- 进日宣布推出IXD0579M高速栅极驱动器集成电路。IXD0579M简化了电路板设计，节省了空间，并为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT提供了可靠的多源替代方案。IXD0579M设计用于在6.5 V至18 V的宽电源范围内工作，在单个紧凑的3×3 mm² TDFN-10封装中集成了一个自举二极管和一个串联限流电阻器，这些元件通常需要分立安装。这种创新的集成设计减少了物料清单上的元件数量和成本，同时也简化了PCB布局。主要产品特性和优势● 高驱动能力：1.5 A拉电流和2.
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- 电源转换是当今几乎所有电子设计的核心功能。理想情况下，将直流电压（例如9 V）转换为另一个电平（例如24 V）的过程应尽可能高效，损耗应尽可能小。为了应对各种应用的不同电压、电流和功率密度需求，工程师开发了多种电路架构（也就 是拓扑）。对于DC-DC电源转换，可以使用降压、升压、降压-升压、半桥和全桥拓扑结构。此外还得考虑输出是否需要与输入电压进行电气隔离，由此便可将转换方法分为两类，即非隔离式和隔离式。对于高电压和大电流用例，例如电机控制和太阳能逆变器，半桥和全桥DC-DC转换技术是主流选择。01半桥电
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- 意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器 (ADC) 和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的
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- Littelfuse公司是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣部推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了优化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内工作，并在自举操作中支持高达200 V的高压侧开关，其逻辑输入与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平兼容，可确保与各种控制设备无缝集成。
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- 英飞凌的新一代EiceDRIVER™
1ED21x7x
650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅（SOI）技术。1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力，能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用，例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x
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- 半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC，其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。本文重点介绍了工程师在为应用选择栅极驱动器IC时应考虑的关键因素。除了基本的电压和电流额定值之外，本文还说明了高共模瞬变抗扰度的重要性和可调死区时间的必要性。某些用例要求将栅极驱动器IC与MOSFET进行电气隔离，文中通过一个简单的参考设计展示了这种浮地方法。
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- 氮化镓 （GaN） 功率器件因其超快的开关速度和有限的寄生效应而成为 LiDAR 传感器的核心构建模块之一，从而在高总线电压和窄脉冲宽度下实现高峰值电流。为了迎来自动驾驶汽车的未来，必须在车辆系统内使用更先进的传感器。LiDAR 是检测自动驾驶汽车周围物体存在的更广泛使用的传感器之一，它是光检测和测距的缩写，它从激光射出光并测量场景中的反射，有点像基于光的雷达。车辆的车载计算机可以使用这些数据来解释汽车与周围环境的关系以及道路上是否存在其他汽车和物体。LiDAR 传感器必须基于一个非常快速的开关，该开关为
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- 随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。并联的挑战在前文我们介绍并联设计的挑战如静态电流失配、动态电流失配，接下来将继续讲解其他挑战。⭐并联振荡对于高增益、快速开关器件来说，并联振荡可能是一个问题。由于 SiC JFET cascode（简称cascode）内部有两个有源器件：一个低
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- 作为汽车电动牵引逆变器栅极驱动器的领先供应商之一，恩智浦不断推动逆变器效率、功能安全和汽车性能的提升。恩智浦发布的 GD3162 具有动态栅极驱动功能，能够在日益宽广的工作范围内为先进功率开关器件 (如碳化硅、氮化镓等) 提供卓越开关性能。GD3162器件的动态栅极强度控制不仅提高了逆变器的效率，还提供了强大的功能安全解决方案，同时改进了典型硬件设计标准，为功率器件保驾护航。电池和电动牵引电机虽然是电动汽车 (EV) 的标志性特征，但这两者的存在必然要求存在第三个同等重要的元素：牵引逆
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- Nexperia近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本，性能上兼具高电流输出和出色的动态性能，可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中，NGD4300-Q100达到车规级标准，非常适合电动助力转向和电源转换器应用；NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作，其中集成了二极管的自举电源有助于缩小P
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- 作为全球原厂授权代理商，贸泽电子(Mouser Electronics) 致力于快速引入新产品与新技术，为客户提供优势，协助加快产品上市速度。超过1200家半导体和电子元器件制造商通过贸泽将自己的产品销往全球市场。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。贸泽于上个季度推出了超过6500个物料，均可随时发货。贸泽从2024年7月至9月引入的部分产品包括：● 安森美NCx51152隔离式单通道栅极驱动器安森美NCx51152是单通道栅极驱动器，专为
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- 高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路，驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。图 1 显示了 HVIC 的典型内部框图。主要功能模块包括输入级、欠压锁定保护、电平转换器和输出驱动级。栅极驱动器损耗
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- 为了在空间受限的应用中实现高效、实时的嵌入式电机控制系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC®数字信号控制器（DSC）的新型集成电机驱动器系列。该系列器件在一个封装中集成了dsPIC33 数字信号控制器 （DSC）、一个三相MOSFET栅极驱动器和可选LIN 或 CAN FD 收发器。这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和 Microchip
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- 万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动
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- 电机在现代生活中应用广泛。无论是吸尘器、空气风扇还是电动自行车，这些生活中的常见设备都需要电机来驱动，而一个良好的电机驱动能力是保障设备高效、稳定运行的关键。瑞萨电子为大家带来一款高功率、紧凑型BLDC电机控制解决方案，该方案由高度集成的三相智能栅极驱动器实现，可直接驱动三个N沟道MOSFET电桥，而内部的降压-升压功能还可进一步减少器件数量，从而提供系统电源。图片此次给大家带来的方案由6个具有低导通电阻的RJK0659DPA MOSFET、1个RAA227063智能栅极驱动器IC和1个RA4T1 MCU
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栅极驱动器介绍
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