- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型
- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K
SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC)
MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
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Power Integrations SiC-MOSFET
- 据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅 氮化镓 5G
- 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics
(ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh
M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能
微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
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贸泽 STMicroelectronics MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs
LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
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Vishay MOSFET
- 在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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碳化硅 氮化镓
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V
MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 Vishay
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Vishay MOSFET
- Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。
这些机电系统
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意法半导体 MOSFET
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive
World日本国际汽车展上，展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40，以“Think Automotive, Think
Vishay”为主题展示各种车规产品，包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。 Vishay亚
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Vishay 转换器 MOSFET
- 意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16
nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。 此外，意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω，有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
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意法半导体 MOSFET
- 11月4-7日，由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商，重磅推出碳化硅MOSFET产品，反响热烈。 作为全球性的电力电子行业盛会，IEEE PEAC
2018可谓大咖云集，来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词，美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授，中国工程院院
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 10月31日-11月2日，第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区，展示公司自主研发的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。 中国电子展是电子行业的年度盛会，集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业，倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化，电子技术促进产业升级”为主题，共有40000余名买家和专业观众观展，共同打造了一场电子行业年度盛会。
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。 出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum
Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 近日，从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯，基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果，获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。 深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立，旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才，以增强企业科技创新能力，提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。 基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业，从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司，基本半导体依托广泛的海外资源，成功引进了来自英
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
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半导体 氮化镓 碳化硅
碳化硅 mosfet介绍
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