在功率电子学中，半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家，Paul Scherrer研究所和ABB在科学期刊“应用物理快报”中解释了阻止硅和碳结合使用的原因。能源消耗在全球范围内不断增长，风能和太阳能等可持续能源供应变得越来越重要。然而，电力通常远离消费者产生。因此，高效的配电和运输系统与将产生的直流电转换成交流电的变电站和电力转换器同样重要。节省大笔开支现代电力电子设备必须能够处理大电流和高电压。目前用于场效应晶体管的半导体材料制成的晶体管现在主要基于硅技术。然而，在硅上使
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碳化硅
1999年从摩托罗拉半导体部剥离时，安森美只是一家年营业额12亿美元的标准半导体供应商，2018年已达到年营收近60亿美元，转型成为领先的高能效创新的半导体方案供应商。过去的20年，是半导体技术飞跃发展的20年，也是并购重组频繁的20年，很多中小公司在并购浪潮中淹没了，而安森美却逐渐壮大，形成了自己的特色和稳定的市场。安森美的成功经验是什么？如今的特色和对未来的观察是什么？近日，安森美半导体战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo和中国区销售副总裁谢鸿裕接受了电子产品世界等媒体的采访。1 靠创新
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汽车 传感器 碳化硅 云电源
华为出资7亿元全资控股，刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手，投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
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华为 半导体 碳化硅
中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副
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电源 意法半导体 击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器
SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
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SiC MOSFET
中国北京，2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今，碳化硅（SiC）在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾，碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度；在工业应用方面，越来越多的人则
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CISSOID 碳化硅 功率模块 高温栅极驱动器
中美贸易战战火延烧，华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货，熟悉功率元件业者透露，除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外，疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
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华为 MOSFET 中美贸易战
此次产能扩大，将带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和SiC（碳化硅）材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长
5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂
投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
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碳化硅 碳化硅基氮化镓 工厂
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
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201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC
MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC
MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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ROHM SiC MOSFET
2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC)
MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC
生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
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安森美 MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结
MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。 此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
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ROHM MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD)
为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP
功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP
晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
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2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx
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Vishay MOSFET
碳化硅 mosfet介绍
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