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前,CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围,应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在,英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件(CoolMOS™)领域的创新优势,推出了SiC沟槽型超结(TSJ)技术。ID-PAK封装MDIP-04-01英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter W
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英飞凌 SiC超结技术
近日,为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性,使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制,CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能,包括固态断路器(SSCB)、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。英飞凌科技零碳工业功率
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英飞凌 CoolSiC JFET 固态配电
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与全球顶尖汽车系统制造商马瑞利宣布联合推出创新的MEMS激光束扫描(LBS)系统,共同推进汽车显示技术的发展。这一基于英飞凌LBS技术的解决方案助力马瑞利突破传统显示屏的限制,创造沉浸式的座舱体验。这项前沿技术已在2025上海车展的马瑞利展台首次亮相。英飞凌MEMS LBS系统目标应用场景英飞凌科技传感器与射频业务部门负责人Thomas Schafbauer博士表示:“汽车行业座舱设计对创新光学解决方案的需求正在加速增长,英飞凌致力于比以往更快地为客
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英飞凌 马瑞利 上海车展 MEMS激光束扫描 汽车座舱
英飞凌科技股份公司将在德国纽伦堡举行的欧洲电力电子系统及元器件展(PCIM Europe 2025)上展示最新的半导体、软件及工具解决方案,这些解决方案有助于解决当前的环保与数字化转型挑战。公司将在7号展厅470号展台展示丰富的功率器件产品组合中的重点产品,涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等所有相关功率技术。以“数字低碳,共创未来”为主题,英飞凌将举办多场展示和演讲,并提供与专家交流的机会。英飞凌将参加PCIM Europe 2025英飞凌将在PCIM 2025上重点展示:●
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智能座舱不仅是汽车智能化的重要组成部分,更是智能汽车与驾乘人员交互的核心应用场景。随着汽车电子电气化结构的发展和智能化方向的演进,对智能座舱技术不断提出全新的技术挑战。在2025慕尼黑电子展现场,EEPW专门采访了来自汽车半导体排名第一的英飞凌科技智能座舱负责人Robin Qiu,一起来畅谈智能座舱技术的发展趋势和英飞凌提供的全面解决方案。 英飞凌在智能座舱方面拥有全面的产品和解决方案,涵盖了微控制器、3D TOF传感器和各种环境参数传感器,以及各类投影芯片等。谈到英飞凌产品和方案的特点,Robin Qi
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全社会都在积极推动低碳化转型,而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中,相比于从前,一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的,但是这种多层级的能源转换,每一步都会带来一定的能耗损失,因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ,它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求:1能效创新: SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域,能够显著
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英飞凌 碳化硅 沟槽栅技
Marelli 已签署协议,将 Infineon Technologies 的激光束扫描 (LBS) 技术用于车载显示器。基于 MEMS 的 LBS 技术将使 Marelli 能够在本周的上海车展上为其客户创造身临其境的驾驶舱体验,摆脱传统显示器的限制。Infineon MEMS LBS 系统完全符合汽车标准,具有抗冲击和抗振动能力,最高符合 ASIL-B 标准。芯片级封装易于集成到各种应用中,通过反射激光束创建具有大景深的无聚焦投影显示,即使在高环境光条件下也能实现更亮的显示。这简化了光学设计,降低了功
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马瑞利 英飞凌 激光扫描显示技术
英飞凌介绍
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,至今在世界拥有35,600多名员工,2004财年公司营业额达71.9亿欧元,是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者,英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发,全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [
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