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英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升

• 英飞凌科技股份公司作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。ID-PAK封装MDIP-04-01英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter W
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