引言英飞凌微AURIX™ TC4x控制器中的CDSP-Converter Digital Signal Processor是一种专门设计用于实现高性能可编程的数字信号处理和控制单元。其核心是Synopsys DesignWare ® ARC ® EM5D(ARC) 32位的处理器。CDSP用于进行后处理来自Delta-Sigma ADC(DSADC)、外部调制器(EXMOD)、时分复用ADC(TMADC)、载波模式幅度(CARMAG)或通用寄存器(GP)的信号等等。
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英飞凌 AURIX TC4x CDSP
01前言英飞凌 AURIX™ TC4x系列微控制器嵌入式代码支持包使您能够使用Simulink为英飞凌32位TriCore™ TC1.8 AURIX™ TC4x系列微控制器设计实时应用程序，以及英飞凌 AURIX™ TC4x系列系统级芯片块集支持包使您能够使用Simulink为英飞凌 AURIX™ TC4x系列PPU设计实时应用程序。支持包包含了外设和IO模块诸如 Digital IO, TMADC, DSADC, PWM,
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英飞凌 AURIX TC4x
1.前言如今以太网已成为所有车内通信的主干网，标准以太网作为一种基于Best Effort的通信协议，无法应对新一代汽车发展的一些需求，比如：时间敏感型流量和应用；在共享网络上的不同服务质量要求(Qualities of Service QoS)；可靠性和延迟要求。时间敏感网络(TSN)是标准以太网在汽车等特定应用环境下的增强功能实现。时间敏感网络(TSN)有可能通过建立通用标准打开实时以太网市场，把以太网发展成为一个强大可靠的通信框架，从而满足时间敏感型应用的特定需求。本文将对AURIX™ TC4x G
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英飞凌 AURIX TC4x GETH
引言在之前的《AURIX™ TC4x虚拟化技术助力下一代汽车EE架构设计》一文中，我们已经介绍了嵌入式虚拟化的发展历史，基本概念，使用案例，它的优势以及当前面临的挑战。接下来，我们将深入探讨TC4x对虚拟化技术的硬件支持，软件开发流程以及现有的软件Demo。1. AURIX™ TC4x虚拟化硬件架构AURIX™ TC4x在硬件上全面支持虚拟化技术，包括CPU虚拟化，内存虚拟化，中断虚拟化，外设虚拟化以及虚拟机之间的IPC通信（如图1所示）图1 AURIX™ TC4x虚拟化架构2. C
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英飞凌 AURIX TC4x虚拟化技术
作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。《优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局》应用指南 ，主要讨论了在使用高压氮化镓（GaN）功率晶体管时，如何通过优化PCB布局来提升整体电气性能和热性能。以下是文件的核心内容提炼：1引言高
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英飞凌 功率晶体管 PCB布局
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，在单管里是标称电流的3倍或4倍，模块由于考虑多芯片并联等因素，关断电流能力定义为标称电流的2倍。在实际系统设计中，器件输出电流能力往往受限于芯片的
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英飞凌 功率器件
对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了其最新、最先进的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷达单片微波集成电路（MMIC）的最终样品。CTRX8191F专为满足自动驾驶的要求而设计，具有高性能、低系统成本的特点，并将推动新一代雷达成像模块的开发。CTRX8191F雷达MMIC具有更强大的性能，且信
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英飞凌 雷达MMIC 高清成像雷达 微波集成电路
英飞凌1992年开始碳化硅技术研发，是第一批研发碳化硅的半导体公司之一。2001年推出世界上第一个商用碳化硅二极管，此后生产线不断升级，2018年收购德国Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技术，2024年推出了集成.XT技术的XHPTM 2 CoolSiCTM半桥模块。英飞凌持续32年深耕碳化硅功率器件，不断突破不断创新，持续引领碳化硅技术发展。近日，英飞凌在北京举办碳化硅媒体发布会，深入介绍了其在碳化硅功率器件产品及技术方面的进展及其在工业与基础设施领域的应用和
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英飞凌 碳化硅 能源 工业设备
前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50V）输
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英飞凌 AI CoolSiC CoolGaN
● 英飞凌连续第15次入选道琼斯可持续发展指数。● 公司在落实积极的可持续发展战略方面持续取得进展。● 道琼斯可持续发展指数是投资者根据经济、环境和社会标准衡量全球最佳表现企业的基准。英飞凌科技管理委员会成员兼首席数字化转型与可持续发展官Elke Reichart英飞凌科技股份公司入选道琼斯可持续发展世界指数和道琼斯可持续发展欧洲指数。这是英飞凌连续第15次入选道琼斯可持续发展指数，体现了英飞凌在企业可持续发展方面一贯的卓越表现。该基
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道琼斯可持续发展指数 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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碳化硅 零碳技术 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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英飞凌 碳化硅
根据合作备忘录，英飞凌将提供整套芯片解决方案，包括微控制单元（MCU）、电池均衡和监测IC、电源管理IC、驱动、MOSFET、CAN和传感器产品。通过采用这些解决方案，亿纬锂能的电池管理系统将拥有高度的安全性、可靠性以及更加优化的成本，而且能够更加准确地监测、保护和优化电动汽车（EV）的电池性能，提升用户的驾驶体验和车辆的能效。电池监控和平衡IC TQFP-48-8组合电气化的快速发展推动了对先进电池解决方案的需求。英飞凌领先的电池管理IC与亿纬锂能先进的电池技术将共同为下一代智能电池组奠定基础。英飞凌通
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亿纬锂能 电池管理系统 英飞凌
/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
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英飞凌 GaN SiC 电气工程师
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管的浪涌电流能力是半导体器件的一个重要参数。在被动整流应用中，由于电网的频率是50Hz，因此10ms的二极管电流
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英飞凌 功率器件 瞬态热阻
英飞凌介绍
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，至今在世界拥有35,600多名员工，2004财年公司营业额达71.9亿欧元，是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者，英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [
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