中国北京，2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今，碳化硅（SiC）在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾，碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度；在工业应用方面，越来越多的人则
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CISSOID 碳化硅 功率模块 高温栅极驱动器
中美贸易战战火延烧，华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货，熟悉功率元件业者透露，除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外，疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
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华为 MOSFET 中美贸易战
此次产能扩大，将带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和SiC（碳化硅）材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长
5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂
投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化镓 工厂
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC
MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC
生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
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安森美 MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结
MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。 此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
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ROHM MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP
功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP
晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
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Diodes MOSFET
2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。 主要应用 w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组 w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天 SiC MOSFET系列 产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
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新能源汽车 MOSFET
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC)
MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅 氮化镓 5G
专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics
(ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh
M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能
微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
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贸泽 STMicroelectronics MOSFET
碳化硅 mosfet介绍
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