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碳化硅 mosfet 文章 进入碳化硅 mosfet技术社区

碳化硅发展势头旺，英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王  莹  （《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一，碳化硅 具备哪些优势，现在的发展程度 如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此机会，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构，例如电流连续模 式
  • 关键字： 202004  碳化硅  CoolSiC™ MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半导体 签署生产和供应碳化硅材料的协议

  • GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协议，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。
  • 关键字： GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能
  • 关键字： OBC  SiC MOSFET  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  （安森美半导体 工业业务拓展经理）摘  要：电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机；工业电机需要更高能效的电机，同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词：电机；电动工具；MOSFET；工业；IGBT；IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列，尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋，并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 （例如电动工具），
  • 关键字： 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

碳化硅（SiC）功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字： 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  

英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
  • 关键字： SiC  MOSFET  

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
  • 关键字： 儒卓力  威世N-Channel MOSFET  封装  

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57mΩ产品

  • 奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
  • 关键字： 安世半导体  MOSFET  RDS(on)  

Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
  • 关键字： SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

  • 近日，罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“该SiC衬底长期供应协
  • 关键字： 碳化硅  晶圆  

环球晶圆：硅晶圆明年回温

  • 半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示，明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰，但从客户端库存改善、拉货动能加温，以及应用扩大等来看，硅晶圆产业已在本季落底，明年上半年整体景气动能升温速度优于预期，她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增，往后将会逐季成长。
  • 关键字： 环球晶圆  硅晶圆  碳化硅  

Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器，提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间

  • 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前，许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是，高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声，影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
  • 关键字： 碳化硅  栅极驱动器  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字： MOSFET  N沟道  

意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

  • 近日， 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）于12月2日宣布，完成对瑞典碳化硅（SiC）晶圆制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后，意法半导体行使期权，收购了剩余的45％股份。Norstel并购案总价为1.375亿美元，由现金支付。
  • 关键字： 意法半导体  碳化硅  Norstel AB  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字： Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  
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碳化硅 mosfet介绍

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