最初为高压器件开发的超级结MOSFET，电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容，但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。 MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量，其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，输入电容CG
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MOSFET 非线性电容
4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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基本半导体 碳化硅 功率芯片 集成电路
虽然碳化硅有成本方面的问题，但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板，尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视，将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本，又能够保持半导体器件的优越性能，在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被碳化硅替代，我们认为碳化硅和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长，共生共栖。
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瑞萨，碳化硅
3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有里程碑意义，将对中国乃至全球第三代半导体产业发展产生深远影响。 科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会主任、深圳第三代半导体研究院理事长曹健林，广东省委常委、深圳市委书记王伟中，深圳市委副书记、市长陈如桂，科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会副主任、深圳第三代半
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青铜剑科技 半导体 碳化硅 功率器件
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 电源IC
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子
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Littelfuse MOSFET
EPC公司的管理及技术团队将在中国深圳及上海于3月14至16日举行的各大业界论坛及展会上，与工程师会面并作技术交流。届时，EPC团队将分享如何发挥氮化镓场效应晶体管(GaN FET)及集成电路的最高性能、创新设计，从而为工程师及其客户，打造共创共赢新局面。 AirFuel无线充电大会暨开发者论坛 2018 (中国深圳 - 3月14至16日) 首届AirFuel无线充电大会暨开发者论坛将于3月14至16日在深圳南山凯宾斯基酒店举行。由AirFuel™
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宜普 MOSFET
当前具有更高整体效率的电子系统需要更高的功率密度，这为非隔离负载点稳压器(niPOL) 带来了大量变革。为了提高整体系统效率，设计人员选择避免多级转换，以获得他们所需要的稳压负载点电压。这就意味着niPOL需要支持更高的工作输入电压，提供更高的转换率。除此之外，niPOL还需要在保持最高效率的同时，继续缩小电源解决方案的总体尺寸。而且随着产品性能的提升，niPOL的功率需求会进一步提高。 电源行业通过对niPOL进行多项技术升级来应对这一挑战。过去几年，行业已经看到器件封装、半导体集成和M
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ZVS MOSFET
MOSFET缺货潮来势汹汹，看着突然实则必然，毕竟消费电子的更新迭代速度加快以及新能源汽车飞速发展已成必然之势。
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MOSFET 芯片
随着工艺水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属-氧化物半导体场效应晶体管)阈值电压的失配常数Avt越来越小，电流源之间的匹配程度越来越高，然而随着DAC(Digital to Analog Converter，即数模转换器)分辨率的提高， DAC对电流源误差的要求越来越高[1]。其中阈值电压失配不仅与Avt有关，由于阈值电压的温度系数存在，DAC工作
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DAC MOSFET
电动工具、 园艺工具和吸尘器等家电使用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电机驱动。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。 驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。高效率可提供最长的电池寿命并减少冷却工作。可靠的操作和保护可延长使用寿命，有助于提高产品声誉。 为在两个方向上驱动BDC电机，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽车中，为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统，从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅 100 多年以前的景象，那时，在汽油动力汽车中，一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄，前灯开始用乙炔气照明，也可以用铃声向行人发出提示信息了。如今的汽车正处于彻底变成电子系统的交界点，最大限度减少了机械系统的采用，正在成为人们生活中最大、最昂贵的“数字化工具”。由于可用性和环保原因
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电源 MOSFET
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOSCFD7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。 &n
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英飞凌 MOSFET
MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度，等国内的12寸晶圆量产之后，将8寸的产能腾出来，才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放，如果封测厂商难以消化这么大的产能，涨价仍会持续，只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产，预计2018年6月可正式投产，扩产后的产能可多出一倍，每月达2亿只左右。”陈金松说。
MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
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MOSFET 晶圆
碳化硅 mosfet介绍
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