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碳化硅 mosfet 文章 进入碳化硅 mosfet技术社区

智能电网端口保护:这不是一颗“料”在战斗!

  •   今天,做一个产品或系统的电路保护方案,特别是智能电网等工业应用的端口保护设计,就像是组织一场足球比赛的防御战:你需要有大牌的球(yuan)星(jian),还需要有将他们捏合在一起的战术,去抵御来自对手的每一次可能的“进攻”。这其中的门道儿不少,但也有套路可寻,今天我们就来看看世健(Excelpoint)作为工业电路保护界的“豪门”,是怎么玩儿的。  那些明星元件  先来细数一下世健帐下那些在智能电网上可堪重用的电路保护元件“球星”,它们大多来自Bourns公司,每颗料都很有“料”。比如:  TBU高速
  • 关键字: 智能电网  MOSFET  

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块,在PCIM上推出CoolSiC™系列产品的其他型号

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。c科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。  英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已达到转折点,考虑到成本效益,它
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

  • SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
  • 关键字: 电源转换器  SiC  MOSFET  逆变器  201707  

英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块,在PCIM上推出CoolSiC™系列产品的其他型号

  •   效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上,英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今,英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。  英飞凌工业功率控
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  

三菱电机携多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

  •   三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中,以十款新型功率器件强势登场,其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号:E06)。  三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题,今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域,包括:变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。  变频家电市场  在变频家电应用方面,三菱电机展出
  • 关键字: 三菱电机  碳化硅  

电源模块性能的PCB布局优化

  • 全球出现的能源短缺问题使各国政府都开始大力推行节能新政。电子产品的能耗标准越来越严格,对于电源设计工程师,如何设计更高效率、更高性能的电源是一个永恒的挑战。本文从电源PCB的布局出发。
  • 关键字: 电源模块性能  PCB布局技术  MOSFET  

碳化硅肖特基二极管在电源中的应用

  • 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定,能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的
  • 关键字: 碳化硅  肖特基二极管  电源  DCM  PFC  

三极管和MOS管做开关用时的区别

  • 实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管
  • 关键字: 三极管  MOSFET  

功率MOSFET的结构,工作原理及应用

  • “MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
  • 关键字: 功率MOSFET  MOSFET  

电源设计小贴士43:分立器件——一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案

  • 在本设计小贴士中,我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下,您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器,但是由于宽泛的输入电压变量,变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。
  • 关键字: 分立器件  MOSFET  同步整流器  电源设计小贴士  

电源设计小贴士 42:可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以帮助您节约成本。价值大约 0.04 美元的分立器件可以将驱动器 IC 成本降低 10 倍。分立驱动器可提供超过2A 的电流并且可以使您从控制 IC 中获得电力。此外,该器件还可去除控制 IC 中的高开关电流,从而提高稳压和噪声性能。
  • 关键字: 德州仪器  分立器件  MOSFET  电源设计小贴士  

MOSFET安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在

  • 即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时,任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源,支持从正在工作的系统中插入或移除电路板,从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后,MOSFE
  • 关键字: 安全工作区  MOSFET  LTC4233  热插拔  热插拔控制器  

电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择

电源设计小贴士 29:估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

  • 在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
  • 关键字: 热插拔  MOSFET  网络  
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碳化硅 mosfet介绍

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