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碳化硅 mosfet 文章 进入碳化硅 mosfet技术社区

基本半导体荣获“2018年度深圳市人才伯乐奖”

  • 　　近日，从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯，基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果，获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。　　深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立，旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才，以增强企业科技创新能力，提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。　　基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业，从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司，基本半导体依托广泛的海外资源，成功引进了来自英
  • 关键字： 基本半导体  碳化硅  第三代半导体  

半导体发展经历三代变革 推动社会发展

  • 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
  • 关键字： 半导体  氮化镓  碳化硅  

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  • 　　随着汽车中电子系统数量的成倍增加，车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此，新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准，该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质，开关电源充斥着 EMI，并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今，低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起，成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求，同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字： Littelfuse  MOSFET  

CISSOID和泰科天润（GPT）达成战略合作协议， 携手推动碳化硅功率器件的广泛应用

  • 　　高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。　　CISSOID和泰科天润签署战略合作协议　　泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，既是碳化硅芯片的龙头企业，也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温
  • 关键字： CISSOID  碳化硅  

宜特FSM化学镀服务本月上线，无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  • 　　随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求，为填补供应链中此一环节的不足，在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」，其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺，在本月已有数家客户稳定投片进行量产，在线生产良率连续两月高于99.5%。　　同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺，在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上，除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字： 宜特  MOSFET  

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

  • 1 引言
    MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，
  • 关键字： MOSFET  并联  电流  分配  

应用角：汽车 - 电动汽车电池断开系统

  • 　　在电动和混合动力汽车中，需要一种方法将高压电池与车辆的其他部分断开连接。专门设计的大电流继电器(接触器)历来一直是执行此功能的首选方案。此继电器的设计必须支持在负载下断开连接，而不受损坏。这是通过使用带有真空封装触点的继电器来实现的。这些接触器通常充满惰性气体，包围触点以消除空气。通常，在高压电池系统中，需要三个接触器：一个用于两个主要电池导体，另一个更小的版本用于预充电功能。传统的电池断开电路图如图1所示。　　电动汽车制造商长期以来一直希望有一种更小、更轻、更便宜的方案，以解决电池断开问题。功率半导
  • 关键字： MOSFET，混合动力  

开关电源设计：何时使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 关键字： 开关电源  BJT  MOSFET  

教你看懂MOSFET数据表

  • 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱
  • 关键字： MOSFET  数据  电感器  连续电流  

大功率电源MOSMOSFET问题的分析

  • 本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解，希望对您的学习有所帮助。对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不
  • 关键字： MOSFET  电源  

大功率电源MOS工作温度确定之计算功率耗散

  • 在电子电路设计中，散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下，空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
  • 关键字： 大功率电  MOSFET  功率耗散  

功率MOSFET在集成驱动电路中的设计应用简析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用，此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式，在今天的文章中
  • 关键字： MOSFET  驱动电路  电源  
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碳化硅 mosfet介绍

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